基于分组蒸馏降低初始密钥不一致率的方法

    公开(公告)号:CN116707797A

    公开(公告)日:2023-09-05

    申请号:CN202310822058.3

    申请日:2023-07-06

    摘要: 本发明公开了一种基于分组蒸馏降低初始密钥不一致率的方法,属于通信安全领域,所述方法由密钥提取系统执行,该方法包括:首先由大气激光通信双方Alice端和Bob端分别采集上行和下行链路的光信号强度测量值,所述上行和下行链路的光信号强度测量值经过量化之后分别得到一串二进制比特序列;然后Alice端和Bob端分别对这两串比特序列进行样本分组划分,得到量化后的初始比特样本组,大气激光通信双方Alice端和Bob端再对每个所述的初始比特样本组进行蒸馏处理,最终得到失配率降低到能够用来密钥协商的标准的比特序列。该方法不涉及初始比特信息的交换,可以保证密钥的安全性,并且操作简单。

    随机调制-滑动窗实现大气光信道样本去相关设备及方法

    公开(公告)号:CN118590144A

    公开(公告)日:2024-09-03

    申请号:CN202411047476.0

    申请日:2024-08-01

    IPC分类号: H04B10/11 H04B10/40 H04B10/54

    摘要: 本发明随机调制‑滑动窗实现大气光信道样本去相关设备及方法,属于信息安全技术领域,特别涉及到一种大气光信道测量样本去相关设备及其工作方法,包括基于随机调制‑滑动窗实现大气光信道测量样本去相关的设备及基于随机调制‑滑动窗实现大气光信道测量样本去相关的方法;本申请借助伪随机OOK调制二进制序列本身的性质,对其进行预处理操作,消除低电平信号对于测量样本的影响,同时保留了伪随机序列对测量样本去相关的效果。有助于实现调制信号针对测量样本去相关的同时排除掉了电光调制器偏置电压导致调制信号的非线性失真的影响,保持经过随机调制的光信号在大气信道中双端接收测量样本互易性。

    单管前端双光束平行输出超辐射发光二极管

    公开(公告)号:CN114094437B

    公开(公告)日:2023-02-03

    申请号:CN202111375895.3

    申请日:2021-11-19

    IPC分类号: H01L33/00 H01L33/44

    摘要: 单管前端双光束平行输出超辐射发光二极管属于半导体发光器件技术领域。现有技术存在其不足,包括:存在光能损失;工艺难度大;光输出功率难以提高;多光束平行度难以保证。本发明其特征在于,由上波导、上限制层、覆盖层、上电极构成所述超辐射发光二极管的组合波导,所述组合波导由一个曲率渐变区域波导与两个输出波导构成,两个输出波导走向彼此平行,且分别位于曲率渐变区域波导的前左端、前右端,曲率渐变区域波导的俯视形状为由一条曲率渐变曲线和一条直线围拢的图形,所述组合波导在主体上一次刻蚀而成,有源层前端面与所述两个输出波导各自的前端面对应的部分均为出光窗口,两个出光窗口制作有相同的抗反射涂层。

    前端双窗口双光束小夹角输出超辐射发光二极管

    公开(公告)号:CN114005923A

    公开(公告)日:2022-02-01

    申请号:CN202111384519.0

    申请日:2021-11-19

    IPC分类号: H01L33/50 H01L33/54

    摘要: 前端双窗口双光束小夹角输出超辐射发光二极管属于半导体发光器件技术领域。现有技术存在光能损失,工艺难度大,光输出功率难以提高。在本发明中,由下电极、衬底、下限制层、下波导、有源层构成超辐射发光二极管的立方体状主体,所述主体的各层长度、宽度相同,厚度不同;其特征在于,由上波导、上限制层、覆盖层、上电极构成超辐射发光二极管的前端双窗口斜波导,所述前端双窗口斜波导由两段斜波导和一段弯曲波导构成,且在主体上一次刻蚀而成,有源层前端面与所述两段斜波导各自的前端面对应的部分均为出光窗口,两个出光窗口制作有相同的抗反射涂层。

    一种高功率半导体激光器芯片焊装方法

    公开(公告)号:CN107809055A

    公开(公告)日:2018-03-16

    申请号:CN201711330632.4

    申请日:2017-12-14

    IPC分类号: H01S5/022

    CPC分类号: H01S5/02272

    摘要: 一种高功率半导体激光器芯片焊装方法,属于激光技术领域。该领域已知技术难以有效避免激光器芯片焊装空洞的产生,使高功率半导体激光器的工作性能受到限制。本发明基于焊料毛细作用的半导体激光器芯片焊装方法,填充缝隙的焊料纯度高,焊料与焊接面的浸润性好,避免了由于焊料氧化、污染造成的焊料层空洞的产生,从而可明显改善激光器芯片的散热特性,提高激光器的工作性能。

    一种在传统SLD倾斜脊形波导基础上的单侧模斑转换器结构

    公开(公告)号:CN107748411A

    公开(公告)日:2018-03-02

    申请号:CN201710904277.0

    申请日:2017-09-29

    IPC分类号: G02B6/14 G02B6/122

    摘要: 已知传统SLD倾斜脊形波导不足之处:一是光斑呈现椭圆形分布,导致耦合输出效率和对准容差很低,需要应用各种光学系统对其校正,但最终的耦合复杂且低效,器件耦合封装成本很高;二是倾斜脊形波导的采用使得出射光向波导倾斜方向偏折,偏折角度随着器件温度的升高而增大。本发明在传统SLD倾斜脊形波导基础上在脊形电极倾斜角的反方向一侧引入模斑转换器结构,以达到增加一侧光场,拉大横向光场的目的,扩大器件近场光斑尺寸的同时使光斑趋于圆对称化。在传统SLD脊形波导的基础上,调整芯片光斑大小和光斑形状,解决器件芯片与光纤之间的模斑大小和形状不匹配的问题,并且不需要应用各种光学系统对其校正,从而降低器件耦合封装成本。

    一种半导体激光器腔面钝化方法

    公开(公告)号:CN105633793A

    公开(公告)日:2016-06-01

    申请号:CN201610184071.0

    申请日:2016-03-28

    IPC分类号: H01S5/028

    CPC分类号: H01S5/0282

    摘要: 一种半导体激光器腔面钝化方法,属于激光技术领域。该领域已知技术难以有效满足高功率半导体激光器腔面钝化的技术要求,使半导体激光器在高功率条件下的工作稳定性受到限制。本发明采用短波激光激发钝化气体分子离化,在较低的温度条件下使钝化气体与GaAs半导体激光器腔面发生化学反应,生成具有高化学稳定性的表面层,该表面层对GaAs半导体激光器腔面的内部结构起到保护作用,从而改善GaAs半导体激光器腔面在环境气氛中高功率工作的可靠性。该方法可应用于各类GaAs基高功率半导体激光器的制造。