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公开(公告)号：CN101997036A
公开(公告)日：2011-03-30
申请号：CN201010248811.5
申请日：2010-08-06
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
IPC: H01L29/786 , H01L29/41 , H01L21/336 , H01L21/28
CPC classification number: H01L27/1225 , G02F1/13306 , G02F1/133345 , G02F1/133528 , G02F1/1337 , G02F1/1339 , G02F1/13394 , G02F1/134336 , G02F1/13439 , G02F1/13454 , G02F1/136204 , G02F1/136286 , G02F1/1368 , G02F2001/133302 , G02F2001/133357 , G02F2201/123 , G11C19/28 , H01L27/124 , H01L27/1255 , H01L27/127 , H01L27/1288 , H01L29/247 , H01L29/78618 , H01L29/78648 , H01L29/78693 , H01L29/78696
Abstract: 本发明涉及半导体装置及其制造方法。本发明的目的之一在于提高半导体装置的可靠性。本发明的一种半导体装置包括在同一衬底上的驱动电路部和显示部(也称为像素部)，驱动电路部和显示部分别包括：半导体层由氧化物半导体构成的薄膜晶体管；第一布线；以及第二布线，其中薄膜晶体管包括源电极层或漏电极层及接触于半导体层的氧化物导电层，驱动电路部的薄膜晶体管以以栅电极层和导电层夹着半导体层的方式构成，并且第一布线和第二布线在设置在栅极绝缘膜中的开口中通过氧化物导电层电连接。
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公开(公告)号：CN1862848B
公开(公告)日：2010-05-26
申请号：CN200610081967.2
申请日：2006-05-12
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
CPC classification number: H01L27/3258 , H01L27/3248 , H01L51/506 , H01L51/5076 , H01L51/5206 , H01L51/5215 , H01L51/5218 , H01L51/5221 , H01L51/5234 , H01L2227/323 , H01L2251/306 , H01L2251/308 , H05B33/10
Abstract: 本发明的目的在于提供一种在低成本高产量的前提下制造高度可靠的显示器的技术。用溅射方法通过使用含氢或水的气体来形成第一电极层，电致发光层形成于该第一电极层之上，并且第二电极层形成于该电致发光层之上。根据本发明的一个方面，制造出的显示器包括：第一电极层，它包括含氧化硅和氧化钨的氧化铟锌；在该第一电极层之上的电致发光层；以及在该电致发光层之上的第二电极层，其中该电致发光层包括一个含有机化合物和无机化合物的层，该层要与第一电极层接触。
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公开(公告)号：CN1599528A
公开(公告)日：2005-03-23
申请号：CN200410076968.9
申请日：2004-08-30
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
CPC classification number: H01L51/5088 , H01L27/3244 , H01L51/5246 , H01L51/5259
Abstract: 根据本发明，一个绝缘的或半绝缘的具有隧道电流能流过的厚度的壁垒层设置在空穴注入电极和带有空穴传输特性的有机化合物层(空穴注入层或空穴传输层)之间。具体地说，含有硅或二氧化硅的绝缘的或半绝缘的薄壁垒层；硅或二氧化硅和光传送导电氧化物材料；或硅或二氧化硅，光传送导电氧化物材料，以及碳可以被设置在由光传送导电氧化物材料形成的光传送导电氧化物薄膜和含有有机化合物的空穴注入层之间。
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公开(公告)号：CN117999598A
公开(公告)日：2024-05-07
申请号：CN202280064708.6
申请日：2022-09-16
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
IPC: G09F9/30 , G09F9/33 , H01L21/8234 , H01L27/06 , H01L27/088 , H01L33/00 , H01L33/50 , H01L33/54 , H01L33/60 , H01L33/62
Abstract: 提供一种显示质量高的显示装置。显示装置包括第一发光器件、第二发光器件、第一绝缘层以及填充层。第一发光器件包括第一电极、第一电极上的第一半导体层及第一半导体层上的公共电极。第二发光器件包括第二电极、第二电极上的第二半导体层及第二半导体层上的公共电极。第一绝缘层具有与第一半导体层的侧面及第二半导体层的侧面接触的区域。填充层具有隔着第一绝缘层与第一半导体层的侧面及第二半导体层的侧面重叠的区域。公共电极具有与填充层的顶面接触的区域。
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公开(公告)号：CN117941066A
公开(公告)日：2024-04-26
申请号：CN202280061608.8
申请日：2022-09-08
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
IPC: H01L27/04 , H01L21/336 , H01L21/8234 , H01L27/06 , H01L27/088 , H01L29/66 , H01L29/786 , H10B12/00 , H10B41/70 , H10B99/00 , G06F1/3234 , G06G7/60
Abstract: 本发明的一个方式的目的是提供一种具有新颖结构的电子装置。在包括半导体装置的电子装置中，半导体装置包括CPU、加速器以及存储装置。CPU包括扫描触发器电路以及电连接到扫描触发器电路的备份电路。备份电路包括第一晶体管。加速器包括运算电路、电连接到运算电路的数据保持电路。数据保持电路包括第二晶体管。存储装置具有包括第三晶体管的存储单元。第一晶体管至第三晶体管包括在沟道形成区域中包含金属氧化物的半导体层。
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公开(公告)号：CN115274860A
公开(公告)日：2022-11-01
申请号：CN202210756520.X
申请日：2016-11-10
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
IPC: H01L29/786 , H01L29/04 , H01L29/45 , H01L29/49 , H01L51/50 , G09F9/30 , H01L21/28 , H01L27/12 , H05B33/14
Abstract: 在包括氧化物半导体膜的晶体管中，抑制电特性的变动。本发明的一个方式包括第一栅电极、第一栅电极上的第一绝缘膜、第一绝缘膜上的氧化物半导体膜、氧化物半导体膜上的源电极、氧化物半导体膜上的漏电极、氧化物半导体膜、源电极及漏电极上的第二绝缘膜、以及第二绝缘膜上的第二栅电极，第一绝缘膜具有第一开口部，在第一绝缘膜上形成通过第一开口部与第一栅电极电连接的连接电极，第二绝缘膜具有到达连接电极的第二开口部，第二栅电极包括氧化物导电膜及氧化物导电膜上的金属膜，使用金属膜使连接电极与第二栅电极电连接。
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公开(公告)号：CN108292684B
公开(公告)日：2022-06-21
申请号：CN201680067710.3
申请日：2016-11-10
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
IPC: H01L29/786 , G09F9/30 , H01L21/28 , H01L51/50 , H05B33/14
Abstract: 在包括氧化物半导体膜的晶体管中，抑制电特性的变动。本发明的一个方式包括第一栅电极、第一栅电极上的第一绝缘膜、第一绝缘膜上的氧化物半导体膜、氧化物半导体膜上的源电极、氧化物半导体膜上的漏电极、氧化物半导体膜、源电极及漏电极上的第二绝缘膜、以及第二绝缘膜上的第二栅电极，第一绝缘膜具有第一开口部，在第一绝缘膜上形成通过第一开口部与第一栅电极电连接的连接电极，第二绝缘膜具有到达连接电极的第二开口部，第二栅电极包括氧化物导电膜及氧化物导电膜上的金属膜，使用金属膜使连接电极与第二栅电极电连接。
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公开(公告)号：CN114609885A
公开(公告)日：2022-06-10
申请号：CN202210252738.1
申请日：2017-07-07
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
Abstract: 提供一种方便性高的电子设备。提供一种使用者可以容易地读出显示信息的电子设备。减少使用者为了读取信息所进行的动作。电子设备所具有的框体包括：位于框体的正面的第一部分；位于框体的侧面的第二部分；第一表带安装部及第二表带安装部。第二部分具有显示图像的功能。第一表带安装部位于从框体的正面一侧看位于上侧的侧面。第二部分与第二表带安装部位于从框体的正面一侧看位于下侧的侧面。第一部分具有显示图像的功能或者至少具有时针、分针、秒针中的一个。
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公开(公告)号：CN112368773A
公开(公告)日：2021-02-12
申请号：CN201980039868.3
申请日：2019-05-31
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
IPC: G11C11/54 , G06N3/063 , G11C11/405 , G11C11/4074 , H01L21/8242 , H01L27/108 , H01L29/786
Abstract: 本发明提供一种可以实现低功耗并模仿人脑进行储存数据的半导体装置。该半导体装置包括控制部、存储部及传感器部。存储部包括存储电路和切换电路。存储电路包括第一晶体管及电容器。切换电路包括第二晶体管及第三晶体管。第一晶体管及第二晶体管包括在沟道形成区域包含氧化物半导体的半导体层和背栅电极。控制部具有根据在传感器部得到的信号而切换供应到背栅电极的信号的功能。
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公开(公告)号：CN111656531A
公开(公告)日：2020-09-11
申请号：CN201980010136.1
申请日：2019-01-15
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
IPC: H01L29/786 , H01L21/336 , H01L21/8242 , H01L27/108
Abstract: 提供一种通态电流大的半导体装置。一种半导体装置包括第一氧化物、第一氧化物上的第二氧化物、第二氧化物上的第三氧化物、第三氧化物上的第一绝缘体、第一绝缘体上的导电体、与第二氧化物的顶面的一部分、第二氧化物的侧面的一部分及第三氧化物的侧面的一部分接触的第二绝缘体、与第二绝缘体的顶面及第三氧化物的侧面的另一部分接触的第三绝缘体、第三绝缘体上的第四绝缘体以及与第三氧化物的顶面、第一绝缘体的顶面、导电体的顶面及第三绝缘体的顶面接触的第五绝缘体，第二氧化物具有第一区域、第二区域、第三区域、位于第一区域与第三区域之间的第四区域以及位于第二区域与第三区域之间的第五区域，导电体以与第三区域重叠的方式设置在第三区域的上方，第二绝缘体接触于第一区域及第二区域。
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