公开(公告)号：CN104388092A

公开(公告)日：2015-03-04

申请号：CN201410597345.X

申请日：2014-10-30

申请人： 瑞德兴阳新能源技术有限公司

发明人： 郑贵忠 ,  张杨 ,  陈升阳 ,  李威 ,  杨翠柏 ,  王智勇 ,  吴步宁

IPC分类号： C09K13/04 ,  C23F1/30

摘要： 本发明公开了一种Ⅲ-Ⅴ半导体材料非选择性湿法腐蚀液及制备方法与应用，该腐蚀液中各组成成份的重量百分比为：4％-8％重铬酸钾、18％-51％浓盐酸、36％-66％磷酸、8％-9％去离子水，通过该腐蚀液可实现以GaAs体系、InP体系、Ⅲ-Ⅴ族所组合而成的单质、二元、三元、四元等为代表多元化合物材料的非选择性湿法腐蚀，同时也可实现对Ge衬底、Au/Ag/AuGeNi等金属材料的非选择性湿法腐蚀，该腐蚀配方不受外延参杂浓度的影响。本发明所述腐蚀液只需一道光刻保护即可完成，腐蚀偏差可控制在±4％以内，优于同类干法刻蚀工艺，且工艺简单、稳定、易行、物料成本低，适用于工业生产和实验室使用。

公开(公告)号：CN103210058A

公开(公告)日：2013-07-17

申请号：CN201180052357.9

申请日：2011-03-11

申请人： 第一毛织株式会社

发明人： 沈在俊

IPC分类号： C09K13/04 ,  C23F1/10

CPC分类号： C09K13/06 ,  C23F1/00 ,  C23F1/02 ,  C23F1/20 ,  H01L21/30604

摘要： 本发明的蚀刻膏包括:(a)有机粘合剂;(b)磷酸;(c)含氮化合物;以及(d)溶剂，并且所述(c)含氮化合物是选自胺类化合物或铵类化合物的一种或多种这类化合物。所述蚀刻膏可实现精细的线宽、具有优良的蚀刻特性，并且可以改善由蚀刻膏引起的对于设备的损害。

公开(公告)号：CN103098265A

公开(公告)日：2013-05-08

申请号：CN201180028256.8

申请日：2011-04-08

申请人： 奈克松有限公司

发明人： M·格林 ,  F-M·刘 ,  Y·江 ,  V·E·D·史蒂文斯 ,  B·O·米尔斯-兰普泰

IPC分类号： H01M4/38 ,  C09K13/04 ,  C09K13/08 ,  H01M4/04

CPC分类号： C23F1/16 ,  C09K13/08 ,  H01L21/30604 ,  H01M4/0492 ,  H01M4/38

摘要： 本发明提供了处理硅以形成柱（见图2）、尤其是用作Li-离子电池中的活性阳极材料的柱的方法。该方法在工业规模下的运行简单，因为其使用仅含少数需要控制浓度的成分的溶液，并且其比之前的方法运行成本更低。蚀刻溶液包含：0.01至5M HF；0.002至0.2M的金属离子，该金属离子能够在硅表面上成核并形成包含金属单质区的多孔层；0.001至0.7M的氧化剂，该氧化剂选自O2，O3，H2O2，NO3-，S2O82-，NO2-、B4O72-和ClO4-的酸、铵盐或碱金属盐或它们的混合物。合适地从该溶液中取出处理过的硅。通过所述方法蚀刻的粒子或纤维可以以复合材料的形式用于活性电极材料中。

公开(公告)号：CN102796526A

公开(公告)日：2012-11-28

申请号：CN201210274330.0

申请日：2012-08-02

申请人： 中国电子科技集团公司第四十六研究所

发明人： 林健 ,  赵权 ,  刘春香 ,  吕菲 ,  杨洪星 ,  于妍 ,  佟丽英

IPC分类号： C09K13/04 ,  C30B33/10

摘要： 本发明公开了一种腐蚀磷化铟单晶片的腐蚀液和腐蚀方法，该腐蚀液的原料包括硫酸、双氧水、水；以体积百分比计算，所述硫酸、所述双氧水和所述水的比例为（4-6）：（1-3）：（1-2）。本发明还提供了磷化铟单晶片的化学腐蚀方法，该腐蚀方法包括以下步骤：将磷化铟单晶片放在夹具上；将硫酸、双氧水、水按照硫酸：双氧水：水=（4-6）：（1-3）：（1-2）的配比配制腐蚀液；当所述容器内腐蚀液达到60-75度的腐蚀温度时，将夹有所述磷化铟单晶片的所述夹具放入所述腐蚀液中，进行腐蚀，腐蚀时间为2-6分钟；将所述磷化铟单晶片取出，迅速放入去离子水中清洗。本发明能够有效解决磷化铟单晶片在切、磨等加工过程中产生的表面机械损伤的问题。

公开(公告)号：CN101490310B

公开(公告)日：2011-05-11

申请号：CN200780027367.0

申请日：2007-05-21

申请人： 荏原优莱特科技股份有限公司

发明人： 仓持保之 ,  中山香织

IPC分类号： C23C18/28 ,  C09K13/04 ,  C23C18/30

CPC分类号： C23C18/28 ,  C23C18/30

摘要： 本发明提供一种在无铬的塑料表面的金属化工艺中，能够在塑料表面上形成充分附着的镀膜，而且不会在夹具上沉积镀膜的、实用性高的塑料表面的金属化方法。该方法是塑料表面的金属化方法，其特征在于，用含有高锰酸盐和无机酸的蚀刻处理液对塑料进行处理，接着，对于经过上述处理的塑料，用含有对该塑料表面上露出的官能团具有选择吸附性的化合物的催化剂赋予增强液进行处理，进而，用催化剂赋予处理液向被上述催化剂赋予增强液处理过的塑料赋予催化剂，然后，对上述赋予了催化剂的塑料实施金属镀覆。

公开(公告)号：CN102044420A

公开(公告)日：2011-05-04

申请号：CN200910201684.0

申请日：2009-10-15

申请人： 上海华虹NEC电子有限公司

发明人： 陈福成

IPC分类号： H01L21/266 ,  H01L21/314 ,  H01L21/28 ,  C09K13/04 ,  C09K13/08

摘要： 本发明公开了一种多晶硅离子注入工艺，所述多晶硅层之下为隧穿氧化层，所述多晶硅层之上为氧化物-氮化物-氧化物层；包括如下步骤：第1步，在多晶硅层上淀积一层保护层；第2步，在保护层上采用光刻工艺形成离子注入窗口；第3步，采用离子注入工艺进行p型或n型杂质注入，在离子注入窗口中的多晶硅上形成离子注入层；第4步，采用干法刻蚀工艺去除光刻胶；第5步，采用湿法腐蚀工艺去除保护层。本发明有利于保护多晶硅层的厚度和上表面形态，适合应用于多晶硅层之下具有隧穿氧化层、多晶硅层之上具有ONO层的器件制造工艺之中，特别适合应用于SiGe异质结MOS器件、BCD工艺制造的MOS器件、或EEPROM器件的制造。

公开(公告)号：CN101331595B

公开(公告)日：2010-08-11

申请号：CN200680047518.4

申请日：2006-09-15

申请人： 麦克德米德有限公司

发明人： 史蒂芬·A·卡斯塔尔迪 ,  冯可盛 ,  奈尔什·卡帕迪亚

IPC分类号： H01L21/306 ,  C09K13/06 ,  C09K13/04

CPC分类号： C23F1/18 ,  C23F1/16 ,  H01L21/32134 ,  H05K3/383 ,  H05K2203/122

摘要： 本发明涉及一种微蚀刻组合物及使用它的方法。该微蚀刻组合物包含铜离子源、酸、腈化合物和卤离子源。包括有机溶剂、钼离子源、胺、多胺和丙烯酰胺在内的其它添加剂也可包含在本发明的组合物中。本发明还涉及一种微蚀刻铜或铜合金表面以增加铜表面对聚合材料的黏附性的方法，其包括使铜或铜合金表面与本发明的组合物接触，然后将聚合材料黏结至铜或铜合金表面的步骤。

公开(公告)号：CN101550341A

公开(公告)日：2009-10-07

申请号：CN200910022456.7

申请日：2009-05-12

申请人： 西安宝莱特光电科技有限公司

发明人： 赵炜 ,  马介渊 ,  付永山 ,  李翌辉

IPC分类号： C09K13/04

摘要： 本发明涉及ITO导电膜图形蚀刻的蚀刻液组合物。常见用于湿法蚀刻的蚀刻液有：①盐酸和硝酸水溶液(王水)；②三氯化铁水溶液；③锌粉加盐酸溶液；④碘酸水溶液；⑤磷酸水溶液；⑥草酸水溶液；⑦溴化氢水溶液等；但上述蚀刻液存在一些缺点。本发明的目的是提供一种ITO导电膜图形蚀刻的蚀刻液组合物，蚀刻液的配方为：盐酸和三氯化铁水溶液，其中盐酸浓度范围为0.01～12.0mol/L，三氯化铁浓度范围为0.01～5.0mol/L。该蚀刻液配方的蚀刻液蚀刻速度适中，反应稳定，无残留，蚀刻后的电极图形边缘整齐，基本无侧蚀现象。其工艺稳定、操作方便、价格便宜，从而可有效提高ITO导电膜图形化工艺的质量和降低工业化生产成本。

公开(公告)号：CN100435292C

公开(公告)日：2008-11-19

申请号：CN200610111350.0

申请日：2006-08-24

申请人： 长春理工大学

发明人： 张晶 ,  高欣 ,  姜立国 ,  李辉 ,  曲轶 ,  刘国军 ,  薄报学

IPC分类号： H01L21/306 ,  C23F1/16 ,  C09K13/04

摘要： 一种GaAs/AlGaAs晶体材料的非选择腐蚀方法，属于半导体器件制造技术领域。现有腐蚀方法采用的腐蚀液主要有H2SO4∶H2O2∶H2O体积比分别为1∶8∶8或者3∶3∶1，以及H3PO4∶H2O2∶H2O的体积比分别为1∶1∶10或者1∶1∶5的腐蚀液，在室温或者冰点温度腐蚀，腐蚀液静止。通常适于条形半导体器件的制作，尚不能腐蚀出符合要求的圆形。本发明之腐蚀方法采用由H3PO4和H2O2两种组分组成，各组分的体积比为H3PO4∶H2O2＝10～25∶1的腐蚀液，在30～60℃温度下腐蚀，同时搅动腐蚀液。实现了非选择性腐蚀。本发明可应用于GaAs/AlGaAs半导体器件的制作过程中。

公开(公告)号：CN101298322A

公开(公告)日：2008-11-05

申请号：CN200810081192.8

申请日：2008-03-14

申请人： 尼鲁工艺技术公司

发明人： 斯科尔斯·莱因哈德·尤威 ,  路易麦科·雷·瑟西

IPC分类号： C01B25/234 ,  C03C15/00 ,  C09K13/04

CPC分类号： C01B25/234 ,  C01B25/238

摘要： 本发明涉及通过悬浮液基熔融结晶净化或回收富正磷酸液流的方法。正磷酸以半水合物的形式结晶，这类晶体随后在洗涤柱内被分离，生成高纯度酸/水溶液。该溶液已耗尽除水之外的大部分金属和杂质，由此将富正磷酸进料液分离成超纯正磷酸半水合物、以及含有几乎所有最初存在于进料中的杂质的母液。富正磷酸进料液典型地含有重量百分比不超过15％的水、以及重量百分比不超过1％的其他杂质。净化正磷酸产品中单独金属离子的含量范围为每种金属离子100ppb至1000ppb(parts per billion＝1/1000ppm)。因而生成的净化产品的金属离子含量典型地低于典型分析设备的探测界限。