-
公开(公告)号：CN114901875A
公开(公告)日：2022-08-12
申请号：CN202080089055.8
申请日：2020-01-24
Applicant: 日本碍子株式会社
IPC: C30B25/20 , H01L21/20 , H01L21/203 , H01L21/205 , C30B29/36
Abstract: SiC复合基板(10)具备SiC单晶层(20)和含有稀土的SiC层(30)。含有稀土的SiC层(30)含有稀土元素，该稀土元素的浓度在1×1016原子/cm3以上且1×1019原子/cm3以下的范围内。由于将稀土元素的浓度设定在该范围内，因此能够充分地降低在含有稀土的SiC层(30)上生长的SiC外延层的BPD密度。
-
公开(公告)号：CN111278792A
公开(公告)日：2020-06-12
申请号：CN201880055098.7
申请日：2018-10-24
Applicant: 日本碍子株式会社
IPC: C04B35/645 , C04B35/111
Abstract: 本发明的取向陶瓷烧结体的制法包括如下工序：(a)制作烧成为取向陶瓷烧结体之前的陶瓷成型体；和(b)用一对脱模片夹持陶瓷成型体并配置于热压烧成炉内，一边利用一对冲头隔着一对脱模片对陶瓷成型体进行加压一边进行热压烧成，从而得到取向陶瓷烧结体。脱模片在以厚度为75μm且表面的算术平均粗糙度Ra为0.03μm的PET膜进行夹持后，载置于厚度为10mm且表面的算术平均粗糙度Ra为0.29μm的不锈钢板上并进行真空包装，以200kg/cm2进行等静压压制后，脱模片的与不锈钢板侧相反一侧的面的截面曲线的最大截面高度Pt为0.8μm以下。
-
公开(公告)号：CN107531576A
公开(公告)日：2018-01-02
申请号：CN201680025071.4
申请日：2016-05-12
Applicant: 日本碍子株式会社
IPC: C04B35/115 , G01N23/207 , G02B1/02
CPC classification number: C01F7/02 , C01F7/442 , C01P2002/60 , C01P2002/72 , C01P2004/03 , C01P2004/22 , C01P2004/54 , C01P2004/61 , C01P2006/14 , C01P2006/16 , C01P2006/60 , C01P2006/80 , C04B35/115 , C04B35/632 , C04B35/6342 , C04B35/645 , C04B2235/3206 , C04B2235/3217 , C04B2235/322 , C04B2235/445 , C04B2235/5292 , C04B2235/5296 , C04B2235/5436 , C04B2235/5445 , C04B2235/6025 , C04B2235/604 , C04B2235/6567 , C04B2235/658 , C04B2235/72 , C04B2235/725 , C04B2235/786 , C04B2235/787 , C04B2235/788 , G01N23/207 , G02B1/02
Abstract: 本发明的氧化铝烧结体具有c晶面取向度为5％以上的面，该c晶面取向度是使用照射X射线时在2θ＝20°～70°的范围内的X射线衍射图谱，利用Lotgering法而求出的，所述氧化铝烧结体包含Mg、F，Mg/F的质量比为0.05～3500，Mg的含量为30～3500质量ppm，结晶粒径为15～200μm，在用肉眼观察以倍率1000倍对纵向370.0μm×横向370.0μm的视野进行拍摄而得到的照片时，直径0.2～0.6μm的气孔为250个以下，直径0.2～0.6μm的气孔的体积相对于所述氧化铝烧结体的体积的比例为130体积ppm以下。本发明的氧化铝烧结体的厚度为0.5mm时，在波长450nm～1000nm处的直线透过率为60％以上。亦即，本发明的氧化铝烧结体由于即便c晶面取向度为5％以上、直线透过率也较高，所以透明性优异。
-
公开(公告)号：CN103415490A
公开(公告)日：2013-11-27
申请号：CN201280012338.8
申请日：2012-03-14
Applicant: 日本碍子株式会社
IPC: C04B35/565 , B01J35/04 , C04B38/00
CPC classification number: B01J29/06 , B01D53/944 , B01J23/38 , B01J35/002 , B01J35/04 , C04B35/565 , C04B35/6316 , C04B38/0006 , C04B2111/0081 , C04B2235/3481 , C04B2235/428 , C04B2235/5436 , C04B2235/80 , C04B38/0074
Abstract: 本发明的碳化硅质多孔体含有碳化硅粒子、金属硅、氧化物相，碳化硅粒子介由金属硅及氧化物相中的至少一方互相结合。此外，氧化物相的主成分为堇青石，开口孔隙率为10～40%。优选碳化硅为50～80重量%，金属硅为15～40重量%，堇青石为1～25重量%。此外，优选体积电阻率为1～80Ωcm，热导率为30～70W/m·K。
-
公开(公告)号：CN119654452A
公开(公告)日：2025-03-18
申请号：CN202280095382.3
申请日：2022-08-22
Applicant: 日本碍子株式会社
IPC: C30B29/36
Abstract: 本发明提供能够减少磨削、研磨、切断等基板加工时的开裂及裂纹的SiC基板。该SiC基板具备双轴取向SiC层，SiC基板及双轴取向SiC层具有偏角。关于该SiC基板，在对双轴取向SiC层中的某个4mm见方的区域进行X射线形貌(XRT)测定得到的XRT图像中，基面位错(BPD)的进展方向与[11－20]方向所成的角的锐角侧的绝对值为15°以下的BPD的数量相对于BPD的总数的比例为60％以上。BPD的进展方向定义为：在XRT图像中，将观察为线状的BPD的终点和自终点沿着线状的BPD离开150μm的点连结得到的线段的方向。
-
Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN114901875B
公开(公告)日：2024-05-10
申请号：CN202080089055.8
申请日：2020-01-24
Applicant: 日本碍子株式会社
IPC: C30B25/20 , H01L21/20 , H01L21/203 , H01L21/205 , C30B29/36
Abstract: SiC复合基板(10)具备SiC单晶层(20)和含有稀土的SiC层(30)。含有稀土的SiC层(30)含有稀土元素，该稀土元素的浓度在1×1016原子/cm3以上且1×1019原子/cm3以下的范围内。由于将稀土元素的浓度设定在该范围内，因此能够充分地降低在含有稀土的SiC层(30)上生长的SiC外延层的BPD密度。
-
公开(公告)号：CN115057711B
公开(公告)日：2023-07-14
申请号：CN202210702305.1
申请日：2018-10-24
Applicant: 日本碍子株式会社
IPC: C04B35/645 , C04B35/111 , C04B35/622
Abstract: 本发明涉及一种平坦片材，其中，用厚度为75μm且表面的算术平均粗糙度Ra为0.03μm的PET膜夹持所述平坦片材后，载置于厚度为10mm且表面的算术平均粗糙度Ra为0.29μm的不锈钢板上并进行真空包装，以200kg/cm2进行等静压压制后，所述平坦片材的与所述不锈钢板侧相反一侧的面的截面曲线的最大截面高度Pt为0.8μm以下。
-
公开(公告)号：CN114761629A
公开(公告)日：2022-07-15
申请号：CN202180006615.3
申请日：2021-01-15
Applicant: 日本碍子株式会社
IPC: C30B29/36 , C30B1/02 , H01L21/20 , H01L21/205 , H01L29/161
Abstract: 双轴取向SiC复合基板(10)具备：第一双轴取向SiC层(20)，其包含贯通螺旋位错以及基底面位错；以及第二双轴取向SiC层(30)，其与第一双轴取向SiC层(20)连续地形成，并含有1×1016atoms/cm3以上且1×1019atoms/cm3以下的稀土元素。第二双轴取向SiC层(30)的表面的缺陷密度小于第一双轴取向SiC层(20)的缺陷密度。
-
公开(公告)号：CN108025979B
公开(公告)日：2021-06-01
申请号：CN201680050570.9
申请日：2016-09-26
Applicant: 日本碍子株式会社
IPC: C04B35/111
Abstract: 作为本发明的一个实施方式的外延生长用取向氧化铝基板，其构成表面的晶体粒子的倾斜角为1°以上3°以下，平均烧结粒径为20μm以上。这里，倾斜角是指X射线摆动曲线半高宽(XRC·FWHM)。平均烧结粒径是指：对取向氧化铝基板的板面进行热蚀刻之后使用由扫描电子显微镜拍摄到的图像进行测定所得的值。与以往相比，利用该外延生长用取向氧化铝基板制作的半导体器件的特性有所提高。
-
公开(公告)号：CN117529584A
公开(公告)日：2024-02-06
申请号：CN202280043244.0
申请日：2022-10-19
Applicant: 日本碍子株式会社
IPC: C30B29/36
Abstract: 本发明提供一种表面的TSD密度非常小的SiC基板。该基板为具备双轴取向SiC层的SiC基板，在用光致发光(PL)对双轴取向SiC层的表面进行分析、得到以[11‑20]方向的距离(μm)为横轴且以PL强度I为纵轴绘制的坐标图的情况下，(i)上述坐标图具有重复极大点和极小点的形状，其中，极大点被定义为给出比由在其左右的第一近的点、第二近的点和第三近的点组成的合计6个点的各个PL强度I都更高的PL强度I的点，且极小点被定义为给出比由在其左右的第一近的点、第二近的点和第三近的点组成的合计6个点的各个PL强度I都更低的PL强度I的点，(ii)将某个极大点PM处的PL强度I的极大值设为M、将在[11‑20]方向的距离比该极大点PM长、且位于与该极大点PM最近的位置的极小点Pm处的PL强度I的极小值设为m，此时M/m的比为1.05以上，(iii)极大点PM与极小点Pm在[11‑20]方向的距离L为15～150μm。
-
-
-
-
-
-
-
-
-
Search Results
28
records
(took 0.024 seconds)
