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公开(公告)号：CN107895600A
公开(公告)日：2018-04-10
申请号：CN201711207507.4
申请日：2017-11-27
Applicant: 中国有色桂林矿产地质研究院有限公司 , 桂林电子科技大学
Abstract: 本发明公开了一种防雷型氧化锌压敏电阻电极银浆及其制备方法，包括如下步骤：1)制备玻璃粉：称取原料，混合均匀，进行熔炼，然后取出，水淬、粉碎、球磨、过筛，干燥后过筛得到玻璃粉；2)制备有机载体：称取树脂和有机溶剂，将树脂溶于有机溶剂中，再加入分散剂和防沉剂作为助剂，搅拌均匀形成有机载体；3)称取银粉、银包锌合金粉、玻璃粉、金属氧化物粉添加到有机载体中，搅拌均匀，研磨，真空脱气，检测合格即得本发明银浆。
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公开(公告)号：CN106098420A
公开(公告)日：2016-11-09
申请号：CN201610587694.2
申请日：2016-07-25
Applicant: 桂林电子科技大学
CPC classification number: H01H1/021 , C25D15/00 , H01H11/04 , H01H11/048
Abstract: 本发明公开了一种电触头表面镀层添加材料及电触头制造方法，所述镀层添加材料由处于缺氧状态且失氧量在0.1%到5%内的多种氧化物粉体混合组成，该多种氧化物粉体是由SnO2、ZnO、In2O3、La2O3、Bi2O3、Y2O3、Sc2O3、CeO2、WO3中的两种或多种组成。在上述添加材料中加入分散剂，以纯水为介质球磨得到固含量为5%到35%的悬浮液；然后将悬浮液加入到含银的电镀液中，得到复合电镀液，采用现有电镀工艺将金属电触头基体在上述复合电镀液中镀上一层表面镀层后制得成品电触头。本发明可以提升电镀时表面镀层中氧化物粉体的含量及均匀性，降低银使用量的同时提高电触头表面镀层抗电弧侵蚀和抑制温升。
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公开(公告)号：CN106057506A
公开(公告)日：2016-10-26
申请号：CN201610571251.4
申请日：2016-07-19
Applicant: 桂林电子科技大学
Abstract: 本发明公开了一种用于电触头表面镀层的添加材料及电触头制造方法。所述添加材料是由Sb掺杂SnO2、Sn掺杂In2O3、CsWO3组成的混合氧化物粉体；所述电触头制造方法：在该添加材料中加入适量分散剂，以纯水为介质球磨得到悬浮液；然后将悬浮液加入到含银的电镀液中，将金属电触头基体在上述复合电镀液中镀上一层银‑氧化物表面镀层。采用本发明制得的电触头(片)具有较高的打弧(较好的抗电弧侵蚀)和温升的抑制能力(抑制温升)。
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公开(公告)号：CN106025089A
公开(公告)日：2016-10-12
申请号：CN201610416195.7
申请日：2016-06-14
Applicant: 桂林电子科技大学
IPC: H01L51/48
CPC classification number: Y02E10/549 , H01L51/0029
Abstract: 本发明公开了一种高效稳定有机聚合物太阳能电池的制备方法，在透明导电电极上依次制备TiO2纳米粒子晶体层、电子传输层、有机活性层、空穴传输层和顶层电极，得到倒置太阳能电池结构，所述倒置太阳能电池结构置于一定湿度和含氧气体环境中静置处理；通过该方法，能显著提升器件效率，提升幅度可达1.5倍，且器件的稳定性能得到明显改善，1000小时暴露在高湿度大气环境中，效率衰减幅度小于15％；且该方法工艺简单、成本低廉、适应于大规模生产应用。
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公开(公告)号：CN104891821A
公开(公告)日：2015-09-09
申请号：CN201510220449.3
申请日：2015-05-04
Applicant: 桂林电子科技大学
IPC: C03C17/22
Abstract: 本发明公开了一种应用不同浓度的前驱液制备多层BiFeO3薄膜的方法，所述方法包括：(1)将Bi(NO3)3·5H2O、Fe(NO3)3·5H2O溶于乙二醇甲醚和乙酸酐混合而成的混合液中，分别配置出高浓度的A前驱液和低浓度的B前驱液。(2)在基片上旋涂A前驱液或B前驱液，并将其烘烤、冷却，得到单层BiFeO3薄膜。(3)在单层BiFeO3薄膜上再旋涂B前驱液或A前驱液，并将其烘烤、冷却，得到双层BiFeO3薄膜。(4)根据厚度需要交替旋涂A前驱液或B前驱液并烘烤、冷却，得到多层BiFeO3薄膜。本发明通过高、低浓度层交替搭配来提高薄膜的致密性进而降低薄膜的漏电流，提高薄膜的铁电性能，而且可以保证薄膜的制备效率。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN104681730A
公开(公告)日：2015-06-03
申请号：CN201510065767.7
申请日：2015-02-09
Applicant: 桂林电子科技大学
Abstract: 本发明公开了一种具有梯度结构空穴注入传输体系的紫外有机电致发光器件，包括衬底层、阳极层、发光层、电子传输层、电子注入层、反射金属阴极层，其特征是，还包括梯度结构空穴注入传输体系层，所述衬底层、阳极层、梯度结构空穴注入传输体系层、发光层、电子传输层、电子注入层、反射金属阴极层顺序叠接为一体，从阳极层由正向负连接反射金属阴极层构成外电路。这种器件梯度结构空穴注入传输体系有效地促进了空穴的注入和传输，增加了发光层中空穴的数量，促进了空穴-电子的平衡性，因而有更多的空穴与电子在发光层中复合产生近紫外光发射，提高了紫外OLED器件的辐照度和发光效率。本发明同时公开了这种器件的制备方法。
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公开(公告)号：CN103956266A
公开(公告)日：2014-07-30
申请号：CN201410146863.X
申请日：2014-04-14
Applicant: 桂林电子科技大学
Abstract: 本发明涉及一种无铅Bi0.5Na0.5TiO3基高储能密度薄膜电容器及其制备方法，包括衬底硅片上溅射金属下电极、溅射Bi0.5Na0.5TiO3基高储能密度薄膜中间层、薄膜上溅射金属上电极形成三层结构。Bi0.5Na0.5TiO3基高储能密度薄膜层具体由(1-x)(0.94Bi0.5Na0.5TiO3-0.06BaTiO3)-xK0.5Na0.5NbO3（0.01≤x≤0.1）组成；金属上、下电极材料为金属Ag、Au、Pt中的一种。先制备(1-x)(0.94Bi0.5Na0.5TiO3-0.06BaTiO3)-xK0.5Na0.5NbO3陶瓷靶材，然后采用磁控溅射工艺将其溅射到已溅射有金属下电极的硅片衬底上形成Bi0.5Na0.5TiO3基高储能密度薄膜层；再在薄膜上使用溅射工艺制备金属上电极。本发明制备的高储能密度薄膜电容器体积小，薄膜层厚度0.5~1.5μm，其储能密度为20~45J/cm3。
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公开(公告)号：CN119193141A
公开(公告)日：2024-12-27
申请号：CN202411352593.8
申请日：2024-09-26
Applicant: 桂林电子科技大学
Abstract: 本发明涉及光致发光技术及LED器件领域，具体提供了一种荧光薄膜、发光器件，及薄膜的制备方法。荧光薄膜中包含碳点和聚乙烯吡咯烷酮，碳点和聚乙烯吡咯烷酮均匀分布，荧光薄膜在激发光照射下产生光致发光现象。方法包括如下步骤：步骤一，制备碳点溶液；步骤二，制备聚乙烯吡咯烷酮溶液；步骤三，将碳点溶液和聚乙烯吡咯烷酮溶液混合，得到混合液；步骤四，将混合液滴涂于载体表面，在室温下自然凝固，即在载体表面形成荧光薄膜。器件包括LED芯片，以及设置于LED芯片发光面上的荧光薄膜；荧光薄膜为碳点和聚乙烯吡咯烷酮的混合物。本发明方案中，PVP中的羰基和氮原子与碳点表面相互作用，避免了碳点的团聚，从而提高发光效率。
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公开(公告)号：CN114791445B
公开(公告)日：2024-08-23
申请号：CN202210463275.3
申请日：2022-04-28
Applicant: 电子科技大学中山学院 , 桂林电子科技大学
IPC: G01N27/12
Abstract: 本申请涉及半导体气体传感器领域，具体提供了一种贵金属修饰复合型气体传感器，包括基底层、电极层、金属氧化物半导体薄膜层、响应层，电极层包括一个正极和两个负极，金属氧化物半导体薄膜层包括第一金属氧化物半导体薄膜和两个第二金属氧化物半导体薄膜，响应层包括石墨烯薄膜和贵金属纳米颗粒。正极位于基底层中间位置，负极设置于基底层两侧，正极上方覆盖有第一金属氧化物半导体薄膜，两个负极上方覆盖有第二金属氧化物半导体薄膜。第一金属氧化物半导体薄膜上方固定设置有石墨烯薄膜，两个第二金属氧化物半导体薄膜上方均固定设置有贵金属纳米颗粒。
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公开(公告)号：CN113725374B
公开(公告)日：2024-02-02
申请号：CN202110801218.7
申请日：2021-07-15
Applicant: 桂林电子科技大学
Abstract: 本发明涉及半导体器件领域，公开了一种倒置结构OLED器件与制备方法，包括制备碳酸锂‑甲酸溶液；制备碳酸锂‑硼酸溶液；处理ITO透明阴极；在ITO透明阴极涂覆碳酸锂‑甲酸溶液和碳酸锂‑硼酸溶液中的一种，并退火得到电子注入层，最后在多源热蒸发系统依次沉积BPhen电子传输层、PBD发光层、CBP空穴传输层、MoO3空穴注入层和Al阳极，得到倒置结构OLED器件。碳酸锂‑甲酸作为电子注入层，基于PBD发光层，OLED器件表现出优异的光电器件性能，有5.24mW/cm2的最大辐射度和2.47％的EQE，碳酸锂‑甲酸层表现出优异的电子性能并有助于电子注入，从而提高了倒置结构OLED器件的电光性能。
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