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公开(公告)号：CN106981512B
公开(公告)日：2019-12-13
申请号：CN201710188701.6
申请日：2017-03-27
Applicant: 西安交通大学
IPC: H01L29/778 , H01L29/10 , H01L21/335
Abstract: 本发明公开了一种金刚石基常关型场效应晶体管，包括金刚石衬底，上设置有单晶金刚石外延薄膜，单晶金刚石外延薄膜的表面设置有源区以及包围有源区的器件隔离区，有源区为二维空穴气，有源区的上方依次间隔设置有源极、栅极和漏极，有源区的表面设置有导电沟道；导电沟道包括氢终端与氧终端、或氢终端与氟终端交替设置的沟道，通过表面处理技术调节所述导电沟道的氧化或氟化程度的强弱，进而调节对氧终端或氟终端临近的氢终端部分的耗尽程度，实现栅偏压零时器件的关断特性，以提供一种可以在高压、高频电子领域广泛应用的常关型器件。
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公开(公告)号：CN107104141A
公开(公告)日：2017-08-29
申请号：CN201710331449.X
申请日：2017-05-11
Applicant: 西安交通大学
IPC: H01L29/778 , H01L21/04
CPC classification number: H01L29/778 , H01L21/0405 , H01L29/66045
Abstract: 本发明公开了一种金刚石基背栅型氢终端场效应晶体管及其制备方法；该场效应晶体管，包含金刚石衬底、背栅极、源极、栅引出电极、漏极和单晶金刚石外延薄膜；金刚石衬底上设有背栅极，背栅极上设有栅引出电极；金刚石衬底的上表面覆盖一层单晶金刚石外延薄膜，单晶金刚石外延薄膜将背栅极包裹于其中，栅引出电极的上部伸出单晶金刚石外延薄膜的顶部；单晶金刚石外延薄膜上还设有源极和漏极。本发明采用背栅型设计，将导电部分全部裸露出来，这样即使在长期使用或是高温过冲条件下造成氢终端导电沟道退化甚至失效的情况下，可以将器件置于氢等离子体环境中，使得导电沟道表面区域得到重新氢化，恢复导电性能，实现场效应晶体管的重复使用。
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公开(公告)号：CN106711241A
公开(公告)日：2017-05-24
申请号：CN201611192837.6
申请日：2016-12-21
Applicant: 西安交通大学
IPC: H01L31/0224 , H01L31/0236 , H01L31/101 , H01L31/028 , H01L31/18
CPC classification number: Y02E10/50 , H01L31/022408 , H01L31/02363 , H01L31/028 , H01L31/101 , H01L31/1016 , H01L31/18 , H01L31/1804 , H01L31/1884
Abstract: 本发明公开了一种石墨烯透明电极金刚石基紫外探测器及其制备方法，探测器从下至上至少包含绝缘衬底、金刚石紫外敏感层、透明石墨烯层和金属电极；金刚石紫外敏感层的表面处形成金刚石表面终端；所述透明石墨烯层设置于金刚石紫外敏感层的金刚石表面终端上；所述金刚石紫外敏感层中均布有若干三维结构。本发明结构利用石墨烯超高的面内电导特性和其对紫外光的全透过特性，以及三维结构金刚石紫外敏感层对紫外光入射增强的特性，提高了金刚石基紫外探测器的响应度及外量子效率。
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公开(公告)号：CN119133176A
公开(公告)日：2024-12-13
申请号：CN202411235183.5
申请日：2024-09-04
Applicant: 西安交通大学
IPC: H01L27/085 , H01L29/78 , H01L29/778 , H01L21/82 , H01L21/336 , H01L21/335
Abstract: 本发明属于半导体器件技术领域，具体涉及一种氢终端金刚石MOSFET/增强型氮化镓HEMT单片集成的互补电路及制备方法，本发明通过异质集成的方法将p型金刚石MOSFET和n型增强型氮化镓HEMT结合在一起制备逻辑互补电路，有效规避了金刚石难以实现n型器件、氮化镓难以实现p型器件的技术难题；金刚石/氮化镓的单片集成有利于减小器件体积，提高集成度，确保互补电路拥有高的开关速度和低损耗；金刚石热导率高，同时调制了氮化镓HEMT的热产生场分布，提升器件散热能力，为高温CMOS应用提供解决方案。
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公开(公告)号：CN119133175A
公开(公告)日：2024-12-13
申请号：CN202411231160.7
申请日：2024-09-04
Applicant: 西安交通大学
IPC: H01L27/085 , H01L21/82 , H01L29/78 , H01L29/778 , H01L21/335 , H01L21/34
Abstract: 本发明公开了一种氢终端金刚石/二维半导体单片集成的互补器件及制备方法。包括金刚石衬底、金刚石外延薄膜、氢终端二维空穴气层、台面隔离区、二维半导体层、第一源电极、第一漏电极、第二源电极、第二漏电极、第一栅极介质层、第二栅极介质层、第一栅电极和第二栅电极。本发明通过将p型氢终端金刚石和n型二维半导体结合在一起制备金刚石基半导体互补器件，实现在金刚石上的单片集成的互补器件，有效规避了目前金刚石难以实现n型MOS器件的技术难题，充分发挥了金刚石与二维材料各自的优势，实现了高性能金刚石基单片集成CMOS器件。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN118919576A
公开(公告)日：2024-11-08
申请号：CN202411409291.X
申请日：2024-10-10
Applicant: 西安交通大学
IPC: H01L29/872 , H01L29/06 , H01L21/329
Abstract: 本发明公开了一种横向硼掺杂金刚石二极管及其批量制备方法，属于半导体材料与器件技术领域；所述横向硼掺杂金刚石二极管包括硼掺杂单晶金刚石；所述硼掺杂单晶金刚石上开设有至少两个梯形通孔；所述梯形通孔的上底所在面为硼掺杂单晶金刚石正面，梯形通孔的下底所在面为硼掺杂单晶金刚石背面；所述硼掺杂单晶金刚石背面生长有硼掺杂多晶金刚石；所述硼掺杂单晶金刚石正面沉积有肖特基接触层和欧姆接触层；所述肖特基接触层位于任意相邻两个梯形通孔之间的硼掺杂单晶金刚石正面区域；所述欧姆接触层位于所述相邻两个梯形通孔外侧的硼掺杂单晶金刚石正面区域。本发明制备的二极管耐压性能及电流承载能力好，制备成本低，益于批量生产。
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公开(公告)号：CN118841454A
公开(公告)日：2024-10-25
申请号：CN202411333202.8
申请日：2024-09-24
Applicant: 西安交通大学
IPC: H01L29/872 , H01L29/06 , H01L29/16 , H01L29/45 , H01L29/47 , H01L21/329
Abstract: 本发明公开了一种高压大电流金刚石横向肖特基二极管及其制备方法，属于半导体材料与器件技术领域；通过在氢终端金刚石上开设梯形通孔，并在氢终端金刚石正面沉积肖特基接触层和欧姆接触层，在氢终端金刚石背面生长多晶金刚石，制备得到高压大电流金刚石横向肖特基二极管。本发明中的梯形通孔结构增加了横向肖特基二极管的耐压性能，使得横向肖特基二极管具有良好的电学特性。同时本发明在较薄的氢终端金刚石上制备肖特基接触层和欧姆接触层，降低了氢终端金刚石的使用成本，之后在背面生长多晶金刚石作为衬底，可以起到支撑作用，多晶金刚石的加入，可以在进一步提高器件性能的同时降低制造器件的成本。
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公开(公告)号：CN116392188A
公开(公告)日：2023-07-07
申请号：CN202310095530.8
申请日：2023-02-10
Applicant: 西安交通大学医学院第二附属医院
IPC: A61B17/128 , A61B17/122
Abstract: 本发明属于肝门血管阻断技术领域，具体涉及一种腹腔镜用肝门计时阻断装置。包括外筒和滑动设置在外筒内的按压杆，所述外筒的上端两侧壁对称设置有两个手抓柄，所述按压杆的上端设置有圆形的按压柄，所述按压杆的下端通过驱动机构连接有两个阻断夹片，阻断夹片夹紧肝门血管实现阻断。本发明设置了计时报警器，不需要医护人员自己计时，到了阻断的时间可以及时提醒医护人员；设置了管状的手推式阻断装置，比现有的钳子式阻断器的更不容易损伤患者的腹部开口位置组织，操作需要的空间也更小。
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公开(公告)号：CN114399172A
公开(公告)日：2022-04-26
申请号：CN202111620444.1
申请日：2021-12-27
Applicant: 西安交通大学 , 西安西瑞控制技术股份有限公司
Abstract: 本发明公开了一种多场景适应多能设备组合的园区电热实时调度方法及系统，根据多能园区的实际运行情况得到设备参数表；选择不同的电设备和热设备供多能园区实际运行使用；获取对应各类型设备的当前实际运行状态和实时运行数据，根据当前所处的运行时段数，获取多时间尺度中日前调度或滚动调度计算所得到的调度参考值；根据调度参考值以及多能园区当前内部各设备的运行工况，对多能园区实际上线运行的设备进行元件建模，采用启发式算法得到多能园区各设备的实时调度控制结果；将多能园区实时调度结果中各类设备的调度修正量和功率参考值实现全天单时段设备的调度控制。保障区域电热综合能源系统中设备的灵活可组合，并能可靠稳定运行。
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公开(公告)号：CN113180784A
公开(公告)日：2021-07-30
申请号：CN202110477261.2
申请日：2021-04-29
Applicant: 西安交通大学医学院第一附属医院
IPC: A61B17/295 , A61B17/3201 , A61L2/18
Abstract: 本发明提供一种带剪刀功能的腹腔镜无损伤抓钳，涉及医疗设备技术领域，解决了现有的在实际应用过程中存在着一是病变组织多具有黏连性，因此传统的抓钳仅能对病变组织进行抓取后扯出，不能对病变组织进行剪切，进而存在着使用不便，二是手术器械因其应用场景的独特性，需要进行消毒，而现有设备在更换组件时难以确保组件已被消毒，进而存在安全隐患的问题，包括握持机构，所述握持机构的主体由两处构件构成，本发明中，由于设有解锁组件，因此要将剪切机构拆下时必须先将消毒液充入到连接箱的内部对解锁组件进行推动将插板挤压到连接块的内部后才能进行取下，该设计强制使用者在对剪切组件进行更换时必须对其进行消毒。
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