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公开(公告)号：CN104066874A
公开(公告)日：2014-09-24
申请号：CN201280067542.X
申请日：2012-12-27
CPC classification number: C30B19/062 , C30B9/06 , C30B9/10 , C30B17/00 , C30B19/04 , C30B19/068 , C30B29/36 , Y10T117/1024
Abstract: 本发明的目的是提供一种与以往相比能够使SiC单晶更快生长的采用熔液法的单晶制造装置所使用的籽晶保持轴、和采用熔液法的单晶制造方法。一种籽晶保持轴，是采用熔液法的单晶制造装置所使用的籽晶保持轴，籽晶保持轴的侧面的至少一部分由具有比籽晶保持轴的反射率大的反射率的反射部件覆盖着，反射部件被配置成在反射部件和保持在籽晶保持轴的端面的籽晶之间空开间隔。
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公开(公告)号：CN103898600A
公开(公告)日：2014-07-02
申请号：CN201410121076.X
申请日：2014-03-28
Applicant: 中国科学院上海技术物理研究所
Abstract: 本发明公开了一种降低GaAs薄膜杂质含量的制备方法，该方法包括母液提纯和外延生长二个步聚，依次是：将原料Ga和GaAs放入石墨舟，抽真空、通氢气，调控上段炉与下段炉形成稳定的温差，开始提纯母液；提纯后，打开阀门，使得石墨舟左侧室上部的母液流入右侧室，调控炉与上段炉温度相同，待母液匀化后，移开档板，插入衬底控制杆至衬底浸入母液，以恒速降温，开始外延生长，结束后拉动控制杆至衬底离开液面，转动控制杆，甩掉残留母液，冷却至室温。本发明的优点是：提纯步骤降低了薄膜的杂质含量，扩大了应用范围，并且工艺简单，可大规模量产。
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公开(公告)号：CN100497754C
公开(公告)日：2009-06-10
申请号：CN200710045151.9
申请日：2007-08-22
Applicant: 中国科学院上海技术物理研究所
Abstract: 本发明公开了一种用于改善碲镉汞液相外延薄膜表面形貌的石墨舟，该石墨舟的特征是将原置于母液槽的前方或后方的汞源槽改为置于母液槽的正上方，两槽之间有通道相通，汞源槽产生的汞蒸气通过通道从母液槽的顶面向母液补充汞，使得汞源槽产生的汞蒸气对母液的补充更为均匀，从而母液上方的压力更为均匀，同时母液槽前后方的结构相似，促使母液槽周围的温场更为均匀。本发明的优点是：可以最大程度上消除压力和温场的不均匀，减缓母液对流，从而降低外延材料表面的波纹。
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公开(公告)号：CN101225542A
公开(公告)日：2008-07-23
申请号：CN200710047621.5
申请日：2007-10-31
Applicant: 中国科学院上海技术物理研究所
IPC: C30B19/06
Abstract: 本发明公开了一种防止母液粘舟的液相外延石墨舟，该石墨舟主要包括：底座、底板、滑移块和回收舟，其中底座的中间开有凹槽；底板嵌入底座的凹槽内，它的中间开有放置回收舟和衬底的两个空腔孔，回收舟空腔内放置用来回收废弃母液的石墨回收舟，衬底空腔的下半部放置用来调节衬底高度的石墨垫片，衬底放在石墨垫片的上面；滑移块位于底板的上方，可以水平方向自由滑移，它的中间开有数个等间隔的母液槽，用来放置不同组分的薄膜生长母液，母液槽的上方盖着石墨盖板。本发明的优点是：外延薄膜生长后母液能够与石墨舟分离，避免了冷却过程中母液与石墨舟的粘连，解决了其它石墨舟无法生长母液粘舟的薄膜生长体系的难题。
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公开(公告)号：CN1570224A
公开(公告)日：2005-01-26
申请号：CN03133733.3
申请日：2003-07-16
Applicant: 中国科学院金属研究所
Abstract: 本发明涉及单晶高温合金的制备技术，特别提供了一种籽晶起始端抑制杂晶形成和长大的方法及模壳结构。其方法是以籽晶法为基础，预置籽晶于模壳内，在起始端设一缩颈结构，抑制籽晶生长的起始端形成的杂晶，使合金熔体在籽晶的未熔化界面上以外延生长的方式长成单晶。所用模壳结构为预置籽晶的模壳结构，在模壳底部设一缩颈结构，于籽晶生长起始部位的上方。本发明是将以往的籽晶法起始端设计与缩颈选晶器的设计结合起来，从而这样既可以对单晶生长的起始过程出现的杂晶进行抑制和排除，又可以保证获得所需的晶体取向，提高单晶生长的成功率。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN119585227A
公开(公告)日：2025-03-07
申请号：CN202380055955.4
申请日：2023-07-05
Applicant: 西格里碳素欧洲公司
Inventor： 克里斯蒂安·蒂勒曼 , 查尔斯·威加雅瓦德哈纳 , 乌尔班·福斯伯格 , 亨里克·佩德森
IPC: C04B41/00 , C04B41/50 , C04B41/52 , C04B41/87 , C30B19/06 , C30B29/36 , C30B29/40 , C30B35/00 , C23C16/14 , C23C16/32 , C23C16/56 , C04B111/00
Abstract: 在第一方面，本公开涉及一种用碳化钽涂层涂覆碳质基材的气相沉积方法，其中所述方法包括涂覆步骤。所述涂覆步骤包括将碳质基材放入反应室中，将所述反应室加热至约1100°C至约1500°C之间的温度，持续时间为约1小时至约24小时。所述涂覆步骤还包括向所述反应室供应工艺气体，其中所述工艺气体包含含卤化物物质，并且其中在工艺开始后至少15分钟内，所述工艺气体包含少于4原子%的碳和少于10体积%的H2。此外，所述涂覆步骤包括向所述反应室供应含钽物质，或将包含钽的固体放入所述反应室中。替代地，所述方法包括将包含钽卤化物的固体放入所述反应室中。
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公开(公告)号：CN119530981A
公开(公告)日：2025-02-28
申请号：CN202411611960.1
申请日：2024-11-13
Applicant: 中国电子科技集团公司第十一研究所
Abstract: 本申请公开了一种辅助液相外延碲镉汞材料外延后的取片装置及方法，涉及半导体薄膜制备技术，所述取片装置呈条状，包括：凸起(101)，设置在规格调整套环(103)范围内，用于与衬底槽相抵；规格调整套环(103)，适配于目标碲镉汞外延片的尺寸包括相应的规格，用于套设在所述凸起(101)上；侧边挡板(102)，设置在所述取片装置的两侧，用于固定石墨舟滑条。本申请实施例辅助取片装置及取片方法能够降低取片时出现裂纹、裂片的概率，保证碲镉汞外延片的完整性。
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公开(公告)号：CN118374873A
公开(公告)日：2024-07-23
申请号：CN202410333791.3
申请日：2024-03-22
Applicant: 厦门韫茂科技有限公司
IPC: C30B19/06 , C30B19/10 , C30B29/36 , H01L21/677 , H01L21/67
Abstract: 本发明提供了一种外延SIC自动传片设备及自动传片方法，涉及半导体加工设备技术领域。包括传片平台，所述传片平台上设置有上料装置、OCR识别装置、第一机械手、第二机械手、加载装置以及下料装置，其中，所述第二机械手适于在加载时将上料装置内的衬底抓取至所述OCR识别装置识别后放置到所述加载装置内，同时能在卸载时将加载装置内的外延片从运送至所述下料装置内；所述第一机械手设置于反应腔周侧以在加载时将衬底从所述加载装置抓取至反应腔内，并能在卸载时将加工完毕的外延片从所述反应腔内运送回所述加载装置内。通过本发明方案可以使得传片实现自动化。
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公开(公告)号：CN116180218A
公开(公告)日：2023-05-30
申请号：CN202310308311.3
申请日：2022-06-07
Applicant: 眉山博雅新材料股份有限公司
Abstract: 本说明书实施例提供一种晶体制备装置，用于液相法制备晶体，该装置包括：生长腔体，生长腔体内设置至少一层板组件，其中，至少一层板组件上包括通孔；对于至少一层板组件中的至少一个，通孔的开口面积总和与板组件的上表面面积的比值在30％‑80％范围内；加热组件，用于加热生长腔体；连接组件，用于连接籽晶托以支撑籽晶；以及动力组件，用于带动连接组件旋转和/或上下运动，以带动籽晶托旋转和/或上下运动。
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公开(公告)号：CN114150374B
公开(公告)日：2023-02-28
申请号：CN202111495981.8
申请日：2021-12-08
Applicant: 北京世纪金光半导体有限公司
Abstract: 本发明提供了一种高产量氮化铝单晶的液相生长结构及生长方法，包括碳化钽坩埚、通气管、石墨棒以及碳化钽墨盖；碳化钽坩埚上宽下窄的圆台结构，圆台结构底面放置有Al面朝上的氮化铝籽晶，通过特殊粘接工艺粘接在了该圆台上；石墨棒的底部粘结有氮化铝籽晶；碳化钽盖加盖在碳化钽坩埚的顶部，通气管穿过碳化钽盖伸入碳化钽坩埚内，石墨棒固定在炉腔的上提拉结构上并伸入碳化钽坩埚内。本发明中使用顶部籽晶加底部籽晶双籽晶的方法，本发明3段独立加热器，将高温位置放在坩埚中段，使得料源分别在顶部和底部籽晶上开始结晶。
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