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公开(公告)号：CN105975687A
公开(公告)日：2016-09-28
申请号：CN201610289275.0
申请日：2016-05-04
Applicant: 西安电子科技大学
IPC: G06F17/50
CPC classification number: G06F17/5068
Abstract: 本发明公开了一种带通共面波导微带无通孔过渡结构集总模型的构建方法，主要解决现有共面波导微带过渡结构集总模型无法精确仿真无通孔过渡结构的宽带、带通和低频截止特性，及参数提取和优化繁冗耗时的问题。其技术方案是：1.根据过渡结构的物理特征构建等效电路；2.通过三维电磁仿真得到所用带通共面波导微带无通孔过渡结构的散射参数S1；3.根据散射参数S1提取等效电路中的电容、电阻和电感元件的初始值；4.对初始值进行仿真优化，得到等效电路各元件的最终值。本发明能精确仿真出带通共面波导微带无通孔过渡结构的带通特性、宽带特性和低频截止特性，且提参和优化过程简单，可用于单片、混合微波集成电路设计以及在片测试。
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公开(公告)号：CN105956306A
公开(公告)日：2016-09-21
申请号：CN201610313524.5
申请日：2016-05-12
Applicant: 浪潮集团有限公司
IPC: G06F17/50
CPC classification number: G06F17/5068
Abstract: 本发明公开一种串行驱动电路的设计方法,属于电子产品电路技术领域；单片机I/O接口的三种状态分别为输入，输出0，输出1，根据单片机I/O接口的状态利用MOS管使一个单片机I/O接口控制至少两个负载的工作状态，其中单片机的I/O接口为输入状态时，负载均不工作；单片机的I/O接口为输出0状态时，一部分负载工作，另一部分负载不工作；单片机的I/O接口为输出1状态时，在I/O接口为输出0状态时工作的负载不进行工作，而没有进行工作的另一部分负载进行工作；通过使用一个I/O接口来驱动至少两个负载，实现系统稳定性要求。
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公开(公告)号：CN103887301B
公开(公告)日：2016-09-21
申请号：CN201210559001.0
申请日：2012-12-20
Applicant: 扬智科技股份有限公司
CPC classification number: G06F17/5072 , G06F17/5068
Abstract: 一种用于自动化电容布局的单位电容模块，包括一电容单元；至少一第一连接端口，耦接于该电容单元的一第一侧；至少一第二连接端口，耦接于该电容单元的一第二侧；至少一第三连接端口，耦接于该电容单元的一第三侧；以及至少一第四连接端口，耦接于该电容单元的一第四侧；其中，该至少一第一连接端口的数量与该至少一第二连接端口的数量相同，且该至少一第一连接端口对称于该至少一第二连接端口；该至少一第三连接端口的数量与该至少一第四连接端口的数量相同，且该至少一第三连接端口对称于该至少一第四连接端口。
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公开(公告)号：CN105930593A
公开(公告)日：2016-09-07
申请号：CN201610265778.4
申请日：2016-04-25
Applicant: 中国南方电网有限责任公司超高压输电公司检修试验中心
IPC: G06F17/50
CPC classification number: G06F17/5068
Abstract: 一种MMC‑HVDC系统联接变阀侧中性点电阻参数设计方法，为计算直流单极接地故障后各桥臂处于导通状态的电容电压之和uci与放电电流ifi，将电容放电回路等效为三个独立的RLC二阶零输入放电回路进行简化分析，然后对uci计算公式中的指数函数，根据逼近程度选取函数关于中性点等效电阻R的函数θ和λ在不同的闭锁延时时间范围t，对应的取值区域，确定中性点等效电阻R的取值，从而确定联接变阀侧中性点电阻的参数。应用该方法可减少直流单极故障引起的桥臂电容放电，为实际工程设计提供参考。
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公开(公告)号：CN105874389A
公开(公告)日：2016-08-17
申请号：CN201480071612.8
申请日：2014-12-04
Applicant: ASML荷兰有限公司
CPC classification number: G06F17/5068 , G03F7/70625 , G03F7/70633 , G03F7/70641 , G03F7/70683 , G03F9/7046 , G03F9/7076
Abstract: 一种量测目标设计的方法被描述。所述方法包括提供对于量测目标的设计参数的范围或多个值，并且利用处理器，在对于所述设计参数的所述取值范围或多个值内，通过求解和/或采样，来选择具有满足对于所述量测目标的设计参数而言的约束条件的一个或更多的设计参数的多个量测目标设计。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN105808770A
公开(公告)日：2016-07-27
申请号：CN201610166071.8
申请日：2016-03-22
Applicant: 北京北方微电子基地设备工艺研究中心有限责任公司
Inventor： 梁小祎
CPC classification number: G06F17/30221 , G06F17/30082 , G06F17/30091 , G06F17/30126 , G06F17/5068 , G06F2217/12
Abstract: 本发明公开了一种文件管理的方法及装置，涉及半导体制造领域，为解决文件查找繁琐不便的问题而发明。本发明的方法包括：对已有的对象文件进行分类；按照类别从属关系将对象文件记录在配置文件中；读取并执行配置文件，在窗口页面中按照目录树结构显示对象文件的文件名，目录树结构包括至少两个文件层级。本发明主要应用于晶圆刻蚀工艺的编辑过程中。
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公开(公告)号：CN105792532A
公开(公告)日：2016-07-20
申请号：CN201610301319.7
申请日：2016-05-06
Applicant: 浪潮电子信息产业股份有限公司
CPC classification number: H05K3/0002 , G06F17/5009 , G06F17/5068 , H05K1/025 , H05K3/0005 , H05K2201/0784
Abstract: 本发明提供了一种泪滴选择方法及PCB，包括：确定PCB布线层上所需布置的走线的阻抗；获取所需布置的泪滴的至少两种形状；根据走线的阻抗，分别针对每一种形状的泪滴进行链路阻抗的仿真；将仿真结果中将链路阻抗最平滑时对应的泪滴形状作为选择的目标泪滴形状；将目标泪滴形状对应的泪滴布置在PCB布线层的走线上。根据上述方案，通过获取到泪滴的至少两种形状，根据走线的阻抗对每一种形状的泪滴进行链路阻抗的仿真，为了保证链路阻抗的较少的出现谐振点，应该选择链路阻抗最平滑时对应的泪滴形状作为选择的目标泪滴形状，以利用该目标泪滴形状对应的泪滴进行布置，从而降低泪滴对走线的阻抗连续性的影响。
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公开(公告)号：CN105720805A
公开(公告)日：2016-06-29
申请号：CN201610176231.7
申请日：2016-05-20
Applicant: 广西电网有限责任公司电力科学研究院
CPC classification number: H02M1/126 , G06F17/5068
Abstract: 本发明涉及并网逆变控制领域，具体涉及一种单相并网逆变器LCL滤波器设计方法。该方法是基于在不升高直流母线电压的前提下，在逆变器结构及调制方式确定的基础上，仅利用直流母线电压和并网电流即可以得到全部的LCL滤波器设计参数，即逆变器输出侧电感Li、电网侧电感Lg和滤波电容Cf，及谐振频率fres，完成LCL滤波器参数的设计。该LCL滤波器不仅能有效抑制开关频率处以及高次谐波，满足滤波性能的要求，而且能够降低并网逆变器直流母线电压的限制，实现较低直流母线电压下的逆变器并网运行；同时设计方法直观实效，计算简便，省去了反复试凑、迭代的步骤，简单快捷。
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公开(公告)号：CN105631129A
公开(公告)日：2016-06-01
申请号：CN201511005378.1
申请日：2015-12-29
Applicant: 山东海量信息技术研究院
CPC classification number: G06F17/5068 , G06F1/26
Abstract: 本发明公开一种基于OpenPOWER平台的电源电路设计方法,涉及电源电路设计技术，基于OpenPOWER平台，结合使用CPU的SPIVID接口、可编程芯片PSOC与电源控制芯片，实现同时对CPU内核电压与缓存电压的实时控制和调整；所述可编程芯片PSOC与CPU通过SPIVID接口交互，将CPU的VID控制信息转换成PVID控制信息，电源控制芯片根据PVID控制信息调整输出脉冲信号PWM占空比，实时控制电源驱动芯片的输出电压。本发明结合使用片上可编程芯片PSOC与电源控制/驱动芯片，实现了在同一时间内异步控制CPU的内核电压和缓存电压。
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公开(公告)号：CN102341910B
公开(公告)日：2016-06-01
申请号：CN201080010983.7
申请日：2010-03-16
Applicant: 高通股份有限公司
IPC: H01L27/108 , H01L27/04
CPC classification number: H01L27/0805 , G06F17/5068 , H01L28/40 , Y10T29/49117
Abstract: 本发明揭示半导体装置中的具有增加的电容的电容器的方法和装置。在一特定实施例中，揭示一种形成电容器的方法。移除在第一金属接触元件与第二金属接触元件之间的第一绝缘材料的一区段以形成一沟道。将第二绝缘材料沉积于所述第一金属接触元件与所述第二金属接触元件之间的所述沟道中。
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