公开(公告)号：CN102341910B

公开(公告)日：2016-06-01

申请号：CN201080010983.7

申请日：2010-03-16

Applicant: 高通股份有限公司

Inventor： 武·泰格·康 ,  金郑海 ,  徐钟元

IPC: H01L27/108 ,  H01L27/04

CPC classification number: H01L27/0805 ,  G06F17/5068 ,  H01L28/40 ,  Y10T29/49117

Abstract: 本发明揭示半导体装置中的具有增加的电容的电容器的方法和装置。在一特定实施例中，揭示一种形成电容器的方法。移除在第一金属接触元件与第二金属接触元件之间的第一绝缘材料的一区段以形成一沟道。将第二绝缘材料沉积于所述第一金属接触元件与所述第二金属接触元件之间的所述沟道中。

公开(公告)号：CN102341910A

公开(公告)日：2012-02-01

申请号：CN201080010983.7

申请日：2010-03-16

Applicant: 高通股份有限公司

Inventor： 武·泰格·康 ,  金郑海 ,  徐钟元

IPC: H01L27/108 ,  H01L27/04

CPC classification number: H01L27/0805 ,  G06F17/5068 ,  H01L28/40 ,  Y10T29/49117

Abstract: 本发明揭示半导体装置中的具有增加的电容的电容器的方法和装置。在一特定实施例中，揭示一种形成电容器的方法。移除在第一金属接触元件与第二金属接触元件之间的第一绝缘材料的一区段以形成一沟道。将第二绝缘材料沉积于所述第一金属接触元件与所述第二金属接触元件之间的所述沟道中。