公开(公告)号：CN102351535B

公开(公告)日：2014-03-12

申请号：CN201110197606.5

申请日：2011-07-15

Applicant: 桂林电子科技大学

Inventor： 刘心宇 ,  胡耀斌 ,  江民红 ,  崔业让 ,  杨华斌 ,  马家峰

IPC: C04B35/495

Abstract: 本发明公开了一种低损耗铌酸钾钠基无铅压电陶瓷及其制备方法，该无铅压电陶瓷包含钙钛矿型铁电体（K0.5-xNa0.5+x）NbO3、助溶剂LiSbO3以及复合型铁电（磁）体Bi(FetMn1-t)O3。其通式用（1-y-z）（K0.5-xNa0.5+x）NbO3-yLiSbO3-zBi(FetMn1-t)O3来表示，式中0＜x＜0.5,0＜y＜0.1,0＜z＜0.1，0＜t＜1，通过选取适当的x、y、z和t值及工艺参数，用传统制陶工艺制成新的陶瓷产品。本发明提供的压电材料的优点是：致密性好，介电损耗低，压电性能优良，居里温度高，压电性能热稳定性好，制备工艺稳定，采用传统手段获得；烧结温度较低，约1050～1130℃。

公开(公告)号：CN102351535A

公开(公告)日：2012-02-15

申请号：CN201110197606.5

申请日：2011-07-15

Applicant: 桂林电子科技大学

Inventor： 刘心宇 ,  胡耀斌 ,  江民红 ,  崔业让 ,  杨华斌 ,  马家峰

IPC: C04B35/495 ,  C04B35/622

Abstract: 本发明公开了一种低损耗铌酸钾钠基无铅压电陶瓷及其制备方法，该无铅压电陶瓷包含钙钛矿型铁电体（K0.5-xNa0.5+x）NbO3、助溶剂LiSbO3以及复合型铁电（磁）体Bi(FetMn1-t)O3。其通式用（1-y-z）（K0.5-xNa0.5+x）NbO3-yLiSbO3-zBi(FetMn1-t)O3来表示，式中0＜x＜0.5,0＜y＜0.1,0＜z＜0.1，0＜t＜1，通过选取适当的x、y、z和t值及工艺参数，用传统制陶工艺制成新的陶瓷产品。本发明提供的压电材料的优点是：致密性好，介电损耗低，压电性能优良，居里温度高，压电性能热稳定性好，制备工艺稳定，采用传统手段获得；烧结温度较低，约1050～1130℃。

公开(公告)号：CN102351533A

公开(公告)日：2012-02-15

申请号：CN201110197549.0

申请日：2011-07-15

Applicant: 桂林电子科技大学

Inventor： 刘心宇 ,  崔业让 ,  江民红 ,  胡耀斌 ,  袁昌来

IPC: C04B35/49 ,  C04B35/622

Abstract: 本发明公开了一种低温烧结高压电性能的锆钛酸钡钙基无铅压电陶瓷及其制备方法，其特征是：锆钛酸钡钙基无铅压电陶瓷的化学组成通式为：(1-x)(Ba0.85Ca0.15)(Zr0.9Ti0.1)O3-XMαOβ其中:0＜x＜0.01，MαOβ表示氧化物，α和β分别表示相关氧化物中相应的元素M和氧的原子数；其M为Ce、Sm、Yb、Nd中的一种或几种元素，以(Ba0.85Ca0.15)(Zr0.9Ti0.1)O3为基体，以MαOβ为助烧剂，经传统制陶工艺烧制而成。本发明(Ba0.85Ca0.15)(Zr0.9Ti0.1)O3-MαOβ无铅压电陶瓷，具有低烧结温度、优良的压电性能及综合性能。通过选择适当的配方及工艺参数，烧结温度在1300-1350℃适合于工业烧结温度，均可使该体系的陶瓷各项性能良好。