发明授权
- 专利标题: 一种碲化镉薄膜电池及其制备方法
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申请号: CN202410246468.2申请日: 2024-03-05
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公开(公告)号: CN117832333B公开(公告)日: 2024-05-31
- 发明人: 徐学雷 , 汤顺伟 , 麻永强
- 申请人: 龙焱能源科技(杭州)有限公司
- 申请人地址: 浙江省杭州市经济技术开发区白杨街道凌云街801号
- 专利权人: 龙焱能源科技(杭州)有限公司
- 当前专利权人: 龙焱能源科技(杭州)有限公司
- 当前专利权人地址: 浙江省杭州市经济技术开发区白杨街道凌云街801号
- 代理机构: 北京三聚阳光知识产权代理有限公司
- 代理商 廖慧敏
- 主分类号: H01L31/18
- IPC分类号: H01L31/18 ; C23C14/06 ; C23C14/08 ; C23C14/18 ; C23C14/02 ; C23C14/04 ; H01L21/02 ; H01L31/042
摘要:
本发明公开了一种碲化镉薄膜电池及其制备方法,其中,一种碲化镉薄膜电池的制备方法,包括:在进行TCO镀膜基底深度清洁步骤中,采用溅射工艺的等离子体辉光对TCO镀膜基底的表面进行清洁并同步在TCO镀膜基底表面沉积不连续层;所述不连续层的材质与TCO镀膜基底表层的材质或者与后续制备在TCO镀膜基底表层的层状结构的材质相同。本发明利用溅射工艺的等离子体辉光对TCO表面进行清洁、活化,起到减少TCO层表面缺陷的作用,同时,不连续层可起到增强后续制备在TCO镀膜基底表层的层状结构与TCO镀膜基底表层的结合力的作用,不会作为杂质存在于电池内部,达到提升电池转化效率的效果。
公开/授权文献
- CN117832333A 一种碲化镉薄膜电池及其制备方法 公开/授权日:2024-04-05
IPC分类: