公开(公告)号：CN1505170A

公开(公告)日：2004-06-16

申请号：CN200310117969.9

申请日：2003-11-26

Applicant: 松下电器产业株式会社

Inventor： 高桥邦方 ,  楠本修 ,  北畠真 ,  内田正雄 ,  山下贤哉

IPC: H01L29/78 ,  H01L29/02 ,  H01L21/336

CPC classification number: H01L29/7828 ,  H01L29/045 ,  H01L29/0623 ,  H01L29/1608 ,  H01L29/41766 ,  H01L29/66068 ,  H01L29/7838

Abstract: 本发明提供一种SiC－MISFET及其制造方法。累积型SiC－MISFET，具备：SiC基板(1)、n型漂移层(2c)、p型阱区域(3)、n型源区域(4)、包含n型杂质成为累积型沟道层的SiC沟道层(5)、p型高浓度传导层(9)、栅绝缘膜(6)、栅电极(13)等。另外，设置向n型漂移层(2c)的上面部部分地注入p型杂质离子而形成的，并包含比阱区域(3)具有更高浓度的同导电型杂质的部分高浓度注入层(7A)。由此，提供常截止的累积型SiC－MISFET，可以流过高电流密度的漏极电流。

公开(公告)号：CN1282974A

公开(公告)日：2001-02-07

申请号：CN00105457.0

申请日：1995-10-05

Applicant: 松下电器产业株式会社

Inventor： 田中博由 ,  小寺宏一 ,  内田正雄

IPC: H01J1/30 ,  H01J31/12 ,  H01J9/02

CPC classification number: B82Y10/00 ,  H01J1/3042 ,  H01J9/025 ,  H01J2201/30403 ,  H01J2201/30457 ,  H01J2329/00

Abstract: 一种电子发射阴极包括:一个n型半导体膜,该膜包含部分地从该n型半导体膜表面上突出的金刚石颗粒;及一个与n型半导体膜对置的阳极,并在它们之间具有真空。利用在阳极与n型半导体膜之间施加电压使电子发射。

公开(公告)号：CN1244948A

公开(公告)日：2000-02-16

申请号：CN98802095.5

申请日：1998-11-30

Applicant: 松下电器产业株式会社

Inventor： 吉田哲久 ,  北川雅俊 ,  内田正雄 ,  北畠真 ,  三露常男

IPC: H01L21/265 ,  H01L21/268

CPC classification number: H01L29/6606 ,  H01L21/046 ,  H01L29/1608 ,  H01L29/861 ,  Y10T29/41

Abstract: 对于添加了杂质元素的SiC衬底1和SiC薄膜2,照射波长比引起上述半导体的能带边缘吸收的波长还长的激光5,或者照射由半导体的结构元素与杂质元素之间的结合的振动吸收的波长,例如9—11μm的波长的激光5。特别是当在SiC中添加了Al时,照射波长9.5—10μm的激光5。

公开(公告)号：CN102782804B

公开(公告)日：2015-02-25

申请号：CN201180011729.3

申请日：2011-05-13

Applicant: 松下电器产业株式会社

Inventor： 内田正雄 ,  林将志

IPC: H01L21/02 ,  H01L21/28 ,  H01L29/06 ,  H01L29/12 ,  H01L29/417 ,  H01L29/47 ,  H01L29/78 ,  H01L29/861 ,  H01L29/872

CPC classification number: H01L29/7827 ,  H01L27/0207 ,  H01L29/045 ,  H01L29/66068 ,  H01L29/808 ,  H01L29/812 ,  H01L29/861

Abstract: 本发明的半导体芯片(18)是形成有功率半导体装置(10)，且具备由六方晶系半导体构成的半导体基板的半导体芯片(18)，半导体基板在主面上具有矩形形状，对矩形进行规定的2边的长度a以及b相等，并且，半导体基板的与2边平行的方向上的线膨胀系数彼此相等。

公开(公告)号：CN103219382A

公开(公告)日：2013-07-24

申请号：CN201310093194.X

申请日：2010-04-28

Applicant: 松下电器产业株式会社

Inventor： 安达和广 ,  楠本修 ,  内田正雄 ,  桥本浩一 ,  风间俊

IPC: H01L29/78 ,  H01L29/24 ,  H01L29/06 ,  H01L21/336

CPC classification number: H01L29/1608 ,  H01L29/45 ,  H01L29/66068 ,  H01L29/7805 ,  H01L29/7827 ,  H01L29/7828 ,  H03K17/145

Abstract: 本发明提供一种半导体元件、半导体装置及电力变换器。本发明的包括MISFET的半导体元件(100)具有经由沟道外延层(50)的反向二极管的特性。半导体元件(100)具备第1导电型的碳化硅半导体基板(10)、第1导电型的半导体层(20)、第2导电型的体区域(30)、第1导电型的源极区域(40)、与体区域相接形成的沟道外延层(50)、源极电极(45)、栅极绝缘膜(60)、栅极电极(65)、漏极电极(70)。在向MISFET的栅极电极施加的电压比阈值电压小的情况下，作为从源极电极(45)经由沟道外延层(50)向漏极电极(70)流动电流的二极管发挥作用。该二极管的启动电压的绝对值比由所述体区域和所述第1碳化硅半导体层构成的体二极管的启动电压的绝对值小。

公开(公告)号：CN102473645B

公开(公告)日：2013-07-10

申请号：CN201080035030.6

申请日：2010-08-09

Applicant: 松下电器产业株式会社

Inventor： 桥本浩一 ,  安达和广 ,  楠本修 ,  内田正雄 ,  风间俊

IPC: H01L27/04 ,  H01L29/12 ,  H01L29/78

CPC classification number: H01L29/7828 ,  H01L29/1608 ,  H01L29/66068 ,  H01L29/78 ,  H01L29/7838 ,  H02M7/5387 ,  Y02B70/1483

Abstract: 本发明提供一种包括MISFET的半导体元件(100)，特征在于具有经过了沟道外延层(50)的逆向的二极管的特性。半导体元件(100)具备第1导电型的半导体层(20)、第2导电型的体区(30)、第1导电型的源极区(40)以及漏极区、与体区接触地形成的沟道外延层(50)、源极电极(45)以及漏极电极(70)、栅极绝缘膜(60)、和栅极电极(65)。在施加给MISFET的栅极电极的电压小于阈值电压时，作为从源极电极(45)经过沟道外延层(50)向漏极电极(70)流动电流的二极管发挥功能。该二极管的接通电压的绝对值小于由所述体区和所述第1碳化硅半导体层构成的体二极管的接通电压的绝对值。

公开(公告)号：CN102084483B

公开(公告)日：2013-01-23

申请号：CN200980100324.X

申请日：2009-07-03

Applicant: 松下电器产业株式会社

Inventor： 内田正雄 ,  林将志 ,  桥本浩一

IPC: H01L29/78 ,  H01L21/336 ,  H01L29/12

CPC classification number: H01L29/7802 ,  H01L29/0696 ,  H01L29/1608 ,  H01L29/66068 ,  H01L29/7828

Abstract: 半导体元件具备：在基板上形成的包含碳化硅的半导体层(10)；形成在半导体层(10)表面上的第1导电类型半导体区域(15)；在半导体层表面(10s)上包围第1导电类型半导体区域(15)的第2导电类型半导体区域(14)；以及具有与第1导电类型半导体区域(15)和第2导电类型半导体区域(14)接触的导电面(19s)的导电体(19)，在半导体层表面(10s)上，第1导电类型半导体区域(15)具有沿着第1轴(i)延伸的至少一个第1带状部分(60、61)，第1导电类型半导体区域(15)的沿着第1轴(i)的宽度(C1)大于导电面(19s)的沿着第1轴(i)的宽度(A1)，导电面(19s)的轮廓横切至少一个第1带状部分(60、61)。

公开(公告)号：CN1532943B

公开(公告)日：2011-11-23

申请号：CN200410030008.9

申请日：2004-03-17

Applicant: 松下电器产业株式会社

Inventor： 楠本修 ,  北畠真 ,  高桥邦方 ,  山下贤哉 ,  宫永良子 ,  内田正雄

IPC: H01L29/78 ,  H01L21/336

CPC classification number: H01L29/7802 ,  H01L21/0485 ,  H01L23/485 ,  H01L29/1608 ,  H01L29/45 ,  H01L29/66068 ,  H01L29/7813 ,  H01L29/7828 ,  H01L29/7835 ,  H01L29/8083 ,  H01L29/812 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

Abstract: 本发明公开了一种碳化硅半导体器件及其制造方法，在使用碳化硅的半导体器件中，通过提高电极与层间绝缘膜之间的贴紧性来提高可靠性。在本发明的半导体器件中设置有：碳化硅衬底(1)、n型的高电阻层(2)、设置在高电阻层(2)的表面一层的阱区域(3)、设置在阱区域(3)内的p+接触区域(4)、设置在阱区域(3)中的p+接触区域(4)的两侧的源极区域(5)、设置在源极区域(5)上且由镍构成的第(1)源电极(8)、覆盖第(1)源电极(8)且由铝构成的第(2)源电极(9)、设置在被两个阱区域(3)夹着的高电阻层(2)上的栅极绝缘膜(6)、由铝构成的栅电极(10)、及覆盖第(2)源电极(9)和栅电极(10)上且由氧化硅膜构成的层间绝缘膜(11)。由于第(2)源电极(9)与层间绝缘膜(11)的贴紧性比第(1)源电极(8)好，因此层间绝缘膜(11)与源电极难以脱离。

公开(公告)号：CN101689565B

公开(公告)日：2011-06-08

申请号：CN200980000533.7

申请日：2009-05-11

Applicant: 松下电器产业株式会社

Inventor： 内田正雄 ,  宇都宫和哉 ,  桥本浩一

IPC: H01L29/78 ,  H01L21/338 ,  H01L29/12 ,  H01L29/812

CPC classification number: H01L29/812 ,  H01L23/544 ,  H01L29/045 ,  H01L29/0696 ,  H01L29/1608 ,  H01L29/66068 ,  H01L29/7828 ,  H01L2223/54426 ,  H01L2223/5446 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

Abstract: 本发明提供采用裁切半导体基板(11)形成的半导体元件，各单元(10)具备：形成在裁切半导体基板(11)的表面上的第1半导体层(12)；形成在第1半导体层(12)上、具有露出第1导电区域(15)以及第2导电区域(14)的至少一部分的开口部(16e)的第2半导体层(16)；位于第2半导体层(16)的开口部(16e)、具有与第1导电区域(15)以及第2导电区域(14)接触的导电面(19s)的第1导电体(19)；以及形成在第2半导体层(16)上、具有与第2半导体层(16)的开口部(16s)对应的开口部(18e)的第2导电体(17)，在与裁切半导体基板(11)表面平行的面中，沿着裁切方向的第2半导体层(16)和第2导电体(18)的长度差的绝对值大于沿着与裁切方向垂直的方向的第2半导体层(16)和第2导电体(18)的长度差的绝对值。

公开(公告)号：CN100490077C

公开(公告)日：2009-05-20

申请号：CN200580000359.8

申请日：2005-01-28

Applicant: 松下电器产业株式会社

Inventor： 高桥邦方 ,  北畠真 ,  山下贤哉 ,  内田正雄 ,  楠本修 ,  宫永良子

IPC: H01L21/265 ,  H01L21/28 ,  H01L21/338 ,  H01L29/78 ,  H01L29/812

CPC classification number: H01L21/046

Abstract: 半导体元件的制造方法，包括：向形成在碳化硅衬底1上的碳化硅薄膜2内注入离子的工序，通过在减压气体环境下加热碳化硅衬底，在碳化硅衬底表面上形成碳层5的工序，以及在与形成碳层5的工序相比压力更高且温度更高的气体环境下对碳化硅衬底进行活化退火的工序。