公开(公告)号：CN103360066A

公开(公告)日：2013-10-23

申请号：CN201310273420.2

申请日：2009-05-28

Applicant: 三菱综合材料株式会社

Inventor： 藤井顺 ,  樱井英章 ,  野口毅 ,  曾山信幸

IPC: C04B35/491 ,  C04B35/472 ,  C04B35/50 ,  H01G4/12 ,  H01G4/20 ,  H01L21/02 ,  H01L21/316 ,  H01L21/318

CPC classification number: H01L41/1876 ,  B05D3/02 ,  B05D3/0209 ,  B05D3/04 ,  B05D3/0406 ,  B05D3/0413 ,  B05D3/0453 ,  B05D3/0473 ,  C01G25/006 ,  C01P2002/50 ,  C01P2006/40 ,  C04B24/40 ,  C04B24/42 ,  C04B35/491 ,  C04B35/493 ,  C04B35/624 ,  C04B35/632 ,  C04B35/6325 ,  C04B2111/92 ,  C04B2235/3224 ,  C04B2235/3225 ,  C04B2235/3227 ,  C04B2235/3229 ,  C04B2235/3232 ,  C04B2235/3293 ,  C04B2235/3298 ,  C04B2235/3418 ,  C04B2235/44 ,  C04B2235/441 ,  C04B2235/443 ,  C04B2235/447 ,  C04B2235/449 ,  C04B2235/6585 ,  C23C18/1204 ,  C23C18/1225 ,  C23C18/1279 ,  C23C30/00 ,  H01B3/14 ,  H01G4/1245 ,  H01G4/206 ,  H01L21/02197 ,  H01L21/02282 ,  H01L21/31691 ,  H01L27/108 ,  H01L27/11502 ,  H01L28/55 ,  H01L41/18 ,  H01L41/1875 ,  H01L41/318

Abstract: 用于形成选自PLZT、PZT及PT的1种强电介质薄膜的、本发明的强电介质薄膜形成用组合物是用于形成采取混合复合金属氧化物形态的薄膜的液态组合物，所述混合复合金属氧化物是在通式（1）：（PbxLay）（ZrzTi（1－z））Ｏ3（式（1）中0.9＜x＜1.3、0≦y＜0.1、0≦z＜0.9）表示的复合金属氧化物A中混合了复合氧化物B或通式（2）CnH2n＋1COOH（其中，3≦n≦7）表示的羧酸B得到的，复合氧化物B含有选自P（磷）、Si、Ce及Bi的1种或2种以上、选自Sn、Sm、Nd及Y（钇）的1种或2种以上。

公开(公告)号：CN103119671A

公开(公告)日：2013-05-22

申请号：CN201180045116.1

申请日：2011-09-21

Applicant: 大金工业株式会社

Inventor： 高明天 ,  向井惠吏 ,  小松信之 ,  横谷幸治 ,  立道麻有子 ,  英翔 ,  北原隆宏 ,  川部琢磨

IPC: H01G4/18 ,  C08F214/26 ,  C08K3/20 ,  C08L27/18 ,  C08L101/00 ,  H01G4/20

CPC classification number: C08F214/26 ,  C08F14/26 ,  C08F214/262 ,  C08J5/18 ,  C08J2327/18 ,  C08K3/22 ,  C08L27/18 ,  H01G4/18 ,  H01G4/20 ,  H01G4/33 ,  C08F2/00

Abstract: 本发明提供可维持偏二氟乙烯系树脂的高介电常数同时可改善电绝缘性、特别是高温下的电学特性的膜电容器用膜。本发明的膜电容器用膜含有四氟乙烯系树脂(a1)作为成膜树脂(A)，该四氟乙烯系树脂(a1)含有偏二氟乙烯单元和四氟乙烯单元，该偏二氟乙烯单元和四氟乙烯单元以偏二氟乙烯单元/四氟乙烯单元(摩尔%比)计为0/100～49/51的范围。

公开(公告)号：CN101578673B

公开(公告)日：2013-03-20

申请号：CN200880001590.2

申请日：2008-01-25

Applicant: 昭和电工株式会社

Inventor： 白川彰彦 ,  光本龙一 ,  时田孝二

IPC: H01G4/20 ,  H01G4/10 ,  H01G4/12 ,  H01G9/052

CPC classification number: H01G4/33 ,  H01G4/1218 ,  H01G4/20 ,  H01G9/0032 ,  H01G9/052 ,  H01G9/07 ,  H05K1/162 ,  H05K2201/0175 ,  H05K2201/0179 ,  H05K2201/0195 ,  H05K2203/0315 ,  Y10T156/10 ,  Y10T428/266

Abstract: 本发明的电容器材料层叠有二氧化钛层和具有钙钛矿型结晶的钛酸化合物层。

公开(公告)号：CN102666682A8

公开(公告)日：2012-12-26

申请号：CN201180004932.8

申请日：2011-01-11

Applicant: 大金工业株式会社

Inventor： 立道麻有子 ,  高野奈菜子 ,  太田美晴 ,  横谷幸治 ,  小松信之 ,  向井惠吏 ,  高明天

IPC: C08J5/18 ,  C08K3/20 ,  C08L27/16 ,  H01B3/00 ,  H01G4/18 ,  H01G4/20

Abstract: 本发明提供高介电性膜，其为含有成膜树脂(A)和无机物颗粒(B)的膜，其中，成膜树脂(A)含有偏二氟乙烯系树脂(a1)；相对于成膜树脂(A)100质量份，无机物颗粒(B)的含量为0.01质量份以上且小于10质量份；并且无机物颗粒(B)为选自由下述(B1)、(B2)和(B3)组成的组中的至少一种，(B1)为周期表2族、3族、4族、12族或13族中的1种金属元素的无机氧化物颗粒、或它们的无机氧化物复合颗粒；(B2)为式(1)M1a1Nb1Oc1(式中，M1为2族金属元素；N为4族金属元素；a1为0.9～1.1；b1为0.9～1.1；c1为2.8～3.2；M1和N分别可以为两种以上金属元素)所示的无机复合氧化物颗粒；(B3)为周期表2族、3族、4族、12族或13族金属元素的氧化物与氧化硅的无机复合氧化物颗粒。该膜在维持VdF系树脂的高相对介电常数的同时提高体积电阻率。

公开(公告)号：CN102265362A

公开(公告)日：2011-11-30

申请号：CN200980152187.4

申请日：2009-12-21

Applicant: 大金工业株式会社

Inventor： 横谷幸治 ,  太田美晴 ,  立道麻有子 ,  小松信之 ,  向井惠吏 ,  高明天

IPC: H01G4/20 ,  C08J5/18 ,  C08K9/04 ,  C08L27/12 ,  C08L101/00 ,  H01B3/00 ,  H01G4/18 ,  H01B17/56

CPC classification number: H01G4/206 ,  C08K9/04 ,  C09D127/16 ,  H01G4/1218 ,  Y10T428/31678

Abstract: 本发明在于提供一种膜电容器用高介电性膜，该膜电容器用高介电性膜不仅以高填充率配合高介电性无机颗粒，而且能够抑制电绝缘性降低，其是通过成形膜电容器用高介电性膜形成组合物而得到的，该膜电容器用高介电性膜形成组合物含有热塑性树脂(A)和以电容率(20℃、1kHz)10以下的低介电性化合物(b2)对电容率(20℃、1kHz)100以上的高介电性无机颗粒(b1)的表面进行表面处理而得到的表面处理高介电性无机颗粒(B)。

公开(公告)号：CN101438359A

公开(公告)日：2009-05-20

申请号：CN200580039016.2

申请日：2005-09-07

Applicant: PST合伙有限责任公司

Inventor： 道格拉斯·G·托尔 ,  乔斯·G·瓦尔加斯 ,  迈克尔·H·格拉夫

IPC: H01G4/20

CPC classification number: H02N1/00 ,  H02N11/00 ,  H02N11/006

Abstract: 本发明提供了一种产生非均匀电场的设备，该非均匀电场可以产生推力，该设备具有由第一导电材料构成的第一电极、由第二导电材料构成与该第一电极相隔开并靠近该第一电极的第二电极以及夹置在该第一和第二电极之间的第一和第二电介质材料，该第一和第二电介质材料分别具有高和低的质量密度。

公开(公告)号：CN1768403A

公开(公告)日：2006-05-03

申请号：CN200380110280.1

申请日：2003-11-18

Applicant: TDK株式会社

Inventor： 坂下幸雄 ,  舟洼浩

IPC: H01G4/33 ,  H01G4/20 ,  H01G4/12 ,  H01L27/04 ,  H01L27/108

CPC classification number: H01G4/33 ,  H01G4/1218 ,  H01G4/20 ,  H01L21/31691

Abstract: 本发明涉及铋层状化合物，该铋层状化合物以任意的混合比含有第1铋层状化合物和第2铋层状化合物，其中第1铋层状化合物在规定的温度范围内的至少一部分温度范围内具有温度上升的同时介电常数也上升的正温度特性；第2铋层状化合物在上述规定的温度范围内的至少一部分温度范围内具有温度上升的同时介电常数降低的负温度特性。具体来说，涉及以组成式CaxSr(1－x)Bi4Ti4O15表示的铋层状化合物。

公开(公告)号：CN1463454A

公开(公告)日：2003-12-24

申请号：CN02802055.3

申请日：2002-06-03

Applicant: 阿维科斯公司

Inventor： 约翰·L·高尔瓦格尼 ,  安德鲁·里特 ,  乔治·科罗尼 ,  桑加·布朗

IPC: H01G4/30 ,  H01G4/005 ,  H01G4/228 ,  H01G4/06 ,  H01G4/20

CPC classification number: H01G2/065 ,  H01G4/232 ,  H01L23/642 ,  H01L2924/0002 ,  H05K1/0231 ,  H01L2924/00

Abstract: 公开了一种用于格栅阵列电容器的改进的低电感端子配置。该改进的端子配置提供了短端子长度，并保持电容元件的侧边无任何结构。通常被焊盘占据的面积减小了，这有利于电路板上更小的芯片间隔。该布置通常包含以交错结构间插的介电和电极层(10)。穿过自选定的电极层(10)延伸的接头(14)钻出通孔，然后填充以适当的导电材料。可直接在此导电材料上布设焊球(24)，提供易于安装在IC上并回流的焊球阵列(BGA)封装芯片。此焊球(24)的成分易于调整以满足特定烧制条件。此电容器芯片还兼容于焊盘格栅阵列(LGA)封装技术。此交错电极结构可用于形成单一的多层电容器或多重分立电容器(30)。此电容器阵列可通过保持外部构造并在内部细分电极(10)而形成。对于多种需要退耦电容器的高频应用而言，所得到的低成本、低电感的电容器是理想的。

公开(公告)号：CN1276089A

公开(公告)日：2000-12-06

申请号：CN97182437.1

申请日：1997-11-10

Applicant: 株式会社日立制作所

Inventor： 生田目俊秀 ,  铃木孝明 ,  东山和寿 ,  大石知司

IPC: H01L21/3205 ,  H01L21/8242 ,  H01L27/10 ,  H01L27/108 ,  H01L27/115 ,  H01L29/94 ,  H01B3/12 ,  H01G4/10 ,  H01G4/12 ,  H01G4/20 ,  C03C10/02 ,  C04B35/47 ,  C04B35/475 ,  B32B18/00

Abstract: 本发明的目的在于通过采用包含绝缘粒子的铁电层,提供具有高Pr和低Ec并且耐电压性能优良的薄膜化的铁电元件。包含绝缘粒子的铁电层可以有效抑制沿晶界产生的漏泄电流,并由此表面出具有高Pr、低Ec及优良的耐电压。铁电元件的结构为铁电层以薄膜的形式夹于电极之间。通过将该铁电元件装进场效应晶体管结构中,可以得到用以检测读出和写入的具有高集成度的半导体装置。

公开(公告)号：CN1179230A

公开(公告)日：1998-04-15

申请号：CN96192789.5

申请日：1996-03-22

Applicant: 美国技术陶瓷公司

Inventor： 理查德·蒙索尔诺

IPC: H01G4/00 ,  H01G4/06 ,  H01G4/20 ,  H01G4/228 ,  H01G4/38 ,  H01G4/30

CPC classification number: H01G4/255 ,  H01G4/06 ,  Y10T29/435

Abstract: 一种电容器(10),包括一个安装在一对介质层(14,16)之间的平面电极层(12)。电极层(12)通常相对于介质层(14,16)对中,并且介质层之一有一对彼此分隔开的导电板(18,20)。电极层(12)埋置于安装了导电板的介质层(14,16)之中,并且导电板(18,20)使在导电板(18,20)之间能产生选择好的电容值。