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公开(公告)号：CN1246910C
公开(公告)日：2006-03-22
申请号：CN02144036.0
申请日：1997-02-23
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
IPC: H01L29/78 , G02F1/136 , H01L27/108 , H01L27/11
CPC classification number: H01L27/0688 , G02F1/1362 , H01L21/02532 , H01L21/02667 , H01L21/02672 , H01L21/02675 , H01L27/10805 , H01L27/10873 , H01L27/11 , H01L27/1108 , H01L27/1112 , H01L27/1248 , H01L27/1277 , H01L29/04 , H01L29/66772 , H01L29/78654 , H01L31/076 , H01L31/1824 , H01L31/1872 , H01L2924/0002 , Y02E10/545 , Y02E10/548 , Y02P70/521 , Y10S257/903 , Y10S257/904 , H01L2924/00
Abstract: 一种半导体薄膜，其形成有横向生长区，它是柱状或针状晶体的集合，其通常平行于衬底伸展。用具有等效能量激光或强光对半导体薄膜进行照射，结果使相邻的柱状或针状晶体结合在一起，形成实质上没有晶界的区域，即实质上可看作单晶的单畴区。半导体器件可通过使用单畴区作为有源层而形成。本发明还涉及制造所述半导体薄膜的方法和含有该半导体薄膜的器件和电器。
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公开(公告)号：CN1240250C
公开(公告)日：2006-02-01
申请号：CN00137513.X
申请日：2000-12-27
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
CPC classification number: C23C14/28 , B05D1/32 , B05D1/40 , B05D5/12 , C23C14/04 , C23C14/042 , C23C14/044 , C23C14/22 , C23C14/24 , C23C14/243 , C23C14/26 , C23C14/564 , H01L51/0008 , H01L51/0011 , H01L51/5012 , H01L51/56
Abstract: 提供了一种用于形成膜厚非常均匀的薄膜的设备。使用的是一个蒸发源，在蒸发源中有一个或多个具有纵向的蒸发单元，而通过沿与蒸发源的纵向垂直的方向移动蒸发源，就可以在基片上沉积薄膜。通过增大蒸发源的长度，可以提高纵向上膜厚的均匀度。移动蒸发源，在整个基片上进行薄膜成形，因而整个基片上的膜厚均匀度就可以提高。
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公开(公告)号：CN1204624C
公开(公告)日：2005-06-01
申请号：CN00130780.0
申请日：2000-12-15
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
Abstract: 一种发光器件，显示出来的图像高度均匀。这种发光器件配备有一个印刷布线板(第二衬底)面对着上面形成有一个发光元件(102)的一个衬底(第一衬底)(107)配置。印刷布线板(107)上的PWB侧布线(第二布线群)通过各向异性导电膜(105a，105b)与元件侧布线(第一布线群)电连接。这里，由于用低电阻的铜箔形成PWB侧布线(110)，因而减少了元件侧布线(103，104)的电压降和信号的延迟，从而提高了图像质量的均匀性和驱动电路部分的工作速度。
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公开(公告)号：CN1606391A
公开(公告)日：2005-04-13
申请号：CN200410088071.8
申请日：2000-06-21
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
CPC classification number: G09G3/3225 , G09G3/2018 , G09G3/2022 , G09G3/30 , G09G3/32 , G09G3/3258 , G09G2300/023 , G09G2300/04 , G09G2300/0408 , G09G2300/0417 , G09G2300/0426 , G09G2300/0842 , H01L27/1277 , H01L27/1296 , H01L27/156 , H01L27/3244 , H01L27/3246 , H01L27/3262 , H01L29/045 , H01L29/0603 , H01L29/786 , H01L29/78621 , H01L29/78624 , H01L29/78627 , H01L33/62 , H01L51/529 , H01L2251/5315 , H01L2924/0002 , H01L2924/00
Abstract: 本发明提供了一种能够进行清晰的多级灰度彩色显示的EL显示器件和配置有EL显示器件的电子设备，其中根据时分法执行灰度显示，在该方法中，设置在一个象素(104)中的发光或非发光的EL元件(109)受时间控制，并且可以避免电路控制TFT(108)的可变性的影响。当采用此法时，数据信号侧驱动电路(102)和栅极信号侧驱动电路(103)与TFT形成在一起，而TFT是利用一种具有特有的晶体结构的硅膜，显示极高的工作速度。
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公开(公告)号：CN1567735A
公开(公告)日：2005-01-19
申请号：CN200410054415.3
申请日：1997-02-23
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
IPC: H04B1/38 , H01L21/30 , H01L29/786 , G02F1/136
CPC classification number: H01L21/02672 , G02B27/017 , G02B2027/0138 , H01L21/02532 , H01L21/2022 , H01L21/8221 , H01L27/1277 , H01L29/045 , H01L29/665 , H01L29/66757 , H01L29/78621 , H01L29/78654 , H01L29/78675
Abstract: 一种薄膜半导体晶体管结构具有带有电介质表面的衬底和由半导体薄膜构成的有源层，半导体薄膜呈现相当于单晶的结晶度。为制作此晶体管，半导体薄膜形成在衬底上，此膜包括多种晶体的混合物，晶体可是大体上与衬底平行的柱状和/或毛发状晶体。然后，所得结构在含卤素的选定气氛中进行热氧化，从而除去在膜中含有的任何金属元素。这就能形成单畴区，在单畴区中各柱状或发毛状晶体接触任何相邻晶体并且能大体认为是其中不存在或包含任何晶界的单晶区。此区用于形成晶体管的有源层。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN1527388A
公开(公告)日：2004-09-08
申请号：CN02143810.2
申请日：1997-02-23
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
IPC: H01L27/11
CPC classification number: H01L27/12 , G02F1/13454 , H01L21/02532 , H01L21/02672 , H01L27/10805 , H01L27/10873 , H01L27/11 , H01L27/1108 , H01L27/1203 , H01L27/1277 , H01L27/1281 , H01L27/1296 , H01L29/04 , H01L29/66757
Abstract: 一种静态随机存取存储器，包括：一个衬底；一对在衬底上形成的交叉连接的驱动晶体管；一对数据选取晶体管；一对位线，经所述数据选取晶体管分别电连接到所述交叉连接的驱动晶体管；以及一位线，电连接到所述一对数据选取存取晶体管，其中，至少各个交叉连接的驱动晶体管包括在衬底上的绝缘表面上形成的结晶半导体膜，所述结晶半导体膜具有其中形成有沟道形成区的单畴区。
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公开(公告)号：CN1165962C
公开(公告)日：2004-09-08
申请号：CN97109503.5
申请日：1997-02-23
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
IPC: H01L21/00
CPC classification number: H01L21/02672 , G02B27/017 , G02B2027/0138 , H01L21/02532 , H01L21/2022 , H01L21/8221 , H01L27/1277 , H01L29/045 , H01L29/665 , H01L29/66757 , H01L29/78621 , H01L29/78654 , H01L29/78675
Abstract: 一种薄膜半导体晶体管结构具有带有电介质表面的衬底和由半导体薄膜构成的有源层，半导体薄膜呈现相当于单晶的结晶度。为制作此晶体管，半导体薄膜形成在衬底上，此膜包括多种晶体的混合物，晶体可是大体上与衬底平行的柱状和/或毛发状晶体。然后，所得结构在含卤素的选定气氛中进行热氧化，从而除去在膜中含有的任何金属元素。这就能形成单畴区，在单畴区中各柱状或发毛状晶体接触任何相邻晶体并且能大体认为是其中不存在或包含任何晶界的单晶区。此区用于形成晶体管的有源层。
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公开(公告)号：CN1135608C
公开(公告)日：2004-01-21
申请号：CN95109163.8
申请日：1995-07-01
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
IPC: H01L21/3215 , H01L21/324
CPC classification number: H01L21/02686 , H01L21/02532 , H01L21/02672 , H01L21/2022 , H01L21/2026
Abstract: 为可获得具有高结晶度的结晶硅膜，一开始便在玻璃衬底上形成的非晶硅膜上形成优异的氧化膜13。滴加有浓度为10至200ppm(需要调节)的催化剂元素。如镍之类的元素的乙酸盐水溶液。将该状态保持预定时间，然后用旋涂机甩干。在550℃下经4小时使膜晶化。然后，用氟酸处理，除去局部镍化合物。而且，用激光辐照，获得结晶硅膜。在550℃下热处理4小时，获得具有低金属元素浓度和小缺陷密度的结晶硅膜。
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公开(公告)号：CN1307442A
公开(公告)日：2001-08-08
申请号：CN01103244.8
申请日：2001-02-03
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
CPC classification number: H01L27/3276 , H01L27/12 , H01L27/1214 , H01L27/1288 , H01L27/15 , H01L27/3211 , H01L27/3244 , H01L27/3246 , H01L27/3248 , H01L27/3262 , H01L27/3295 , H01L29/78645 , H01L29/78669 , H01L51/0097 , H01L51/5206 , H01L51/5218 , H01L51/5228 , H01L51/5234 , H01L51/5237 , H01L51/525 , H01L51/5271 , H01L51/56 , H01L2251/5315 , Y10S428/917
Abstract: 提供了明亮和高度可靠的发光器件。阳极(102)、EL层(103)、阴极(104)和辅助电极(105)以叠层顺序地形成在反射电极(101)上。此外,阳极(102)、阴极(104)和辅助电极(105)是对可见光透明或半透明的。在这种结构中,EL层(103)中产生的光几乎全部照射到阴极(104)一侧,由此象素的有效发光面积显著增强。
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公开(公告)号：CN1302173A
公开(公告)日：2001-07-04
申请号：CN00137513.X
申请日：2000-12-27
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
CPC classification number: C23C14/28 , B05D1/32 , B05D1/40 , B05D5/12 , C23C14/04 , C23C14/042 , C23C14/044 , C23C14/22 , C23C14/24 , C23C14/243 , C23C14/26 , C23C14/564 , H01L51/0008 , H01L51/0011 , H01L51/5012 , H01L51/56
Abstract: 提供了一种用于形成膜厚非常均匀的薄膜的设备。使用的是一个蒸发源,在蒸发源中有一个或多个具有纵向的蒸发单元,而通过沿与蒸发源的纵向垂直的方向移动蒸发源,就可以在基片上沉积薄膜。通过增大蒸发源的长度,可以提高纵向上膜厚的均匀度。移动蒸发源,在整个基片上进行薄膜成形,因而整个基片上的膜厚均匀度就可以提高。
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