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公开(公告)号：CN110912523A
公开(公告)日：2020-03-24
申请号：CN201910863427.7
申请日：2019-09-12
Applicant: 株式会社村田制作所
Abstract: 本发明提供一种能够抑制放大用的异质结双极晶体管的温度上升时的动作的热稳定性的降低的高频功率放大器。半导体芯片包括：至少一个第一晶体管，放大高频信号；第一外部连接用导电部件，与第一晶体管连接；偏置电路，包括对第一晶体管给予偏置电压的第二晶体管；以及第二外部连接用导电部件，与第二晶体管连接。在俯视时，第二外部连接用导电部件与第二晶体管至少部分重叠。
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公开(公告)号：CN110391196A
公开(公告)日：2019-10-29
申请号：CN201910221467.1
申请日：2019-03-22
Applicant: 株式会社村田制作所
IPC: H01L23/367 , H01L23/48
Abstract: 一种半导体装置，在印刷电路基板安装半导体芯片。半导体芯片在基板的与印刷电路基板对置的第一面形成有源元件。在与有源元件不同的位置设置由热传导率比基板高的材料构成的热传导膜。在第一面上配置覆盖有源元件以及热传导膜的绝缘膜。在绝缘膜上设置与热传导膜电连接的凸块。设置从与第一面相反侧的第二面到达热传导膜的贯通导通孔。从在俯视时与有源元件重叠的第二面的区域到贯通导通孔的内面连续地配置由热传导率比基板高的材料构成的热传导部件。半导体芯片的凸块与印刷电路基板的连接盘连接，半导体芯片被密封树脂密封。
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公开(公告)号：CN109994440A
公开(公告)日：2019-07-09
申请号：CN201811490781.1
申请日：2018-12-06
Applicant: 株式会社村田制作所
IPC: H01L23/367 , H01L27/082
Abstract: 本发明提供一种能够减小形成在同一基板的多个单位晶体管的动作时的温度之差而提高作为晶体管整体的性能的半导体装置。在形成于基板的多个单位晶体管的动作区域的上方配置有布线，在其上配置有绝缘膜。在绝缘膜设置有在俯视下整个区域与布线重叠的开口。在绝缘膜上配置有穿过开口与布线电连接的金属构件。单位晶体管在基板上在第一方向上并列地配置。开口的几何中心相对于单位晶体管中的每一个的动作区域的几何中心在第一方向上偏移。在将具有与单位晶体管中的每一个的动作区域的几何中心最近的几何中心的开口定义为最靠近开口时，从动作区域的几何中心到最靠近开口的几何中心的向第一方向的偏移量，从单位晶体管的排列的中心朝向端部而变大。
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公开(公告)号：CN106301396B
公开(公告)日：2019-03-15
申请号：CN201610191805.8
申请日：2016-03-30
Applicant: 株式会社村田制作所
Abstract: 本发明提供一种对应于多模和多频并且适用于下行载波聚合的通信单元，其具备第1功率放大模块和第2功率放大模块，第1功率放大模块包括：对第1通信方式下的第1发送信号进行放大的第1功率放大器、对第1通信方式下的第2发送信号进行放大的第2功率放大器、对第2通信方式下的第3发送信号进行放大的第3功率放大器、对第2通信方式下的第4发送信号进行放大的第4功率放大器、生成第1偏置电流的第1偏置电流生成电路、以及将第1偏置电流转换成第2偏置电流的偏置电流转换电路，第2功率放大模块包括：对第1通信方式下的第5发送信号进行放大的第5功率放大器、以及生成提供给第5功率放大器的第3偏置电流的第2偏置电流生成电路。
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公开(公告)号：CN104883143B
公开(公告)日：2019-01-22
申请号：CN201510090710.2
申请日：2015-02-28
Applicant: 株式会社村田制作所
Inventor： 筒井孝幸
IPC: H03F3/20
Abstract: 本发明的功率放大模块使应对多频带的功率放大模块的制造成本降低。该功率放大模块具有：第1信号输入端子，向该第1信号输入端子输入第1频带的第1无线频率信号；第2信号输入端子，向该第2信号输入端子输入第2频带的第2无线频率信号；第1～第3功率放大器；以及偏置控制电路，第1信号输入端子与第1功率放大器的输入端子进行电连接，第2信号输入端子与第2功率放大器的输入端子进行电连接，第1以及第2功率放大器的输出端子与第3功率放大器的输入端子进行电连接，偏置控制电路对应于第1以及第2频带中所选择的频带，进行控制以向第1以及第2功率放大器的一方提供偏置电流。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN106301396A
公开(公告)日：2017-01-04
申请号：CN201610191805.8
申请日：2016-03-30
Applicant: 株式会社村田制作所
CPC classification number: H04W52/52 , H03F1/0261 , H03F3/195 , H03F3/245 , H03F3/68 , H03F2200/111 , H04B7/265 , H04L5/14 , H04W72/042 , H04W88/06 , H04B1/005
Abstract: 本发明提供一种对应于多模和多频并且适用于下行载波聚合的通信单元，其具备第1功率放大模块和第2功率放大模块，第1功率放大模块包括：对第1通信方式下的第1发送信号进行放大的第1功率放大器、对第1通信方式下的第2发送信号进行放大的第2功率放大器、对第2通信方式下的第3发送信号进行放大的第3功率放大器、对第2通信方式下的第4发送信号进行放大的第4功率放大器、生成第1偏置电流的第1偏置电流生成电路、以及将第1偏置电流转换成第2偏置电流的偏置电流转换电路，第2功率放大模块包括：对第1通信方式下的第5发送信号进行放大的第5功率放大器、以及生成提供给第5功率放大器的第3偏置电流的第2偏置电流生成电路。
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公开(公告)号：CN104025452B
公开(公告)日：2016-09-21
申请号：CN201280065094.X
申请日：2012-12-05
Applicant: 株式会社村田制作所
CPC classification number: H04W52/246 , H03F1/0216 , H03F1/0227 , H03F1/0277 , H03F3/189 , H03F3/19 , H03F3/21 , H03F3/24 , H03F2200/102 , H03F2200/294 , H03F2200/504 , H04B1/0475 , H04W52/0251 , H04W52/0261 , H04W88/06 , Y02D70/00 , Y02D70/1246 , Y02D70/1262 , Y02D70/40
Abstract: 本发明提供一种能够实现功耗的降低的高频信号处理装置以及具备该高频信号处理装置的无线通信装置。例如，在对高频功率放大器(HPA)的指示功率电平(PWCS)在第二基准值以上的情况下，电源电压控制电路(VDCTL)使用包络线检测电路(ADETC)的检测结果对高速DC‑DC转换器(DCDC)进行控制，并且通过使偏置控制电路(BSCTL)指示固定的偏置值来进行包络追踪。另一方面，在该指示功率电平在第二基准值～第一基准值之间的情况下，VDCTL和BSCTL分别指示与该指示功率电平的下降成正比地下降的电源电压(VDD)和偏置值，在小于第一基准值的情况下，分别指示固定的VDD和偏置值。
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公开(公告)号：CN104025452A
公开(公告)日：2014-09-03
申请号：CN201280065094.X
申请日：2012-12-05
Applicant: 株式会社村田制作所
CPC classification number: H04W52/246 , H03F1/0216 , H03F1/0227 , H03F1/0277 , H03F3/189 , H03F3/19 , H03F3/21 , H03F3/24 , H03F2200/102 , H03F2200/294 , H03F2200/504 , H04B1/0475 , H04W52/0251 , H04W52/0261 , H04W88/06 , Y02D70/00 , Y02D70/1246 , Y02D70/1262 , Y02D70/40
Abstract: 本发明提供一种能够实现功耗的降低的高频信号处理装置以及具备该高频信号处理装置的无线通信装置。例如，在对高频功率放大器(HPA)的指示功率电平(PWCS)在第二基准值以上的情况下，电源电压控制电路(VDCTL)使用包络线检测电路(ADETC)的检测结果对高速DC-DC转换器(DCDC)进行控制，并且通过使偏置控制电路(BSCTL)指示固定的偏置值来进行包络追踪。另一方面，在该指示功率电平在第二基准值～第一基准值之间的情况下，VDCTL和BSCTL分别指示与该指示功率电平的下降成正比地下降的电源电压(VDD)和偏置值，在小于第一基准值的情况下，分别指示固定的VDD和偏置值。
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公开(公告)号：CN117038665A
公开(公告)日：2023-11-10
申请号：CN202310988186.5
申请日：2018-12-05
Applicant: 株式会社村田制作所
IPC: H01L27/02 , H01L23/488 , H01L21/60 , H01L23/367
Abstract: 本发明提供一种能够缓解在晶体管部分产生的热应力、能够抑制元件的尺寸的增大且能够抑制散热性的下降的半导体装置。在基板上的多个单位晶体管的动作区域的上方配置有第一布线。进而，在基板的上方配置有第二布线。在第一布线以及第二布线上配置有绝缘膜。在绝缘膜设置有在俯视下整个区域与第一布线重叠的第一开口以及与第二布线重叠的第二开口。配置在绝缘膜上的第一凸块穿过第一开口与第一布线连接，第二凸块穿过第二开口与第二布线连接。在俯视下，多个动作区域中的至少一个动作区域配置在第一凸块的内侧，配置在第一凸块的内侧的动作区域的至少一部分的区域配置在第一开口的外侧。第一开口的平面形状与第二开口的平面形状相同。
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公开(公告)号：CN110912523B
公开(公告)日：2023-10-27
申请号：CN201910863427.7
申请日：2019-09-12
Applicant: 株式会社村田制作所
Abstract: 本发明提供一种能够抑制放大用的异质结双极晶体管的温度上升时的动作的热稳定性的降低的高频功率放大器。半导体芯片包括：至少一个第一晶体管，放大高频信号；第一外部连接用导电部件，与第一晶体管连接；偏置电路，包括对第一晶体管给予偏置电压的第二晶体管；以及第二外部连接用导电部件，与第二晶体管连接。在俯视时，第二外部连接用导电部件与第二晶体管至少部分重叠。
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