公开(公告)号：CN102666682A8

公开(公告)日：2012-12-26

申请号：CN201180004932.8

申请日：2011-01-11

Applicant: 大金工业株式会社

Inventor： 立道麻有子 ,  高野奈菜子 ,  太田美晴 ,  横谷幸治 ,  小松信之 ,  向井惠吏 ,  高明天

IPC: C08J5/18 ,  C08K3/20 ,  C08L27/16 ,  H01B3/00 ,  H01G4/18 ,  H01G4/20

Abstract: 本发明提供高介电性膜，其为含有成膜树脂(A)和无机物颗粒(B)的膜，其中，成膜树脂(A)含有偏二氟乙烯系树脂(a1)；相对于成膜树脂(A)100质量份，无机物颗粒(B)的含量为0.01质量份以上且小于10质量份；并且无机物颗粒(B)为选自由下述(B1)、(B2)和(B3)组成的组中的至少一种，(B1)为周期表2族、3族、4族、12族或13族中的1种金属元素的无机氧化物颗粒、或它们的无机氧化物复合颗粒；(B2)为式(1)M1a1Nb1Oc1(式中，M1为2族金属元素；N为4族金属元素；a1为0.9～1.1；b1为0.9～1.1；c1为2.8～3.2；M1和N分别可以为两种以上金属元素)所示的无机复合氧化物颗粒；(B3)为周期表2族、3族、4族、12族或13族金属元素的氧化物与氧化硅的无机复合氧化物颗粒。该膜在维持VdF系树脂的高相对介电常数的同时提高体积电阻率。

公开(公告)号：CN102666682A

公开(公告)日：2012-09-12

申请号：CN201180004932.8

申请日：2011-01-11

Applicant: 大金工业株式会社

Inventor： 立道麻有 ,  高野奈菜子 ,  太田美晴 ,  横谷幸治 ,  小松信之 ,  向井惠吏 ,  高明天

IPC: C08J5/18 ,  C08K3/20 ,  C08L27/16 ,  H01B3/00 ,  H01G4/18 ,  H01G4/20

CPC classification number: H01B3/445 ,  C08J5/18 ,  C08J2327/16 ,  H01G4/1209 ,  H01G4/1254 ,  H01G4/18 ,  H01G4/186 ,  H01G4/20 ,  H01G4/206

Abstract: 本发明提供高介电性膜，其为含有成膜树脂(A)和无机物颗粒(B)的膜，其中，成膜树脂(A)含有偏二氟乙烯系树脂(a1)；相对于成膜树脂(A)100质量份，无机物颗粒(B)的含量为0.01质量份以上且小于10质量份；并且无机物颗粒(B)为选自由下述(B1)、(B2)和(B3)组成的组中的至少一种，(B1)为周期表2族、3族、4族、12族或13族中的1种金属元素的无机氧化物颗粒、或它们的无机氧化物复合颗粒；(B2)为式(1)M1a1Nb1Oc1(式中，M1为2族金属元素；N为4族金属元素；a1为0.9～1.1；b1为0.9～1.1；c1为2.8～3.2；M1和N分别可以为两种以上金属元素)所示的无机复合氧化物颗粒；(B3)为周期表2族、3族、4族、12族或13族金属元素的氧化物与氧化硅的无机复合氧化物颗粒。该膜在维持VdF系树脂的高相对介电常数的同时提高体积电阻率。