极紫外光掩膜片保护装置及方法

    公开(公告)号:CN1989452B

    公开(公告)日:2010-05-26

    申请号:CN200580024713.0

    申请日:2005-07-21

    发明人: 麦可·索盖德

    摘要: 本发明揭示使用一较冷的气流在一掩膜片(916)与一掩膜片遮敝物(920)之间建立一温度梯度以便减少该掩膜片上之粒子污染的方法与设备。根据本发明的其中一项观点,一用以减少一物体(928)之表面上粒子污染的设备包含:一平板(920)以及一气体供应器(954)。该平板系被设置在该物体的附近,使具有第二温度之该平板与具有第一温度之该物体实质上分隔一空间。该气体供应器供应一气流给该空间。该气体具有第三温度,该第三温度低于该第一温度与该第二温度两者。该气体会协同该平板与该物体来创造一温度梯度,从而创造一用来搬运该空间中之粒子使其远离该物体的热泳作用力。

    曝光装置及元件制造方法
    55.
    发明公开

    公开(公告)号:CN101095213A

    公开(公告)日:2007-12-26

    申请号:CN200580018359.0

    申请日:2005-06-07

    发明人: 白石健一

    IPC分类号: H01L21/027 G03F7/20

    摘要: 本发明有关于一种曝光装置及元件制造方法,一曝光装置,根据液浸法而能高精度地进行曝光处理及测量处理。曝光装置(EX),在投影光学系统(PL)的像面侧形成液体(LQ)的液浸区域(AR2),透过投影光学系统(PL)与液浸区域(AR2)的液体(LQ)而使基板(P)曝光,其具备测量装置(60),用以测量液浸区域(AR2)形成用的液体(LQ)的性质和/或成分。本发明还公开了元件制造方法及曝光装置的维护方法。

    光刻设备和装置制造方法
    58.
    发明公开

    公开(公告)号:CN101075097A

    公开(公告)日:2007-11-21

    申请号:CN200710102532.6

    申请日:2007-05-14

    IPC分类号: G03F7/20 H01L21/027

    摘要: 本发明公开了一种物品支架,其构造成支持针对光刻工艺目的的物品。该物品支架包括布置成引导该物品支架内的热稳定介质从而为该物品提供热稳定的通道配置,其中该通道配置包括输入通道结构和输出通道结构,该输入和输出通道结构布置成巢状配置并通过设置于该物品支架表面上或附近的精细栅格结构而相互连接。本发明还公开了一种结合了该物品支架的光刻设备和装置制造。

    用于补偿辐射诱导的热变形的系统和方法

    公开(公告)号:CN1945441A

    公开(公告)日:2007-04-11

    申请号:CN200610142140.8

    申请日:2006-10-08

    IPC分类号: G03F7/20 H01L21/027

    摘要: 一种用于补偿作用在光刻装置上的热效应的系统和方法。所述系统包括构图部件、投影系统、基底位置控制器和基于基底位置的膨胀补偿器。所述构图部件可调制辐射光束。所述投影系统将调制的辐射光束投影到基底靶部上。所述基底位置控制器使基底相对投影系统顺序通过多个曝光位置而移动。所述基于基底位置的膨胀补偿器与基底位置控制器相互作用以改变曝光位置,从而至少部分地补偿基底和投影系统中至少一个的热诱导的几何形状变化。