公开(公告)号：CN1825553A

公开(公告)日：2006-08-30

申请号：CN200610005816.9

申请日：2002-11-29

Applicant: 株式会社半导体能源研究所

Inventor： 山崎舜平 ,  下村明久 ,  大谷久 ,  广木正明 ,  田中幸一郎 ,  志贺爱子 ,  秋叶麻衣 ,  笠原健司

IPC: H01L21/336 ,  H01L21/20 ,  H01L21/268

CPC classification number: H01L21/02686 ,  H01L21/0268 ,  H01L21/02691 ,  H01L21/2026 ,  H01L23/544 ,  H01L27/1285 ,  H01L29/04 ,  H01L2223/54453 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

Abstract: 根据TFT排列，实现对晶粒的位置控制，并且同时增加在结晶过程期间的处理速度。更具体地说，提供了一种用于半导体器件的制造方法，在这种制造方法中，通过人为控制的超级横向生长，能够连续形成具有大颗粒尺寸的晶体，并能够提高在激光结晶过程期间的基底处理效率。在该用于半导体器件的制造方法中，不对基底表面内的整个半导体膜进行激光照射，而是形成作为定位参照的标记，以便至少最低使必需的部分结晶。因此，激光结晶所需的时间周期可以被缩短，从而使之有可能加快基底的处理速度。将上述结构应用到传统的SLS方法，以便有可能解决传统SLS方法固有的基底处理效率差的问题。

公开(公告)号：CN1655187A

公开(公告)日：2005-08-17

申请号：CN200510009153.3

申请日：2005-02-04

Applicant: 株式会社半导体能源研究所

Inventor： 荒井康行 ,  秋叶麻衣 ,  馆村祐子 ,  神野洋平

IPC: G06K19/077

CPC classification number: G06K19/07722 ,  G06K19/07749 ,  G08B13/2417 ,  G08B13/2437

Abstract: 在粘结着非接触型或接触型ID标号或ID标签的商品和ID卡中，由于在用于通讯的天线和在天线周围所设置的树脂之间的热膨胀系数之间的差异所引起的应力会施加到具有较大热膨胀系数的树脂上，从而使得树脂断裂。这样会降低ID标号及其它等等的产量、寿命以及可靠性。在诸如根据本发明的ID标号、ID标签合ID卡的物品中，在形成ID标号、ID标签和ID卡的天线周围所设置的填充层中包括填充剂，从而可以减小在天线和填充层之间的热膨胀系数中的差异。这就有可能消除由于热膨胀系数中的差异所引起的应力产生，并能避免填充层的剥离和断裂。

公开(公告)号：CN1555082A

公开(公告)日：2004-12-15

申请号：CN200410063473.2

申请日：2002-10-30

Applicant: 株式会社半导体能源研究所

Inventor： 山崎舜平 ,  大谷久 ,  广木正明 ,  田中幸一郎 ,  志贺爱子 ,  秋叶麻衣

IPC: H01L21/00 ,  H01L21/324 ,  B23K26/00 ,  H01S3/00

CPC classification number: H01L21/02683 ,  B23K26/0604 ,  B23K26/0608 ,  B23K26/082 ,  B23K2101/007 ,  H01L21/02691 ,  H01L21/2026 ,  H01L27/1285

Abstract: 提供了一种可以提高基片处理的效率的连续振荡激光装置、一种激光辐射方法，和一种用该激光装置制造半导体器件的制造方法。根据掩模来控制在图形化以后应留在基片上的半导体薄膜的部分。然后，决定要由激光扫描的部分以便可以使至少通过图形化所得到的部分晶化。同时，束斑照射到要扫描的部分。因此，将半导体薄膜部分晶化。即，根据本发明，激光不扫描和辐射半导体薄膜的整个表面而是进行扫描使至少必不可少的部分被晶化。根据上述结构，可以节省激光辐射在半导体薄膜晶化以后将要通过图形化而去除的那一部分上所用的时间。

公开(公告)号：CN1517948A

公开(公告)日：2004-08-04

申请号：CN200310123564.6

申请日：2003-12-26

Applicant: 株式会社半导体能源研究所

Inventor： 高山彻 ,  丸山纯矢 ,  后藤裕吾 ,  大野由美子 ,  秋叶麻衣

IPC: G06K19/077 ,  G06K19/02

CPC classification number: G06K19/077 ,  G06K19/07703 ,  G06Q20/105 ,  G06Q20/3415 ,  G07F7/1008 ,  H01L2224/48091 ,  H01L2224/48465 ,  H01L2224/73265 ,  H01L2924/00011 ,  H01L2924/01015 ,  H01L2924/01047 ,  H01L2924/10253 ,  H01L2924/10271 ,  H01L2924/3025 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/00 ,  H01L2924/01005 ,  H01L2224/45147

Abstract: 本发明的目的是提供一种高功能智能卡，该智能卡可以防止更换脸部相片等伪造行为，从而可以确保该卡的安全，并且该卡可以显示脸部相片以外的图像。具有显示器件和多个薄膜集成电路的智能卡，该卡用多个薄膜集成电路控制显示器件的驱动，用于显示器件以及多个薄膜集成电路的半导体元件由多晶半导体膜形成，多个薄膜集成电路被层叠，显示器件和多个薄膜显示器件被搭载到同一个印刷线路板上，智能卡的厚度在0.05mm－1mm的范围内。

公开(公告)号：CN1426088A

公开(公告)日：2003-06-25

申请号：CN02156040.4

申请日：2002-12-11

Applicant: 株式会社半导体能源研究所

Inventor： 山崎舜平 ,  下村明久 ,  大谷久 ,  广木正明 ,  田中幸一郎 ,  志贺爱子 ,  秋叶麻衣 ,  笠原健司

IPC: H01L21/00 ,  H01L21/324

CPC classification number: H01L21/0237 ,  H01L21/02488 ,  H01L21/02532 ,  H01L21/02672 ,  H01L21/02686 ,  H01L23/544 ,  H01L27/1285 ,  H01L29/42384 ,  H01L2223/54426 ,  H01L2223/54453 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

Abstract: 激光照射之前形成岛状半导体膜和标记。标记用作定位参考使得不会在衬底表面中整个半导体上实施激光照射，而是在至少是绝对必要的部分上实施最小化的晶化。由于激光晶化所需要的时间可以减少，有可能提高衬底处理的速度。通过向传统SLS方法中应用上述组成，提供了解决传统SLS方法中衬底处理效率不够这样的问题的方法。

公开(公告)号：CN1392615A

公开(公告)日：2003-01-22

申请号：CN02122668.7

申请日：2002-06-20

Applicant: 株式会社半导体能源研究所

Inventor： 山崎舜平 ,  高山彻 ,  秋叶麻衣

IPC: H01L33/00 ,  H01L25/00

CPC classification number: H01L51/0097 ,  H01L27/3244 ,  H01L27/326 ,  H01L51/5237 ,  H01L51/5253 ,  H01L51/5256 ,  H01L51/529 ,  H01L51/56 ,  H01L2221/68368 ,  H01L2227/326 ,  H01L2251/5315 ,  H01L2251/5338

Abstract: 本发明的目的是提供一种发光装置，它包括塑料基底上形成的OLED，能够防止由于湿气和氧气进入造成老化。在塑料基底上提供多层薄膜用于防止氧气和湿气进入OLED中的有机发光层(以后叫做隔离膜)、应力小于隔离膜的薄膜(以后叫做应力松弛膜)、隔离膜之间的薄膜。由于多层隔离膜的分层结构，即使一层隔离膜发生了开裂，其它隔离膜仍然能够有效地防止湿气和氧气进入有机发光层。此外，应力小于隔离膜的应力松弛膜夹在隔离膜之间，从而减小整层密封膜的应力。结果很难因为应力而发生开裂。