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公开(公告)号:CN115073160A
公开(公告)日:2022-09-20
申请号:CN202210912506.4
申请日:2022-07-30
Applicant: 桂林电子科技大学
IPC: C04B35/26 , C04B35/468 , C04B35/622 , C04B35/645
Abstract: 一种具有微纳米电畴结构、高使用温区的高性能铁酸铋‑钛酸钡陶瓷及其热压烧结制备方法,其组成通式为:(1‑u)BiFe1‑xGaxO3‑uBaTiO3+0.35mol%MnCO3+nCuO+pBi(Ti1/2Zn1/2)O3+mLi2CO3+yBi(Zn2/3Nb1/3)O3,其中u、x、n、p、m和y表示摩尔分数,Li2CO3和CuO为低温烧结助剂,且0.20≤u≤0.45,0≤x≤0.05,0≤n≤0.01,0<p≤0.20,0<m≤0.01,0≤y≤0.02。本发明利用烧结助剂和热压反复“捶打”工艺,降低了烧结温度,减少了Bi元素的挥发和降低了晶格缺陷浓度,提高了陶瓷的致密度,大幅降低了该体系的介电损耗。利用驰豫铁电材料Bi(Zn2/3Nb1/3)O3减小了陶瓷的电畴尺寸,提高了陶瓷的压电性能;利用Bi(Ti0.5Zn0.5)O3提高了陶瓷的居里温度,提高了陶瓷在高温下的温度稳定性,最高使用温度可达到350℃以上。
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公开(公告)号:CN110128128B
公开(公告)日:2021-11-26
申请号:CN201910582276.8
申请日:2019-07-01
Applicant: 桂林电子科技大学
IPC: C04B35/26 , C04B35/622 , C04B35/63 , C04B41/88
Abstract: 本发明公开了一种具有零温度系数及高温稳定性的铁酸铋‑铝酸铋‑锌钛酸铋高温压电陶瓷及其制备方法,其组成通式为:xBi1.05FeO3‑yBiAlO3+zBi(Ti0.5Zn0.5)O3+tP+mMnCO3,其中P为Ba(W0.5Cu0.5)O3、CuO、Li2CO3中的一种或多种烧结助剂的组合;x、y、z、t、m表示摩尔分数,且0.50≤x≤0.80,0
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公开(公告)号:CN110128127A
公开(公告)日:2019-08-16
申请号:CN201910582275.3
申请日:2019-07-01
Applicant: 桂林电子科技大学
IPC: C04B35/26 , C04B35/622 , C04B35/63 , C04B41/88
Abstract: 本发明公开了一种具有高压电性能及高温稳定性的铁酸铋-钛酸钡基无铅压电陶瓷及其制备方法,其组成通式为:xBiFeO3-yBaTiO3+uBi(Ti0.5Zn0.5)O3+mP+tMnCO2,其中P为Ba(W0.5Cu0.5)O3、Ba(Cu1/3Nb2/3)O3、B2O3、Li2CO3、V2O5中的一种或多种烧结助剂的组合;x、y、u、m、t表示摩尔分数,且0.65≤x≤0.85,0.15≤y≤0.35,0.05
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公开(公告)号:CN104108930B
公开(公告)日:2016-08-24
申请号:CN201410349447.X
申请日:2014-07-22
Applicant: 桂林电子科技大学
IPC: C04B35/475 , C04B35/622 , C04B41/88
Abstract: 本发明公开了一种在350℃以上使用的高温稳定型介电陶瓷及其制备方法,成分以通式(1?x)Bi1/2Na1/2TiO3?x(La,Bi)2/3TiO3 +zRE2O3来表示,其中RE2O3为稀土氧化物,(La,Bi)中La:Bi=1:1(摩尔比),x与z表示摩尔分数,0
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公开(公告)号:CN103803966B
公开(公告)日:2015-08-19
申请号:CN201310701726.3
申请日:2013-12-19
Applicant: 桂林电子科技大学
IPC: C04B35/453 , C04B35/622
Abstract: 本发明公开了一种具有近零温度系数的高温无铅压电陶瓷及其制备方法,成分以通式(1-x)Bi2FeMnO6-xBa0.7(Bi0.5Na0.5)0.3TiO3+0.005MnO+0.005Nb2O5或(1-x)Bi2FeNiO6-xBa0.7(Bi0.5Na0.5)0.3TiO3+0.005MnO+0.005Nb2O5或(1-x)Bi2FeCrO6-xBa0.7(Bi0.5Na0.5)0.3TiO3+0.005MnO+0.005Nb2O5或(1-x)Bi2FeCoO6-xBa0.7(Bi0.5Na0.5)0.3TiO3+0.005MnO+0.005Nb2O5来表示,其中x表示摩尔分数,0
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公开(公告)号:CN102351535B
公开(公告)日:2014-03-12
申请号:CN201110197606.5
申请日:2011-07-15
Applicant: 桂林电子科技大学
IPC: C04B35/495
Abstract: 本发明公开了一种低损耗铌酸钾钠基无铅压电陶瓷及其制备方法,该无铅压电陶瓷包含钙钛矿型铁电体(K0.5-xNa0.5+x)NbO3、助溶剂LiSbO3以及复合型铁电(磁)体Bi(FetMn1-t)O3。其通式用(1-y-z)(K0.5-xNa0.5+x)NbO3-yLiSbO3-zBi(FetMn1-t)O3来表示,式中0<x<0.5,0<y<0.1,0<z<0.1,0<t<1,通过选取适当的x、y、z和t值及工艺参数,用传统制陶工艺制成新的陶瓷产品。本发明提供的压电材料的优点是:致密性好,介电损耗低,压电性能优良,居里温度高,压电性能热稳定性好,制备工艺稳定,采用传统手段获得;烧结温度较低,约1050~1130℃。
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公开(公告)号:CN102285792B
公开(公告)日:2013-04-24
申请号:CN201110162433.3
申请日:2011-06-16
Applicant: 桂林电子科技大学
IPC: C04B35/453 , C04B35/01 , C04B35/462 , C04B35/622
Abstract: 本发明公开了钙钛矿结构无铅压电陶瓷,用组成通式为:(1-x)(M1/4M′3/4)(M″1/4M‴3/4)O3-x(Na1/2Bi1/2)TiO3+zMeaOb、(1-x)(M1/4M′3/4)(M″1/4M‴3/4)O3-x(K1/2Bi1/2)TiO3+zMeaOb、(1-x-y)(M1/4M′3/4)(M″1/4M‴3/4)O3-xBaTiO3-y(Na1/2Bi1/2)TiO3+zMeaOb、(1-x-y-u)(M1/4M′3/4)(M″1/4M‴3/4)O3-x(Na1/2Bi1/2)TiO3-yBaTiO3-u(Bi1/2K1/2)TiO3+zMeaOb或(1-x-y-u-v)(M1/4M′3/4)(M″1/4M‴3/4)O3-x(Na1/2Bi1/2)TiO3-yBaTiO3-u(Bi1/2K1/2)TiO3-v(Bi1/2Li1/2)TiO3+zMeaOb来表示,其中x、y、u、v和z表示摩尔分数,0
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