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公开(公告)号：CN111327277A
公开(公告)日：2020-06-23
申请号：CN202010120589.4
申请日：2020-02-26
Applicant: 桂林电子科技大学
Abstract: 本发明公开了一种S波段GaN MMIC低噪声放大器，电路结构包括：第一级场效应晶体管放大器、输入匹配网络、第一级栅极偏置网络、第一级漏极电阻、第一级漏极偏置网络、级间匹配网络、第二级栅极电阻、第二级场效应晶体管放大器、输出级匹配网络、第二级漏极偏置网络、第二级漏极电阻和第二级栅极偏置网络。通过电阻形成的负反馈网络加强电路稳定性的同时调节了电路增益，提高了低噪声放大器的线性度。可实现低噪声放大器射频输入信号大、噪声系数低、工作频带内增益平坦度良好的性能。
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公开(公告)号：CN108736118B
公开(公告)日：2020-04-21
申请号：CN201810274867.4
申请日：2018-03-29
Applicant: 桂林电子科技大学
IPC: H01P1/208
Abstract: 本发明公开一种基于表面等离激元的非对称结构圆腔滤波器的设计。采用口径耦合的方法构造了一种金属‐介质‐金属非对称结构的滤波器，由两个圆谐振腔通过两个矩形口径与光波导相连。在本发明实例中，金属薄膜采用金属银材料制成金属薄膜整体为正方形。利用表面等离激元SPP与谐振腔的共振耦合作用，本发明的特点：通过调节谐振腔半径的大小和谐振腔的个数等，可以显著增加滤波器的阻带此外阻带平坦并且透射率极低。
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公开(公告)号：CN110823841A
公开(公告)日：2020-02-21
申请号：CN201911178130.3
申请日：2019-11-27
Applicant: 桂林电子科技大学
IPC: G01N21/552 , G01N21/41 , G01R33/032 , G01K11/32
Abstract: 本发明公开了一种基于磁光效应的D型光子晶体光纤多参量SPR传感器。所述D型光子晶体光纤传感器包括具有平面壁和曲面侧壁的多模光子晶体光纤，其横截面呈D形，在所述D型侧面上具有传感层，纤芯右侧对称的空气孔填充有温敏介质，纤芯下方空气孔填充有磁光介质。本发明在D形光子晶体光纤侧抛表面镀有一层金薄膜，作为传感层，实现高灵敏度的SPR折射率传感器，温敏介质由甲苯构成，实现温度传感，磁光介质由Fe3O4构成，实现磁场传感。本发明的优点是：克服了传统光纤传感器传感参数单一的不足，实现了温度、磁场、折射率三参量的实时测量。另外D型结构的设计减小了传感层与纤芯的距离，有利于与样品的强相互作用，进而实现了高达57900nm/RIU的超高传感灵敏度。该传感器设计新颖，体积小，集成度高，在未来实现光电子集成器件及多功能传感检测领域具有重要的应用前景。
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公开(公告)号：CN109607597A
公开(公告)日：2019-04-12
申请号：CN201910042497.6
申请日：2019-01-17
Applicant: 桂林电子科技大学
IPC: C01G15/00
Abstract: 本发明涉及纳米材料技术领域，尤其涉及一种核壳结构Ga2O3/In2O3纳米晶粒及其制备方法，所述Ga2O3/In2O3纳米晶粒具有核壳结构，所述核壳结构是以Ga2O3为核，In2O3为壳，以金属镓和金属铟为原料，经混合后置于真空管式炉中，反应而成。本发明的一种核壳结构Ga2O3/In2O3纳米晶粒及其制备方法，效率高、成本低、产品收率高，制备所得到的Ga2O3/In2O3纳米晶粒具有的核壳结构，提高了迁移率且降低漏电。
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公开(公告)号：CN109059971A
公开(公告)日：2018-12-21
申请号：CN201811114621.7
申请日：2018-09-25
Applicant: 桂林电子科技大学
IPC: G01D5/353
CPC classification number: G01D5/35387 , G01D5/35306
Abstract: 本发明提出了一种三孔缝结构的传感器，利用此结构的三个偶极子谐振单元的明模式谐振与暗模式谐振的互作用，产生具有陡的非对称的响应谱线型，从而设计出具有法诺共振现象透射谱的三孔缝结构的传感器。在相同的开关对比度情况下，非对称响应谱线线型所需的波长偏移或者间隔比由单一的谐振腔得到的对称的类洛仑兹线型的谱宽小，可增加波分复用器的波长分辨率以及生物传感器的灵敏度。通过调控结构的几何参数，透射谱中出现了法诺峰的不同程度的红移，可实现法诺谐振的调谐，由缩比定理等比例地改变结构参数的尺度能实现传感器中谐振频率频段的变化，即工作频段不限于THz频段，本传感器可用于波分复用器、光开关、生物传感器等领域。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN108736118A
公开(公告)日：2018-11-02
申请号：CN201810274867.4
申请日：2018-03-29
Applicant: 桂林电子科技大学
IPC: H01P1/208
Abstract: 本发明公开一种基于表面等离激元的非对称结构圆腔滤波器的设计。采用口径耦合的方法构造了一种金属‐介质‐金属非对称结构的滤波器，由两个圆谐振腔通过两个矩形口径与光波导相连。在本发明实例中，金属薄膜采用金属银材料制成金属薄膜整体为正方形。利用表面等离激元SPP与谐振腔的共振耦合作用，本发明的特点：通过调节谐振腔半径的大小和谐振腔的个数等，可以显著增加滤波器的阻带此外阻带平坦并且透射率极低。
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公开(公告)号：CN108681707A
公开(公告)日：2018-10-19
申请号：CN201810463134.5
申请日：2018-05-15
Applicant: 桂林电子科技大学
CPC classification number: G06K9/00825 , G06K9/00744 , G06K9/6292 , G06K2209/23 , G06N3/0454 , G06N3/084
Abstract: 本发明公开一种基于全局和局部特征融合的大角度车型识别方法和系统，当车辆经过车型识别采集区时截取出包含车辆的图像，首先对截取的包含车辆的图像进行裁剪，得到去除复杂背景的车辆图片，将车辆图片分割为车脸图像分块、车尾图像分块和车轮图像分块。再将车辆图片、车脸图像分块、车尾图像分块和车轮图像分块导入到深层多分支卷积神经网络中对车辆的全局和局部特征进行特征训练，并将车辆图片特征和各个分块特征进行特征融合。后通过分类器对融合后的特征进行分类识别。本发明将大角度车辆的全局和局部特征进行融合，能够明显的提高大角度车型识别的准确率。
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公开(公告)号：CN119776773A
公开(公告)日：2025-04-08
申请号：CN202411877105.5
申请日：2024-12-18
Applicant: 桂林电子科技大学 , 中国电子科技集团公司第三十四研究所
Abstract: 本申请提供一种镓铟氧化物薄膜及其制备方法，该镓铟氧化物薄膜通过脉冲激光沉积法基于一衬底制备并包括主外延层和缓冲层，缓冲层连接在衬底与主外延层之间，且主外延层和缓冲层的化学式均为(Ga1‑xInx)2O3，其中，0.1≤x≤0.5。该制备方法包括：提供一衬底；通过脉冲激光沉积法在衬底上沉积一层镓铟氧化物的缓冲层，得到中间产物；通过脉冲激光沉积法在缓冲层上再沉积一层镓铟氧化物的主外延层，制得镓铟氧化物薄膜。本申请通过在主外延层制备之前先制备一层薄的缓冲层，可提升薄膜的结晶质量，改善薄膜缺陷密度高等问题，减少镓铟氧化物薄膜缺陷，从而获得高质量的镓铟氧化物薄膜。
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公开(公告)号：CN119277181A
公开(公告)日：2025-01-07
申请号：CN202411661445.4
申请日：2024-11-20
Applicant: 桂林电子科技大学 , 桂林艾瑞科技有限公司
Abstract: 本申请涉及基于超透镜的高清X射线成像系统，包括闪烁体、成像透镜组和成像模块；所述闪烁体将入射的X射线转换成可见光，所述可见光经过所述成像透镜组进行聚焦，所述成像模块进行图像采集；所述成像透镜组包括透镜组、超透镜和反光镜；所述闪烁体的发光峰的半高全宽在所述超透镜的工作波长±10nm范围内；通过引入具有小型化、轻量化、可集成和多功能化特征的超透镜，能过够获得更高空间分辨成像的同时方便集成，解决了现有技术存在的困难，对推进超透镜的实用化具有重要意义。
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公开(公告)号：CN118890957A
公开(公告)日：2024-11-01
申请号：CN202410921181.5
申请日：2024-07-10
Applicant: 桂林电子科技大学
Abstract: 本发明属于微电子存储技术领域，公开了一种基于柔性衬底的铁酸铋铁电存储器及其制备方法，该基于柔性衬底的铁酸铋铁电存储器由下至上依次为云母基底层、SrTiO3缓冲层、La0.65Sr0.35MnO3底电极层、BiFeO3铁电功能氧化物层和Pt上电极层；其制备方法包括：S1、去除云母表面杂质，等待薄膜生长；S2、制备缓冲层；S3、制备底电极层；S4、原位退火；S5～S6、制备BiFeO3铁电功能氧化物层；S7、原位退火；S8、制备Pt上电极层。本发明利用云母作为基底材料、SrTiO3作为缓冲层、La0.65Sr0.35MnO3作为底电极、BiFeO3作为铁电功能氧化物、Pt金属作为上电极，形成多层叠堆结构，使其能够在柔性器件中实现数据的读取和存储功能。本发明适用于可穿戴设备、柔性人工突触等领域。
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