公开(公告)号：CN106856164A

公开(公告)日：2017-06-16

申请号：CN201611243584.0

申请日：2016-12-29

Applicant: 苏州纳维科技有限公司

Inventor： 徐俞 ,  王建峰 ,  徐科

IPC: H01L21/20

CPC classification number: H01L21/0237 ,  H01L21/0243 ,  H01L21/02444 ,  H01L21/02499

Abstract: 本发明提供了一种外延用图形化衬底，包括碳化硅层，所述碳化硅层的表面覆盖有图形化的石墨烯薄膜，所述石墨烯薄膜在与碳化硅层表面原子台阶所对应的位置具有窗口。本发明还提供了一种外延用图形化衬底的制作方法，包括如下步骤：提供一衬底，所述衬底表面为碳化硅材料；对所述碳化硅材料实施退火使硅析出，从而在碳化硅材料的表面获得石墨烯薄膜；刻蚀石墨烯薄膜，使上述石墨烯薄膜在与碳化硅层表面原子台阶所对应的位置形成窗口。

公开(公告)号：CN102557017B

公开(公告)日：2017-04-12

申请号：CN201110389290.X

申请日：2011-11-30

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 崔秉龙 ,  李银京 ,  黄同穆

IPC: C01B32/184 ,  B82Y30/00 ,  B82Y40/00

CPC classification number: H01L21/02381 ,  C01B32/182 ,  H01L21/02428 ,  H01L21/02444 ,  H01L21/0245 ,  H01L21/02502 ,  H01L21/02505 ,  H01L21/02527 ,  H01L21/0259 ,  H01L21/02606 ,  H01L21/02664 ,  Y10T428/13 ,  Y10T428/24273 ,  Y10T428/24479 ,  Y10T428/30

Abstract: 本发明提供了石墨烯结构及其形成方法。该石墨烯结构可以包括以三维(3D)形状形成的石墨烯，例如柱形、堆叠结构和三维连接的结构。石墨烯结构可以通过使用锗(Ge)形成。

公开(公告)号：CN103377876B

公开(公告)日：2016-12-14

申请号：CN201210122535.7

申请日：2012-04-25

Applicant: 清华大学 ,  鸿富锦精密工业(深圳)有限公司

Inventor： 魏洋 ,  范守善

IPC: H01L21/02 ,  H01L33/00

CPC classification number: H01L21/02439 ,  B82Y30/00 ,  B82Y40/00 ,  C01B32/188 ,  H01L21/0237 ,  H01L21/0242 ,  H01L21/0243 ,  H01L21/02444 ,  H01L21/02538 ,  H01L21/02642 ,  H01L21/02647 ,  H01L33/007 ,  H01L33/22 ,  Y10S977/734 ,  Y10S977/742

Abstract: 本发明涉及一种外延结构体的制备方法，其包括以下步骤：提供一基底，该基底具有一外延生长面；处理所述外延生长面，形成多个凹槽，从而形成一图案化的表面；在所述图案化的表面设置一石墨烯层，所述石墨烯层具有多个空隙；在所述基底设置有石墨烯层的外延生长面生长一外延层。

公开(公告)号：CN106057642A

公开(公告)日：2016-10-26

申请号：CN201610366294.9

申请日：2016-05-27

Applicant: 清华大学

Inventor： 王子巍 ,  肖磊 ,  王敬 ,  梁仁荣 ,  许军

IPC: H01L21/02 ,  H01L31/18 ,  H01L33/00 ,  H01L33/16 ,  H01L31/0392

CPC classification number: Y02E10/50 ,  Y02P70/521 ,  H01L21/02502 ,  H01L21/02444 ,  H01L21/02483 ,  H01L21/02516 ,  H01L21/02532 ,  H01L21/02609 ,  H01L21/02631 ,  H01L31/03921 ,  H01L31/1808 ,  H01L33/0054 ,  H01L33/16

Abstract: 本发明公开了半导体结构以及制备半导体结构的方法。该方法包括：(1)提供衬底；(2)在所述衬底上表面形成石墨烯层；(3)在所述石墨烯层的上表面通过溅射沉积，形成稀土氧化物层；(4)在所述稀土氧化物类单晶层远离所述衬底的一侧形成半导体层，其中，所述稀土氧化物层以及所述半导体层具有晶体择优取向。由此，可以降低制备成本，简化制备工艺，并获得具有晶体择优取向的稀土氧化物结构。石墨烯层以及适当的溅射条件能够诱导稀土氧化物层形成晶体的择优取向，并且，具有晶体择优取向的稀土氧化物层能够诱导半导体层的形成，使形成的半导体层中的晶格排列也具有择优取向性。

公开(公告)号：CN103378223B

公开(公告)日：2016-07-06

申请号：CN201210122583.6

申请日：2012-04-25

Applicant: 清华大学 ,  鸿富锦精密工业(深圳)有限公司

Inventor： 魏洋 ,  范守善

IPC: H01L33/00 ,  H01L21/20 ,  H01L33/12

CPC classification number: H01L21/02518 ,  H01L21/0237 ,  H01L21/02439 ,  H01L21/02444 ,  H01L21/02494 ,  H01L21/02499 ,  H01L21/02502 ,  H01L21/02513 ,  H01L21/02521

Abstract: 本发明涉及一种外延结构体的制备方法，其包括以下步骤：提供一基底，该基底具有一支持外延生长的外延生长面；在所述外延生长面生长一第一外延层；在所述第一外延层远离基底的表面设置一石墨烯层，所述石墨烯层具有多个空隙；以及在所述设置有石墨烯层的第一外延层表面生长一第二外延层。

公开(公告)号：CN103378224B

公开(公告)日：2016-06-29

申请号：CN201210122618.6

申请日：2012-04-25

Applicant: 清华大学 ,  鸿富锦精密工业(深圳)有限公司

Inventor： 魏洋 ,  范守善

IPC: H01L33/00

CPC classification number: H01L21/36 ,  B82Y30/00 ,  B82Y40/00 ,  C01B32/188 ,  C30B23/02 ,  C30B25/02 ,  C30B29/02 ,  H01L21/0237 ,  H01L21/02444 ,  H01L21/02499 ,  H01L21/0254 ,  H01L21/02642 ,  H01L21/02647 ,  H01L33/005

Abstract: 本发明涉及一种外延结构的制备方法，其包括以下步骤：提供一基底，该基底具有一支持外延层生长的外延生长面；在所述基底的外延生长面设置一石墨烯层，所述石墨烯层使所述外延生长面部分被覆盖且部分被暴露；以及在基底的外延生长面被暴露的部分生长外延层。

公开(公告)号：CN103378237B

公开(公告)日：2016-04-13

申请号：CN201210122543.1

申请日：2012-04-25

Applicant: 清华大学 ,  鸿富锦精密工业(深圳)有限公司

Inventor： 魏洋 ,  范守善

IPC: H01L33/02 ,  H01L33/12 ,  H01L33/00 ,  H01L21/02

CPC classification number: H01L29/1606 ,  H01L21/0237 ,  H01L21/02444 ,  H01L21/02458 ,  H01L21/02513 ,  H01L21/0254 ,  H01L21/0262 ,  H01L21/02642 ,  H01L21/02647 ,  H01L21/02658

Abstract: 本发明涉及一种外延结构，其包括：一基底，该基底具有一外延生长面，以及一外延层形成于所述基底的外延生长面，其特征在于，进一步包括一石墨烯层设置于所述外延层与基底之间。

公开(公告)号：CN103367569B

公开(公告)日：2016-01-20

申请号：CN201210085266.1

申请日：2012-03-28

Applicant: 清华大学 ,  鸿富锦精密工业(深圳)有限公司

Inventor： 魏洋 ,  范守善

IPC: H01L33/02 ,  H01L33/12 ,  H01L33/22

CPC classification number: H01L33/007 ,  H01L21/0237 ,  H01L21/0243 ,  H01L21/02444 ,  H01L21/02513 ,  H01L21/02521 ,  H01L21/0262 ,  H01L21/02642 ,  H01L21/02647 ,  H01L33/16 ,  H01L33/20

Abstract: 本发明涉及一种外延结构体，包括：一基底，所述基底具有一外延生长面，所述外延生长面具有多个第一凸起部与多个第一凹陷部；一碳纳米管层，所述碳纳米管层设置于所述基底的外延生长面，并覆盖所述多个第一凸起部与第一凹陷部，所述碳纳米管层的起伏趋势与所述外延生长面的起伏趋势相同；一外延层，所述外延层形成于所述基底的外延生长面，所述碳纳米管层位于所述外延层与所述基底之间。

公开(公告)号：CN104952983A

公开(公告)日：2015-09-30

申请号：CN201410115532.X

申请日：2014-03-26

Applicant: 清华大学 ,  鸿富锦精密工业(深圳)有限公司

Inventor： 魏洋 ,  范守善

IPC: H01L33/00 ,  H01L33/02

CPC classification number: H01L21/0237 ,  B82Y40/00 ,  H01L21/0242 ,  H01L21/02444 ,  H01L21/02458 ,  H01L21/0254 ,  H01L21/02639 ,  H01L21/02642 ,  H01L21/02647 ,  Y10S977/842

Abstract: 本发明涉及一种外延结构的制备方法，包括以下步骤：提供一自支撑的碳纳米管膜，该碳纳米管膜包括多个碳纳米管有序排列且通过范德华力相互连接；将所述碳纳米管膜悬空设置并进行表面处理，在所述多个碳纳米管的表面引入缺陷；采用原子层沉积法在所述表面处理后的碳纳米管膜的多个碳纳米管的表面生长一层纳米材料层；将生长有纳米材料层的碳纳米管膜进行退火处理，去除所述碳纳米管膜，形成多个纳米管，且所述多个纳米管有序排列且相互连接形成一自支撑的纳米管膜；将该纳米管膜设置于一基底的外延生长面；以及在所述基底的外延生长面生长一外延层。

公开(公告)号：CN104037066A

公开(公告)日：2014-09-10

申请号：CN201410294517.6

申请日：2014-06-25

Applicant: 深圳市华星光电技术有限公司

Inventor： 余威 ,  王烨文 ,  李冠政

IPC: H01L21/02 ,  H01L21/20

CPC classification number: H01L21/02675 ,  H01L21/02422 ,  H01L21/02444 ,  H01L21/02488 ,  H01L21/02502 ,  H01L21/02505 ,  H01L21/02532 ,  H01L21/02595 ,  H01L21/0262 ,  H01L21/02658 ,  H01L21/02661 ,  H01L21/02672 ,  H01L21/02686 ,  H01L21/0245 ,  H01L21/02491 ,  H01L21/02609

Abstract: 本发明提供一种定义多晶硅生长方向的方法，包括：步骤1、提供一玻璃基板(1)；步骤2、在玻璃基板(1)上形成一缓冲层(3)；步骤3、在缓冲层(3)上形成一金属膜层(5)；步骤4、对金属膜层(5)进行蚀刻，形成金属膜阵列(51)；步骤5、在缓冲层(3)上覆盖一层高纯度的石英掩膜(7)；步骤6、在高纯度石英掩膜(7)与金属膜阵列(51)上形成一石墨烯层(9)；步骤7、对石墨烯层(9)进行蚀刻，形成石墨烯层阵列(91)；步骤8、在缓冲层(3)上生长非晶硅薄膜(2)；步骤9、对非晶硅薄膜(2)进行高温去氢处理；步骤10、对非晶硅薄膜(2)进行ELA准分子激光退火处理；步骤11、熔化后的非晶硅进行重结晶。