取向AlN烧结体及其制法
    2.
    发明授权

    公开(公告)号:CN110088061B

    公开(公告)日:2022-05-13

    申请号:CN201780073408.3

    申请日:2017-12-20

    Abstract: 取向AlN烧结体的制法的第一工序中,在包含板面为c面、纵横尺寸比为3以上、平均厚度为0.05~1.8μm的板状AlN粉末的AlN原料粉末中混合烧结助剂,得到混合物,将该混合物成型,制作成型体,且该工序中,以所述板状AlN粉末的板面沿着所述成型体的表面的方式将所述混合物成型。第二工序中,对成型体的表面进行加压,同时,在非氧化气氛下,对成型体进行热压烧成,得到取向AlN烧结体。

    透明AlN烧结体及其制法
    3.
    发明授权

    公开(公告)号:CN110072826B

    公开(公告)日:2022-03-01

    申请号:CN201780073409.8

    申请日:2017-12-20

    Abstract: 透明AlN烧结体的制法的第一工序中,首先,在包含板面为c面、纵横尺寸比为3以上的板状AlN粉末的AlN原料粉末中混合烧结助剂,得到混合物,将该混合物成型,制作成型体。此时,以板状AlN粉末的板面沿着成型体的表面的方式将混合物成型。第二工序中,对成型体的表面进行加压,同时,在非氧化气氛下,对成型体进行热压烧成,得到取向AlN烧结体。第三工序中,在非氧化气氛下,对取向AlN烧结体进行常压烧成,除去源自于烧结助剂的成分,由此,得到透明AlN烧结体。

    氮化铝板
    4.
    发明授权

    公开(公告)号:CN111868010B

    公开(公告)日:2023-04-28

    申请号:CN201980005454.9

    申请日:2019-03-27

    Abstract: 提供一种氮化铝板,其具备表层和下层。该氮化铝板中,当从厚度方向对表层进行X射线衍射测定时的(002)晶面的衍射强度相对于(002)晶面的衍射强度与(100)晶面的衍射强度之和的比例为c面取向度c1,从厚度方向对表层以外的部位进行X射线衍射测定时的(002)晶面的衍射强度相对于(002)晶面的衍射强度与(100)晶面的衍射强度之和的比例为c面取向度c2,并且表层的(102)晶面的X射线摇摆曲线中的半值宽度为w1、表层以外的部位的(102)晶面的X射线摇摆曲线中的半值宽度为w2时,满足“式1:c1>97.5%”、“式2:c2>97.0%”、“式3:w1<2.5”、“式4:w1/w2<0.995”。

    氮化铝粒子
    5.
    发明授权

    公开(公告)号:CN110402234B

    公开(公告)日:2022-10-14

    申请号:CN201780086883.4

    申请日:2017-03-22

    Abstract: 本发明公开一种用作氮化铝烧结体的原料的氮化铝粒子。关于该氮化铝粒子,粒子内的晶体取向一致,纵横尺寸比为3以上,呈板状,表面方向长度为0.6μm~20μm,且厚度方向长度为0.05μm~2μm。

    氮化铝板
    6.
    发明公开

    公开(公告)号:CN111868011A

    公开(公告)日:2020-10-30

    申请号:CN201980005455.3

    申请日:2019-03-27

    Abstract: 本发明提供一种氮化铝板,其具备表层和下层。该氮化铝板中,当从厚度方向对表层进行X射线衍射测定时的(002)晶面的衍射强度相对于(002)晶面的衍射强度与(100)晶面的衍射强度之和的比例为c面取向度c1,且从厚度方向对表层以外的部位(下层)进行X射线衍射测定时的(002)晶面的衍射强度相对于(002)晶面的衍射强度与(100)晶面的衍射强度之和的比例为c面取向度c2时,同时满足“式1:c1>97.5%”及“式2:c2/c1<0.995”。另外,该氮化铝板中,表层的含氮量与表层以外的部位的氮含有率之差按重量比计小于0.15%。

    氮化铝粒子
    7.
    发明公开

    公开(公告)号:CN110402234A

    公开(公告)日:2019-11-01

    申请号:CN201780086883.4

    申请日:2017-03-22

    Abstract: 本发明公开一种用作氮化铝烧结体的原料的氮化铝粒子。关于该氮化铝粒子,粒子内的晶体取向一致,纵横尺寸比为3以上,呈板状,表面方向长度为0.6μm~20μm,且厚度方向长度为0.05μm~2μm。

Patent Agency Ranking