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公开(公告)号：CN1531033A
公开(公告)日：2004-09-22
申请号：CN200410028749.3
申请日：2004-03-15
Applicant: 精工爱普生株式会社
IPC: H01L21/31 , H01L21/469 , C23C16/00 , H01L27/10
CPC classification number: H01L21/02197 , C23C16/409 , C30B25/02 , C30B29/32 , H01L21/02271 , H01L21/31691 , H01L27/11502 , H01L27/11507 , H01L28/55
Abstract: 一种强电介质膜的形成方法，利用有机金属气相生长法，用来在由Pt构成的金属膜上形成由PZT系复合氧化物构成的强电介质膜，其中，首先开始供给Pb原料，在上述金属膜上形成Pb与Pt的合金膜；接着开始供给Ti原料，在上述合金膜上形成由PbTiO3构成的复合氧化物的初期结晶核；然后开始供给Zr原料，在上述初期结晶核的上部形成PZT系复合氧化物的结晶生长层。
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公开(公告)号：CN1510718A
公开(公告)日：2004-07-07
申请号：CN200310120416.9
申请日：2003-12-11
Applicant: 精工爱普生株式会社
CPC classification number: H01L21/02356 , B82Y30/00 , C04B35/491 , C04B35/64 , C04B2235/6584 , C04B2235/662 , C04B2235/781 , H01G4/1209 , H01L21/02197 , H01L21/02282 , H01L21/02337 , H01L21/31691 , H01L27/11502 , H01L28/55 , H01L29/40111 , H01L29/516
Abstract: 一种强电介质电容器的制造方法，在基体上形成下部电极，通过在加压到2个大气压以上，且在含有体积比10％以下的氧的气氛中及100℃/分以下的升温速度的条件下，热处理含有复合氧化物的原材料体，在下部电极上，形成由构成复合氧化物的第1金属和构成该下部电极的第2金属的化合物构成的下部合金膜，然后，在下部合金膜上形成结晶化原材料体而成的陶瓷膜，在陶瓷膜上形成上部电极。
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公开(公告)号：CN1484858A
公开(公告)日：2004-03-24
申请号：CN02803498.8
申请日：2002-09-05
Applicant: 精工爱普生株式会社
IPC: H01L27/105
CPC classification number: H01L27/11502 , H01L27/11507 , H01L28/55
Abstract: 铁电存储装置包括第1电极102、在与第1电极(102)交叉的方向排列的第2电极(103)、至少配置于第1电极(102)和第2电极(103)的交叉区域的铁电体膜(101)。采用第1电极(102)、铁电体膜(101)及第2电极(103)构成的电容器呈矩阵状配置。铁电体膜(101)是铁电相和顺电相混合存在而构成的。
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公开(公告)号：CN1983464B
公开(公告)日：2010-12-08
申请号：CN200610172526.3
申请日：2003-10-23
Applicant: 精工爱普生株式会社
Abstract: 一种强电介质膜，由AB1-XNbXO3的通式表示，其中，作为A元素至少含有Pb，作为B元素由Zr、Ti、V、W、Hf、和Ta中的至少一种以上构成，0.1≤x≤0.4。
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公开(公告)号：CN100346464C
公开(公告)日：2007-10-31
申请号：CN200410007843.0
申请日：2004-03-04
Applicant: 精工爱普生株式会社
IPC: H01L21/70 , H01G4/12 , C04B35/622 , H01L21/31 , H01L21/82
CPC classification number: H01L21/02356 , C04B35/491 , C04B2235/3418 , C04B2235/6584 , C04B2235/768 , H01L21/02197 , H01L21/02282 , H01L21/02337 , H01L21/31691 , H01L27/11502 , H01L27/11507 , H01L28/55
Abstract: 一种陶瓷膜的制造方法，包括在加压到2个大气压或2个大气压以上的状态下，对含有复合氧化物的原材料体进行热处理使结晶化的工序，作为构成元素，复合氧化物含有Pb或Bi，原材料体由溶胶凝胶原料及MOD原料的混合物构成，该溶胶凝胶原料及MOD原料的混合物，相对于上述复合氧化物的化学计算法的组成，至多5%过剩含有复合氧化物的构成元素中的至少Pb或Bi。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN1329927C
公开(公告)日：2007-08-01
申请号：CN200380101906.2
申请日：2003-10-23
Applicant: 精工爱普生株式会社
Abstract: 一种由AB1-XNbXO3的通式表示的氧化物形成的强电介质膜。A元素至少由Pb构成，B元素由Zr、Ti、V、W、Hf和Ta中至少一种以上构成。并且，其中x在0.05≤x＜1的范围内。该强电介质膜也可应用于1T1C、2T2C和单纯矩阵型强电介质存储器中的任一个当中。
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公开(公告)号：CN1983464A
公开(公告)日：2007-06-20
申请号：CN200610172526.3
申请日：2003-10-23
Applicant: 精工爱普生株式会社
Abstract: 一种强电介质膜，由AB1－XNbXO3的通式表示，作为A元素至少含有Pb，作为B元素至少含有Zr、Ti，其中0.1≤x≤0.4。
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公开(公告)号：CN1276481C
公开(公告)日：2006-09-20
申请号：CN200410039800.0
申请日：2004-03-17
Applicant: 精工爱普生株式会社
IPC: H01L21/316 , H01L21/82 , H01L21/8239 , H01L27/10
CPC classification number: C04B35/491 , C04B2235/65 , C04B2235/658 , C23C18/12 , C23C18/1208 , C23C18/1279
Abstract: 一种陶瓷膜的制造方法，包括：准备在基体上涂布了含有复合氧化物的原材料体的被处理体的工序；以及将被处理体保持在容器内，通过在加压到2个大气压或1个大气压以上并且至少含有氧化性气体的处理气体中，在规定的压力下进行热处理，使原材料体结晶化的工序，处理气体在被加热到预定温度后，供给上述容器。
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公开(公告)号：CN1266079C
公开(公告)日：2006-07-26
申请号：CN200410033074.1
申请日：2004-03-19
Applicant: 精工爱普生株式会社
IPC: C04B35/628 , C04B35/462 , H01L27/10
CPC classification number: C23C18/1208 , C04B35/01 , C04B35/16 , C04B35/491 , C04B35/624 , C04B35/63 , C04B2235/3239 , C04B2235/3244 , C04B2235/3258 , C04B2235/3287 , C04B2235/3298 , C04B2235/408 , C23C18/1254
Abstract: 一种涂覆用陶瓷材料的制备方法，其中，包括在铂族元素催化剂的存在下，搅拌含有复合氧化物的原材料的工序。原材料是含有选自复合氧化物的水解物和缩聚物中至少一种的溶胶·凝胶原料。
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