公开(公告)号：CN107636801B

公开(公告)日：2021-09-21

申请号：CN201680031978.1

申请日：2016-06-01

Applicant: 信越化学工业株式会社

Inventor： 秋山昌次 ,  川合信

IPC: H01L21/02 ,  H01L21/265 ,  H01L21/425 ,  H01L27/12 ,  H01L41/187 ,  H01L41/312

Abstract: 本发明提供一种复合晶片及其制造方法，复合晶片在支持晶片和氧化物单晶薄膜的贴合界面无破裂或剥落，且在支持晶片上的整个面转印有作为钽酸锂或铌酸锂的氧化物单晶的薄膜。所述方法包括：从表面注入氢原子离子或氢分子离子，从而在氧化物单晶晶片的内部形成离子注入层的工序；对氧化物单晶晶片的经离子注入的表面和支持晶片的表面中的至少一者实施表面活化处理的工序；将氧化物单晶晶片的经离子注入的表面和支持晶片的表面贴合而获得接合体的工序；在90℃以上且不会产生破裂的温度下对接合体进行热处理的工序；以及对经热处理的接合体的离子注入层赋予机械冲击的工序，且沿着离子注入层剥离而获得被转印于支持晶片上的氧化物单晶薄膜的工序。

公开(公告)号：CN110366611B

公开(公告)日：2021-07-27

申请号：CN201880014716.3

申请日：2018-03-01

Applicant: 信越化学工业株式会社 ,  CUSIC股份有限公司

Inventor： 长泽弘幸 ,  久保田芳宏 ,  秋山昌次

IPC: C30B29/36 ,  H01L21/205

Abstract: 本发明为碳化硅基板的制造方法，具有：准备在由碳、硅或碳化硅构成的母材基板1a的两面设置包含氧化硅、氮化硅、氮化碳化硅或硅化物的被覆层1b、1b并使该被覆层1b、1b表面成为平滑面的支承基板1的工序；在所述支承基板1的两面采用气相生长法或液相生长法形成多晶碳化硅的膜10的工序；将所述支承基板1中至少被覆层1b、1b以化学方式除去，在使被覆层1b、1b表面的平滑性反映于表面的状态下将多晶碳化硅的膜从该支承基板1分离，作为晶粒直径为10nm以上且10μm以下、至少一个主面的算术平均粗糙度Ra为0.3nm以下的碳化硅基板10a、10b得到该多晶碳化硅的膜的工序。由此实现表面平滑且平坦并且内部应力也减小的碳化硅基板。

公开(公告)号：CN107615448B

公开(公告)日：2021-07-20

申请号：CN201680032041.6

申请日：2016-06-01

Applicant: 信越化学工业株式会社

Inventor： 秋山昌次 ,  川合信

IPC: H01L21/02 ,  H01L21/265 ,  H01L21/425 ,  H01L27/12 ,  H01L41/187 ,  H01L41/312

Abstract: 本发明提供一种复合晶片及其制造方法，复合晶片在支持晶片和氧化物单晶薄膜的贴合界面不易产生破裂或剥落，且在支持晶片上的整个面转印有作为钽酸锂或铌酸锂的氧化物单晶的薄膜。所述方法包括：从表面注入氢原子离子或氢分子离子，从而在氧化物单晶晶片的内部形成离子注入层的工序；对氧化物单晶晶片的经离子注入的表面和支持晶片的表面中的至少一者实施表面活化处理的工序；将氧化物单晶晶片的经离子注入的表面和支持晶片的表面贴合而获得接合体的工序；在90℃以上且不会产生破裂的温度下对接合体进行热处理的工序；以及对经热处理的接合体赋予超声波振动，沿着离子注入层剥离而获得被转印于支持晶片上的氧化物单晶薄膜的工序。

公开(公告)号：CN110957986A

公开(公告)日：2020-04-03

申请号：CN201910846552.7

申请日：2019-09-09

Applicant: 信越化学工业株式会社

Inventor： 丹野雅行 ,  狩野弘树 ,  秋山昌次

IPC: H03H3/02 ,  H03H9/02

Abstract: 本发明提供一种不易在电材料层的外周端产生瑕疵，并且不易产生从外周端的剥离的声表面波器件用的复合基板及其制造方法。声表面波器件用复合基板是压电材料单晶薄膜和支承基板在接合面处接合在一起的复合基板，其特征在于，支承基板具备闭合的第一轮廓线，接合面具备闭合的第二轮廓线，压电材料单晶薄膜具备闭合的第三轮廓线，在将第一轮廓线及第三轮廓线垂直地投影到包含接合面的平面时，第一轮廓线的投影映射像位于比第二轮廓线靠外侧，第三轮廓线的投影映射像位于比第二轮廓线靠内侧。

公开(公告)号：CN109417376A

公开(公告)日：2019-03-01

申请号：CN201780040362.5

申请日：2017-07-04

Applicant: 信越化学工业株式会社

Inventor： 秋山昌次 ,  丹野雅行 ,  白井省三

IPC: H03H9/25 ,  H03H3/08

CPC classification number: H03H3/08 ,  H03H9/25

Abstract: 本发明提供一种可降低压电结晶膜和支承基板的接合界面上的波的反射造成的杂散的、温度特性良好且为高性能的表面声波器件用复合基板。表面声波器件用复合基板包含压电单晶基板和支承基板而构成，其特征在于，在压电单晶基板和该支承基板的接合界面部，至少压电单晶基板和支承基板中任一方具有凹凸构造，该凹凸构造的剖面曲线上的要素的平均长度RSm和用作表面声波器件时的表面声波的波长λ的比为0.2以上且7.0以下。

公开(公告)号：CN108885971A

公开(公告)日：2018-11-23

申请号：CN201780021504.3

申请日：2017-04-04

Applicant: 信越化学工业株式会社

Inventor： 秋山昌次 ,  丹野雅行 ,  加藤公二

IPC: H01L21/02 ,  H03H3/08

CPC classification number: H01L21/02 ,  H03H3/08

Abstract: 本发明提供一种用于制备复合晶圆的方法，其在包括具有低的热膨胀系数的支撑衬底和在支撑衬底上堆叠的具有高的热膨胀系数的钽酸锂薄膜的复合晶圆中，能够减少由钽酸锂薄膜和支撑衬底之间的接合界面上的入射信号的反射引起的杂散。用于制备复合晶圆的方法是这样的用于制备复合晶圆的方法：其通过将具有高的热膨胀系数的钽酸锂晶圆粘合到具有低的热膨胀系数的支撑晶圆上来制备复合晶圆，其中在粘合到一起之前，从钽酸锂晶圆和/或支撑晶圆的粘合表面注入离子，以干扰各个粘合表面附近的结晶度。

公开(公告)号：CN104040686B

公开(公告)日：2017-05-24

申请号：CN201380005209.0

申请日：2013-01-11

Applicant: 信越化学工业株式会社

Inventor： 秋山昌次 ,  飞坂优二 ,  永田和寿

IPC: H01L21/02 ,  H01L21/324 ,  H01L27/12

CPC classification number: H01L21/02238 ,  H01L21/02255 ,  H01L21/324 ,  H01L21/7624 ,  H01L21/76251 ,  H01L29/0642 ,  H01L29/78603

Abstract: 本发明涉及热氧化异种复合基板，是在处理基板上具有单晶硅膜的异种复合基板，通过在实施超过850℃的热氧化处理前施加650℃～850℃的中间热处理，然后在超过了850℃的温度下实施热氧化处理而得到，根据本发明，能够得到热氧化后的缺陷数减少的热氧化异种复合基板。

公开(公告)号：CN102687272B

公开(公告)日：2015-09-09

申请号：CN201080059990.6

申请日：2010-12-27

Applicant: 信越化学工业株式会社

Inventor： 秋山昌次

IPC: H01L27/12 ,  H01L21/02 ,  H01L21/336 ,  H01L29/786

CPC classification number: H01L21/86 ,  H01L21/76254 ,  H01L29/78603 ,  H01L29/78657

Abstract: 提供一种应力减小的SOS基板。该SOS基板是包括蓝宝石基板和在该蓝宝石基板上或上方的单晶硅膜的蓝宝石上硅(SOS)基板。在该SOS基板的整个平面区域上，通过拉曼位移方法测得的该SOS基板的硅膜的应力为2.5×108Pa或更小。

公开(公告)号：CN104701239A

公开(公告)日：2015-06-10

申请号：CN201510117172.1

申请日：2007-11-12

Applicant: 信越化学工业株式会社

Inventor： 秋山昌次 ,  久保田芳宏 ,  伊藤厚雄 ,  田中好一 ,  川合信 ,  飞坂优二

IPC: H01L21/762

CPC classification number: H01L21/76254 ,  H01L27/1266 ,  H01L29/78603

Abstract: 本发明提供将高品质的硅薄膜转印在低熔点物质的衬底上而成的半导体衬底。本发明的方法为：以1.5×1017atoms/cm2以上的掺杂量，将氢离子注入单结晶硅衬底(10)的表面(主面)，形成氢离子注入层(离子注入损伤层)(11)。通过此氢离子注入，形成氢离子注入界面(12)。贴合单结晶硅衬底(10)和低熔点玻璃衬底(20)。以120℃以上250℃以下(但是，不超过支持衬底的熔点温度)的比较低的温度，加热贴合状态的衬底，利用赋予外部冲击，将热处理后的贴合衬底，沿着单结晶硅衬底(10)的氢离子注入界面(12)，剥离Si结晶膜。然后，对所得到的硅薄膜(13)的表面进行研磨等，除去损伤，而得到半导体衬底。

公开(公告)号：CN103890907A

公开(公告)日：2014-06-25

申请号：CN201280050683.0

申请日：2012-10-11

Applicant: 信越化学工业株式会社

Inventor： 秋山昌次 ,  永田和寿

IPC: H01L21/02 ,  H01L27/12

CPC classification number: H01L21/76251 ,  H01L21/76256

Abstract: 提供一种能够防止片损坏和剥落的生产透明SOI片的方法。所述用于生产透明SOI片方法包括以下步骤：将用作供体片的硅片的表面与透明的处理片的表面键合在一起以获得键合片；在150至300℃的第一温度对键合片进行热处理，作为第一热处理；通过从被热处理后的键合片的硅片侧向键合的表面和未键合的周围表面之间的边界照射可见光激光，同时在入射光和硅片的径向方向之间保持60至90°的角度来切割键合片的未键合部分；对未键合的部分被切割后的键合片的硅片进行研磨、抛光或蚀刻以形成硅膜；以及在比第一温度高的300至500℃的第二温度对形成有硅膜的键合片进行热处理，作为第二热处理。