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公开(公告)号：CN117587361B
公开(公告)日：2024-06-11
申请号：CN202311600772.4
申请日：2023-11-28
申请人： 苏州清研半导体科技有限公司
摘要： 本申请涉及碳化钽涂层的制备方法，包括：S1、将碳基基材放入磁控溅射设备的腔室内的基台上；S2、将腔室抽取真空，并充入气氛；S3、驱动基台旋转，启动钽靶，在碳基基材上沉积第一涂层至第一沉积时间；S4、维持钽靶功率，引入碳源并逐渐增加碳原子含量，在第一涂层上沉积第二涂层至第二沉积时间；S5、维持钽靶功率和碳原子含量，在第二涂层上沉积第三涂层至第三沉积时间，得到具有涂层的碳基基材；S6、将具有涂层的碳基基材取出后放入高温炉进行保温处理使得碳基基材、第一涂层、第二涂层和第三涂层中的碳和钽反应，得到致密且应力小的碳化钽涂层，同时碳化钽涂层与碳基基材的结合强度大，该制备方法成本低，能够在较短时间内完成。
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公开(公告)号：CN118147592A
公开(公告)日：2024-06-07
申请号：CN202410466061.0
申请日：2024-04-18
申请人： 中国人民解放军军事科学院国防工程研究院
IPC分类号： C23C14/35 , G03F7/00 , G02B1/00 , G02B5/00 , C23C14/18 , C23C14/58 , C23C14/04 , B82Y30/00 , B82Y40/00 , B22F9/06 , B22F1/054 , B82Y20/00
摘要： 本发明属于纳米光子学以及纳米加工技术领域，具体涉及一种表面等离激元超材料制备方法，包括以下步骤：S1、衬底材料准备，选定衬底材料并对其进行加工清理后备用；S2、根据S1得到衬底材料后，旋涂光刻胶厚对衬底表面进行光刻图形，并将尺寸控制在50纳米到1微米之间，厚度在5纳米到1微米之间；S3、根据S2得到光刻图形后的衬底，将衬底放入磁控溅射系统中进行金(Au)靶材溅射，设定参数对S2中光刻图形的间隙进行填充。本发明提出采用在磁控溅射金(Au)靶材前对衬底表面进行光刻图形，使得磁控溅射金(Au)靶材均匀的填充在光刻图形的缝隙间，从而在退火过程中随着金(Au)靶材的溶解，能够使金(Au)靶材变为尺寸相近的金纳米颗粒(Au NPs)。
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公开(公告)号：CN115595543B
公开(公告)日：2024-06-07
申请号：CN202211336629.4
申请日：2022-10-28
申请人： 西安理工大学
摘要： 本发明涉及表面处理技术领域，尤其涉及一种具有MAB相结构的MoAlB陶瓷薄膜及其制备方法，采用四靶磁控溅射离子镀和退火热处理两步法进行制备，具体步骤如下：S1，采用MoB2、Mo和双Al靶四靶体系在衬底材料上进行溅射沉积，获得沉积态薄膜；S2，对沉积态薄膜进行退火热处理，获得具有222型MAB相结构的晶态MoAlB陶瓷薄膜。本发明采用磁控溅射离子镀及退火热处理两步法能够在低温条件下获得具有MAB相结构的MoAlB陶瓷薄膜；同时可以实现对特定成分和微观结构MoAlB薄膜的可控制备，且工艺稳定、易于实现产业化生产。
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公开(公告)号：CN113376961B
公开(公告)日：2024-06-07
申请号：CN202110639910.4
申请日：2021-06-09
申请人： 浙江一晶科技股份有限公司
发明人： 林家海
IPC分类号： G03F7/004 , C23C14/18 , C23C14/16 , C23C14/34 , C23C14/24 , C23C14/02 , C23C14/58 , B08B3/12
摘要： 本发明公开了一种石英音叉的加工方法，包括以下步骤：a：将配制后的处理液倒入烧杯内，同时将石英音叉元件均匀的布置在烧杯内，将烧杯放入超声波槽内进行超声，超声后排出烧杯内处理液，将烧杯内的石英音叉元件用冷热交替纯水流水冲洗，再用去离子水流水冲洗，并进行二次超声；b：采用真空溅射和真空热蒸发对基本元件进行镀膜；c：采用光刻机将石英音叉元件第一面进行光刻；d：将第一面光刻后的石英音叉元件放入腐蚀液中；e：采用光刻机套刻第二面音叉图形，采用黑白十字标记套准；f：将第二面光刻后的基本元件放入腐蚀液中，剥离除光刻胶；g：采用氢氟酸和氟化铵溶液对基本元件进行化学腐蚀。
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公开(公告)号：CN118127468A
公开(公告)日：2024-06-04
申请号：CN202211515658.7
申请日：2022-11-28
申请人： 东莞新科技术研究开发有限公司
发明人： 李万品
摘要： 本发明的金刚石粉末的处理方法，包括：清洗金刚石粉末；以及将所述金刚石粉末置于真空腔室内，并在所述真空腔室内采用磁控溅射工艺在所述金刚石粉末的表面上形成金属保护膜，其中所述金属保护膜为Cr或Ti金属。经处理后的金刚石粉末的表面形成金属保护膜，使得金刚石粉末的不平整的棱角凹凸面被钝化，以使金刚石粉末在研磨中不会对产品造成损坏。
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公开(公告)号：CN118125373A
公开(公告)日：2024-06-04
申请号：CN202410544011.X
申请日：2024-05-06
申请人： 港华能源创科(深圳)有限公司 , 清华大学深圳国际研究生院 , 卓度计量技术(深圳)有限公司 , 深圳市汇北川电子技术有限公司
摘要： 本申请公开了一种氢气传感器的制备方法及氢气传感器，方法包括：提供第一衬底；在第一衬底上镀黏附层和金属牺牲层；在金属牺牲层上形成金属层，金属层形成有环境电阻和加热电阻；在金属层上涂覆第一光刻胶，并坚膜形成支撑膜层，第一光刻胶为SU‑8光刻胶；在支撑膜层上涂覆第一光刻胶，并采用光刻技术形成支撑柱层；提供第二衬底；在第二衬底上涂覆粘合剂，并粘合第二衬底和支撑柱层，得到传感器模型；将传感器模型放置于刻蚀液中，使第一衬底脱离金属层。本申请有利于在简化氢气传感器的生产工艺的同时，提高成品的良品率。
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公开(公告)号：CN117832333B
公开(公告)日：2024-05-31
申请号：CN202410246468.2
申请日：2024-03-05
申请人： 龙焱能源科技(杭州)有限公司
IPC分类号： H01L31/18 , C23C14/06 , C23C14/08 , C23C14/18 , C23C14/02 , C23C14/04 , H01L21/02 , H01L31/042
摘要： 本发明公开了一种碲化镉薄膜电池及其制备方法，其中，一种碲化镉薄膜电池的制备方法，包括：在进行TCO镀膜基底深度清洁步骤中，采用溅射工艺的等离子体辉光对TCO镀膜基底的表面进行清洁并同步在TCO镀膜基底表面沉积不连续层；所述不连续层的材质与TCO镀膜基底表层的材质或者与后续制备在TCO镀膜基底表层的层状结构的材质相同。本发明利用溅射工艺的等离子体辉光对TCO表面进行清洁、活化，起到减少TCO层表面缺陷的作用，同时，不连续层可起到增强后续制备在TCO镀膜基底表层的层状结构与TCO镀膜基底表层的结合力的作用，不会作为杂质存在于电池内部，达到提升电池转化效率的效果。
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公开(公告)号：CN116540332B
公开(公告)日：2024-05-31
申请号：CN202310466468.9
申请日：2023-04-26
申请人： 云南驰宏国际锗业有限公司
IPC分类号： G02B1/115 , C23C16/26 , C23C14/30 , C23C14/26 , C23C14/18 , C23C14/06 , C23C14/54 , C23C16/02 , G02B1/14
摘要： 本发明涉及一种红外硫系玻璃镜片及其制备方法，属于光学材料领域。本发明以硫系玻璃镜片为基底，基底的正面由内至外依次设置第一层Ge膜层、第一层ZnSe膜层、第二层Ge膜层、第一层ZnS膜层、第三层Ge膜层、DLC膜层，基底的反面由内至外依次设置第一层Ge膜层、第一层ZnS膜层、第二层Ge膜层、第二层ZnS膜层、第一层YbF3膜层、第三层ZnS膜层。本发明有效提高了硫系玻璃镜片表面的耐摩擦性能、耐腐蚀性能和表面硬度，该硫系玻璃镜片两面镀膜后在8‑12μm波段平均透过率≥92.5%，能通过膜强度环境测试和像质测试，可投入到车载红外镜头应用中，满足使用要求。
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公开(公告)号：CN118086848A
公开(公告)日：2024-05-28
申请号：CN202410259671.3
申请日：2024-03-07
申请人： 重庆文理学院
摘要： 一种核用锆合金表面抗高温氧化复合涂层的制备方法，是通过磁控溅射在锆合金基体表面先制备Cr‑N过渡层，再在过渡层表面制备FeCrAl涂层，形成C‑N/FeCrAl复合涂层。本发明中在锆合金基体表面制备抗FeCrAl氧化涂层时，先制备了Cr‑N为过渡层，再制备了一层FeCrAl涂层，为了提升涂层表面的耐磨性能及结构稳定性，采用高纯度钴靶、铁靶、合金靶材等材料制备双层复合涂层。在高温环境下Cr‑N/FeCrAl界面原位形成连续的AlN扩散阻挡层，阻挡Fe元素向内部扩散，且以及Zr/Cr‑N界面原位形成Zr2N孪晶层可极大减缓Zr元素外扩散，有效阻止Fe‑Zr共晶反应，并降低了FeCrAl涂层的柱状晶结构，提高了涂层的抗氧化性能，制备了Cr‑N/FeCrAl复合涂层的锆合金的在1200℃蒸汽下氧化增重较锆合金下降了56.9%。
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公开(公告)号：CN115011922B
公开(公告)日：2024-05-28
申请号：CN202210733430.9
申请日：2022-06-24
申请人： 中国科学院宁波材料技术与工程研究所
摘要： 本发明公开了一种石墨烯薄膜及由原位非晶碳转为石墨烯薄膜的方法。所述方法包括：采用物理气相沉积技术制备石墨烯薄膜前驱体；其中，所述石墨烯薄膜前驱体包括依次形成于基体表面的原位非晶碳层、镍催化层及氧化铝封孔层；以及，在真空条件下，对所述石墨烯薄膜前驱体进行退火处理，制得石墨烯薄膜。本发明通过原子层沉积的氧化铝封孔层覆盖镍催化层的晶界空隙，控制C的扩散，使C原子在基体上重构原位得到石墨烯，所制备的石墨烯薄膜质量高，均匀性好，同时可以实现大面积制备。
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