公开(公告)号：CN107074574B

公开(公告)日：2020-09-22

申请号：CN201680002585.8

申请日：2016-09-27

Applicant: 日本碍子株式会社

Inventor： 福井宏史 ,  佐藤圭 ,  渡边守道 ,  七泷努

IPC: C01F7/02 ,  C04B35/626

Abstract: 本发明的板状氧化铝粉末的制法如下：将过渡氧化铝和氟化物以彼此不接触的方式放入容器中，进行热处理，由此，得到板状的α－氧化铝粉末。过渡氧化铝优选为选自由三水铝石、勃姆石及γ－氧化铝构成的组中的至少1种。氟化物的使用量优选设定成氟化物中的F相对于过渡氧化铝的比例为0.17质量％以上。容器优选为氟化物中的F的质量除以容器的容积而得到的值为6.5×10‑5g/cm3以上的容器。热处理优选于750～1650℃进行。热处理优选在以容器的内外相通的方式关闭容器后或将容器密闭后进行。

公开(公告)号：CN111278792A

公开(公告)日：2020-06-12

申请号：CN201880055098.7

申请日：2018-10-24

Applicant: 日本碍子株式会社

Inventor： 渡边守道 ,  佐藤圭 ,  松岛洁 ,  前田高宏 ,  吉川润 ,  七泷努

IPC: C04B35/645 ,  C04B35/111

Abstract: 本发明的取向陶瓷烧结体的制法包括如下工序：(a)制作烧成为取向陶瓷烧结体之前的陶瓷成型体；和(b)用一对脱模片夹持陶瓷成型体并配置于热压烧成炉内，一边利用一对冲头隔着一对脱模片对陶瓷成型体进行加压一边进行热压烧成，从而得到取向陶瓷烧结体。脱模片在以厚度为75μm且表面的算术平均粗糙度Ra为0.03μm的PET膜进行夹持后，载置于厚度为10mm且表面的算术平均粗糙度Ra为0.29μm的不锈钢板上并进行真空包装，以200kg/cm2进行等静压压制后，脱模片的与不锈钢板侧相反一侧的面的截面曲线的最大截面高度Pt为0.8μm以下。

公开(公告)号：CN105830237B

公开(公告)日：2019-09-06

申请号：CN201480069022.1

申请日：2014-12-08

Applicant: 日本碍子株式会社

Inventor： 渡边守道 ,  吉川润 ,  七泷努 ,  今井克宏 ,  杉山智彦 ,  吉野隆史 ,  武内幸久 ,  佐藤圭

IPC: H01L33/32 ,  C30B29/38 ,  H01S5/343

Abstract: 本发明提供一种发光元件用复合基板，所述发光元件用复合基板适于以低成本制造大面积的发光元件。该发光元件用复合基板包含：由取向多晶氧化铝烧结体构成的基板和形成在基板上的发光功能层，上述发光功能层具有二层以上在大致法线方向具有单晶结构的、由多个半导体单晶粒子构成的层。

公开(公告)号：CN107074573B

公开(公告)日：2018-12-11

申请号：CN201580047885.3

申请日：2015-11-20

Applicant: 日本碍子株式会社

Inventor： 渡边守道 ,  福井宏史 ,  佐藤圭 ,  七泷努

IPC: C01F7/02 ,  C04B35/626

CPC classification number: C01F7/30 ,  C01F7/441 ,  C01F7/442 ,  C01P2004/03 ,  C01P2004/20 ,  C01P2004/22 ,  C01P2004/50 ,  C01P2004/54 ,  C01P2004/61 ,  C01P2004/62 ,  C01P2006/80 ,  C04B35/111 ,  C04B35/626 ,  C04B35/62645 ,  C04B2235/5292 ,  C04B2235/5296 ,  C04B2235/72 ,  C30B1/02 ,  C30B29/20 ,  C30B29/64

Abstract: 将γ－氧化铝粉末96质量份、AlF3粉末4质量份、作为晶种的α－氧化铝粉末0.17质量份用罐磨机进行混合。对使用的各原料的纯度进行评价，结果，Al、O、F、H、C、S以外的各元素的质量比例为10ppm以下。将得到的混合粉末300g放入纯度99.9质量％的高纯度氧化铝制的匣钵中，盖上纯度99.9质量％的高纯度氧化铝制的盖子，在电炉内，空气流中于900℃进行3小时的热处理，得到板状氧化铝粉末。AlF3质量除以匣钵的体积而得到的值(AlF3质量/容器体积)为0.016g/cm3。得到的板状氧化铝粒子为纵横尺寸比11.5的α－氧化铝粒子。

公开(公告)号：CN108699727A

公开(公告)日：2018-10-23

申请号：CN201780005781.5

申请日：2017-02-10

Applicant: 日本碍子株式会社

Inventor： 渡边守道 ,  佐藤圭 ,  仓冈义孝 ,  今井克宏 ,  七泷努

IPC: C30B29/38 ,  H01L31/0392 ,  H01L33/32

CPC classification number: H01L33/18 ,  C30B29/38 ,  C30B29/406 ,  H01L31/0392 ,  H01L33/32 ,  H01L33/36 ,  Y02E10/50

Abstract: 本发明提供一种多晶氮化镓自立基板，使用该基板制作发光元件或太阳能电池等器件时能得到高发光效率、高转换效率等优异特性。本发明的多晶氮化镓自立基板由在大致法线方向上沿特定结晶方位取向的多个氮化镓系单晶粒子构成，具有上表面和底面。所述上表面利用电子背散射衍射法(EBSD)的反极图成像测定的各氮化镓系单晶粒子的结晶方位按照相对于特定结晶方位以各种角度倾斜的方式分布，其平均倾斜角为0.1°以上且低于1°，并且在所述上表面露出的氮化镓系单晶粒子在最外表面的截面平均直径DT为10μm以上。

公开(公告)号：CN108349823A

公开(公告)日：2018-07-31

申请号：CN201680061130.3

申请日：2016-09-26

Applicant: 日本碍子株式会社

Inventor： 佐藤圭 ,  前田高宏 ,  渡边守道 ,  七泷努

IPC: C04B35/622 ,  C04B35/10

CPC classification number: C04B35/115 ,  C01F7/30 ,  C04B35/10 ,  C04B35/622 ,  C30B1/12

Abstract: 本发明的取向烧结体的制造方法包含如下工序：(a)制作微细原料粉末层与板状原料粉末层交替层叠而成的层叠体，上述板状原料粉末层是板状原料粒子以板表面沿着上述微细原料粉末层的表面的方式排列而成的；(b)对上述层叠体进行烧成。

公开(公告)号：CN107531576A

公开(公告)日：2018-01-02

申请号：CN201680025071.4

申请日：2016-05-12

Applicant: 日本碍子株式会社

Inventor： 松岛洁 ,  渡边守道 ,  佐藤圭 ,  七泷努

IPC: C04B35/115 ,  G01N23/207 ,  G02B1/02

CPC classification number: C01F7/02 ,  C01F7/442 ,  C01P2002/60 ,  C01P2002/72 ,  C01P2004/03 ,  C01P2004/22 ,  C01P2004/54 ,  C01P2004/61 ,  C01P2006/14 ,  C01P2006/16 ,  C01P2006/60 ,  C01P2006/80 ,  C04B35/115 ,  C04B35/632 ,  C04B35/6342 ,  C04B35/645 ,  C04B2235/3206 ,  C04B2235/3217 ,  C04B2235/322 ,  C04B2235/445 ,  C04B2235/5292 ,  C04B2235/5296 ,  C04B2235/5436 ,  C04B2235/5445 ,  C04B2235/6025 ,  C04B2235/604 ,  C04B2235/6567 ,  C04B2235/658 ,  C04B2235/72 ,  C04B2235/725 ,  C04B2235/786 ,  C04B2235/787 ,  C04B2235/788 ,  G01N23/207 ,  G02B1/02

Abstract: 本发明的氧化铝烧结体具有c晶面取向度为5％以上的面，该c晶面取向度是使用照射X射线时在2θ＝20°～70°的范围内的X射线衍射图谱，利用Lotgering法而求出的，所述氧化铝烧结体包含Mg、F，Mg/F的质量比为0.05～3500，Mg的含量为30～3500质量ppm，结晶粒径为15～200μm，在用肉眼观察以倍率1000倍对纵向370.0μm×横向370.0μm的视野进行拍摄而得到的照片时，直径0.2～0.6μm的气孔为250个以下，直径0.2～0.6μm的气孔的体积相对于所述氧化铝烧结体的体积的比例为130体积ppm以下。本发明的氧化铝烧结体的厚度为0.5mm时，在波长450nm～1000nm处的直线透过率为60％以上。亦即，本发明的氧化铝烧结体由于即便c晶面取向度为5％以上、直线透过率也较高，所以透明性优异。

公开(公告)号：CN107098686A

公开(公告)日：2017-08-29

申请号：CN201610821505.3

申请日：2011-03-18

Applicant: 日本碍子株式会社

Inventor： 渡边守道 ,  胜田祐司 ,  早濑徹 ,  神藤明日美

IPC: C04B35/111 ,  C04B35/50 ,  C04B35/505 ,  C04B35/645

Abstract: 首先，将Yb2O3原料粉末通过200kgf/cm2的压力单轴加压成形，制作厚10mm左右的圆盘状成形体，装入烧成用石墨铸模。接着，使用热压法在规定的烧成温度(1500℃)进行烧成，得到半导体制造装置用耐腐蚀性构件。烧成时的冲压压力为200kgf/cm2、烧成终结为止为Ar气氛。烧成温度(最高温度)下的保持时间为4小时。这样，得到开孔率0.2％的Yb2O3烧结体构成的半导体制造装置用耐腐蚀性构件。

公开(公告)号：CN106716650A

公开(公告)日：2017-05-24

申请号：CN201580044820.3

申请日：2015-07-09

Applicant: 日本碍子株式会社

Inventor： 仓冈义孝 ,  大上翔平 ,  滑川政彦 ,  渡边守道

IPC: H01L33/08 ,  H01L33/16 ,  H01L33/24 ,  H01L33/32 ,  H01L33/42

CPC classification number: H01L33/0075 ,  H01L33/025 ,  H01L33/06 ,  H01L33/08 ,  H01L33/16 ,  H01L33/18 ,  H01L33/20 ,  H01L33/32 ,  H01L33/42 ,  H01L33/46 ,  H01L33/58 ,  H01L33/62 ,  H01L2933/0016 ,  H01L2933/0025 ,  H01L2933/0033 ,  H01L2933/0058 ,  H01L2933/0066

Abstract: 本发明提供一种廉价且容易制作、并且出光效率优异的发光元件。发光元件包括：由取向的多个晶粒构成的取向多晶基板、离散地设置于取向多晶基板的一个主面的不存在结晶缺陷的区域的上方且分别是在取向多晶基板的法线方向具有长度方向的柱状部位的多个柱状发光部、以及用折射率比柱状发光部的构成材料低的材料以包围多个柱状发光部的方式设置于取向多晶基板的上方的光封入层。

公开(公告)号：CN105679663A

公开(公告)日：2016-06-15

申请号：CN201610080984.8

申请日：2011-10-11

Applicant: 日本碍子株式会社

Inventor： 渡边守道 ,  神藤明日美 ,  胜田祐司 ,  佐藤洋介 ,  矶田佳范

IPC: H01L21/3065 ,  H01L21/31 ,  C04B35/581 ,  C04B35/04

CPC classification number: H01L21/67 ,  B32B18/00 ,  C04B35/58 ,  C04B35/581 ,  C04B35/6261 ,  C04B35/62655 ,  C04B35/645 ,  C04B37/001 ,  C04B37/003 ,  C04B2235/3206 ,  C04B2235/3217 ,  C04B2235/3222 ,  C04B2235/3225 ,  C04B2235/3865 ,  C04B2235/5445 ,  C04B2235/77 ,  C04B2235/80 ,  C04B2235/96 ,  C04B2235/9607 ,  C04B2237/08 ,  C04B2237/34 ,  C04B2237/343 ,  C04B2237/36 ,  C04B2237/366 ,  C04B2237/58 ,  C04B2237/704 ,  C04B2237/708 ,  C04B2237/72 ,  C23C14/3414 ,  H01L21/6831 ,  H05B1/00 ,  H05B3/283 ,  Y10T428/24942 ,  H01L21/3065 ,  C04B35/04 ,  H01L21/31

Abstract: 本发明的陶瓷材料以镁、铝、氧及氮为主成分，主相为使用CuKα线时的XRD波峰至少出现在2θ＝47～50°的镁-铝氮氧化物相。