公开(公告)号：CN1909192A

公开(公告)日：2007-02-07

申请号：CN200610111350.0

申请日：2006-08-24

申请人： 长春理工大学

发明人： 张晶 ,  高欣 ,  姜立国 ,  李辉 ,  曲轶 ,  刘国军 ,  薄报学

IPC分类号： H01L21/306 ,  C23F1/16 ,  C09K13/04

摘要： 一种GaAs/AlGaAs晶体材料的非选择腐蚀方法，属于半导体器件制造技术领域。现有腐蚀方法采用的腐蚀液主要有H2SO4∶H2O2∶H2O体积比分别为1∶8∶8或者3∶3∶1，以及H3PO4∶H2O2∶H2O的体积比分别为1∶1∶10或者1∶1∶5的腐蚀液，在室温或者冰点温度腐蚀，腐蚀液静止。通常适于条形半导体器件的制作，尚不能腐蚀出符合要求的圆形。本发明之腐蚀方法采用由H3PO4和H2O2两种组分组成，各组分的体积比为H3PO4∶H2O2＝10～25∶1的腐蚀液，在30～60℃温度下腐蚀，同时搅动腐蚀液。实现了非选择性腐蚀。本发明可应用于GaAs/AlGaAs半导体器件的制作过程中。

公开(公告)号：CN100435292C

公开(公告)日：2008-11-19

申请号：CN200610111350.0

申请日：2006-08-24

申请人： 长春理工大学

发明人： 张晶 ,  高欣 ,  姜立国 ,  李辉 ,  曲轶 ,  刘国军 ,  薄报学

IPC分类号： H01L21/306 ,  C23F1/16 ,  C09K13/04

摘要： 一种GaAs/AlGaAs晶体材料的非选择腐蚀方法，属于半导体器件制造技术领域。现有腐蚀方法采用的腐蚀液主要有H2SO4∶H2O2∶H2O体积比分别为1∶8∶8或者3∶3∶1，以及H3PO4∶H2O2∶H2O的体积比分别为1∶1∶10或者1∶1∶5的腐蚀液，在室温或者冰点温度腐蚀，腐蚀液静止。通常适于条形半导体器件的制作，尚不能腐蚀出符合要求的圆形。本发明之腐蚀方法采用由H3PO4和H2O2两种组分组成，各组分的体积比为H3PO4∶H2O2＝10～25∶1的腐蚀液，在30～60℃温度下腐蚀，同时搅动腐蚀液。实现了非选择性腐蚀。本发明可应用于GaAs/AlGaAs半导体器件的制作过程中。