-
公开(公告)号：CN115036428A
公开(公告)日：2022-09-09
申请号：CN202210435522.9
申请日：2022-04-24
Applicant: 桂林电子科技大学
Abstract: 本发明属于光电薄膜技术领域，具体公开一种通过界面修饰处理来改善钙钛矿薄膜在疏水性空穴传输层上浸润性差导致的薄膜覆盖率低，薄膜质量差，易出现界面间隙孔洞和钙钛矿薄膜孔洞从而导致无界面修饰处理的钙钛矿薄膜制备的钙钛矿太阳电池器件能量转换效率低；改善钙钛矿层的薄膜覆盖率、结晶形貌，界面接触，消除了钙钛矿薄膜孔洞，经过聚氧化乙烯界面修饰处理制备的钙钛矿太阳电池的能量转换效率高达20.11％，且室温N2氛围下86天还能保持初始效率的99％。
-
公开(公告)号：CN109802041B
公开(公告)日：2022-08-02
申请号：CN201910082634.9
申请日：2019-01-28
Applicant: 桂林电子科技大学
Abstract: 本发明提供一种非富勒烯钙钛矿平面异质结太阳能电池及制备方法，属于新型薄膜太阳能电池领域。该发明电池采用透明导电材料为阳极，银作为阴极，采用光电性能优异的IT基非富勒烯材料为电子传输层材料，以低温金属乙酰丙酮金属螯合物为阴极界面修饰层，采用的器件结构为典型的钙钛矿太阳能电池倒置结构；本发明中电子传输层相比传统的富勒烯电子传输层具有独到的优势，能显著增加光的吸收率，提升电子的提取效率以及更小的回滞因子；整体器件制备温度可以控制在100度以内，其效率可以媲美传统的富勒烯钙钛矿太阳能电池，并且制作方法简单、成本低廉、效果明显，能广泛适用于很多不同类型的平面异质结钙钛矿太阳能电池之中，可以大规模生产应用。
-
公开(公告)号：CN108910939B
公开(公告)日：2020-11-10
申请号：CN201810883716.9
申请日：2018-08-06
Applicant: 桂林电子科技大学
Abstract: 本发明提供一种超薄CuInS2纳米片，所述纳米片为二维介晶材料，具有单层或多层结构，厚度0.65～3nm，尺寸在100～900nm；所述超薄CuInS2纳米片的制备方法，包括以下步骤：制备巯基乙胺配位的Cu+和In3+前驱体溶液；制备巯基乙胺包裹的超小CuInS2量子点；制备单层或多层超薄CuInS2纳米片，本发明提供的超薄CuInS2纳米片具有二维介晶结构，能够用于太阳能电池和光催化等领域；本发明提供的制备方法采用水相合成工艺，可大批量制备，纳米片的厚度和尺寸易于控制，具有可控性强，工艺参数容易控制，安全绿色无污染、产率高的优点。
-
公开(公告)号：CN111092157A
公开(公告)日：2020-05-01
申请号：CN201911421452.6
申请日：2019-12-31
Applicant: 桂林电子科技大学
Abstract: 本发明公开了一种高效稳定钙钛矿太阳能电池的制备方法，该方法包含：在透明导电衬底上旋涂空穴传输层，在60～100℃退火处理；将钙钛矿层旋涂于空穴传输层上，在80～140℃退火处理；将旋涂钙钛矿层后的材料置于湿度为24～39％的空气环境中静置；将电子传输层旋涂在钙钛矿层上，在80～100℃退火处理；将阴极修饰层旋涂在电子传输层上；将金属电极真空蒸镀在阴极修饰层上。本发明的方法利用空气中无处不在的水分对钙钛矿薄膜进行处理，使得钙钛矿薄膜与空气充分接触，在水分的作用下使钙钛矿分解再重结晶，以增大钙钛矿晶粒，减少晶界面积，降低缺陷态密度，改善界面电荷传输，从而提高PSCs器件性能。
-
公开(公告)号：CN119907607A
公开(公告)日：2025-04-29
申请号：CN202510087004.6
申请日：2025-01-20
Applicant: 桂林电子科技大学
Abstract: 本发明提供了一种空穴传输层界面修饰的优化方法及其应用，属于太阳能电池材料技术领域。本发明所选用的修饰材料包括肉桂醇、香茅醇和苯乙醇等，这些材料具有经济和环保的特点，且能够溶解于醇类溶剂，适合采用喷涂等简便方式进行大面积修饰，以实现对空穴传输层的低成本、无损处理。通过这些修饰材料，可以有效改善空穴传输层的表面特性。依赖于极性与非极性功能基团的协同作用，可在空穴传输层与钙钛矿前驱体之间产生铰链效应，从而调控钙钛矿的结晶过程，优化界面接触，进而提升器件性能、稳定性与制备重复性。同时，借助分子功能基团的极性差异，实现有序的分子组装，构建界面电场，从而调控阳极界面的载流子传输动力学，增强器件性能。
-
Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN114447234B
公开(公告)日：2023-04-18
申请号：CN202210017858.3
申请日：2022-01-07
Applicant: 桂林电子科技大学
Abstract: 本发明提供有机无机杂化钙钛矿表界面处理方法、材料及应用，包括：步骤1)制备有机无机杂化钙钛矿薄膜；步骤2)在步骤1)制备有机杂化钙钛矿薄膜表面采用N‑苄氧羰基‑D缬氨酸材料处理；步骤3)将步骤2)得到N‑苄氧羰基‑D‑缬氨酸材料处理的有机无机杂化钙钛矿薄膜进行适当的热处理。本发明通过该简易方便的表面处理方法可以达到调整整个钙钛矿薄膜质量的功效，该方法工艺简单、成本低廉、绿色无污染，适应于大规模生产应用。
-
公开(公告)号：CN115498114A
公开(公告)日：2022-12-20
申请号：CN202210800381.6
申请日：2022-07-06
Applicant: 桂林电子科技大学
Abstract: 本发明涉及光伏电池技术领域，且公开了一种倒置钙钛矿太阳能电池阴极界面强化处理材料、方法及应用，包括以下步骤：步骤1.制备有机无机杂化钙钛矿薄膜、电子传输层；步骤2.在电子传输层上插入2,2'‑(1,3‑苯基)二[5‑(4‑叔丁基苯基)‑1,3,4‑恶二唑]材料及其衍生物的一种或几种混合的阴极界面强化层,本发明与现有技术相比具有更好的稳定性和器件的使用寿命，阴极界面强化层中含有氮杂环，能够化学吸附并配位作用在金属电极上，够抑制金属电极在Cl‑、Br‑、I‑等卤素环境中的电化学腐蚀，提高金属电极的防腐蚀性能，抑制由电极腐蚀所引发的钙钛矿电池的效率衰减。与此同时，阴极界面强化层可以消除界面势垒，提高载流子传输。提升器件性能与寿命。
-
公开(公告)号：CN111129315A
公开(公告)日：2020-05-08
申请号：CN201911421476.1
申请日：2019-12-31
Applicant: 桂林电子科技大学
Abstract: 本发明公开了一种倒置平面异质结杂化钙钛矿太阳能电池及制备方法，采用倒置平面异质结结构太阳能电池，分别使用透明电极和银作为阳极和阴极，聚(三芳胺)为空穴传输层，富勒烯衍生物PC61BM为电子传输层，聚乙烯吡咯烷酮为钙钛矿钝化层。本发明中的聚乙烯吡咯烷酮能够有效的钝化钙钛矿晶界，降低钙钛矿表面缺陷，降低钙钛矿电池的串联电阻，提高太阳能电池的填充因子和电流密度，最后提高了太阳能电池的光电转化效率，修饰钝化后的钙钛矿太阳能电池性能较未钝化的器件性能有较大的提升。本发明工艺操作简单、可重复性高、成本较低，能够适用于多种平面异质结钙钛矿太阳能电池的制备和大规模应用。
-
公开(公告)号：CN106025089A
公开(公告)日：2016-10-12
申请号：CN201610416195.7
申请日：2016-06-14
Applicant: 桂林电子科技大学
IPC: H01L51/48
CPC classification number: Y02E10/549 , H01L51/0029
Abstract: 本发明公开了一种高效稳定有机聚合物太阳能电池的制备方法，在透明导电电极上依次制备TiO2纳米粒子晶体层、电子传输层、有机活性层、空穴传输层和顶层电极，得到倒置太阳能电池结构，所述倒置太阳能电池结构置于一定湿度和含氧气体环境中静置处理；通过该方法，能显著提升器件效率，提升幅度可达1.5倍，且器件的稳定性能得到明显改善，1000小时暴露在高湿度大气环境中，效率衰减幅度小于15％；且该方法工艺简单、成本低廉、适应于大规模生产应用。
-
公开(公告)号：CN107612502B
公开(公告)日：2024-10-15
申请号：CN201710952644.4
申请日：2017-10-13
Applicant: 桂林电子科技大学
Abstract: 本发明提供一种太阳能电池寿命测试装置，包括：用于放置太阳能电池组件的密封腔体、密封压盖，所述密封腔体与密封压盖通过铰链连接；在所述密封压盖上设置有阳光透光片，密封腔体上设置有红外透光片，所述阳光透光片、红外透光片上透过的光均能够照射在太阳能电池组件上；在密封腔体上设置有进气口、出气口、传感器安装固定机构、以及密封型电极引线接头；所述密封腔体、密封压盖构成的腔体内壁为黑色。本发明可以明确太阳能电池器件衰减中的主导因素，明确各个因素之间的协同效应，能为提升电池稳定性提供直接的实验支撑，填补了分因数太阳能电池寿命测试的空白。
-
-
-
-
-
-
-
-
-
Search Results
26
records
(took 0.038 seconds)
