光调制器用接合体、光调制器及光调制器用接合体的制造方法

    公开(公告)号:CN112612149B

    公开(公告)日:2024-03-29

    申请号:CN202011031274.9

    申请日:2020-09-27

    IPC分类号: G02F1/035 G02F1/03

    摘要: 本发明涉及一种光调制器用接合体、光调制器及光调制器用接合体的制造方法。在将由铌酸锂等形成的光波导用材料与支撑基板接合而成的光调制器用接合体及光调制器中,抑制光波导用材料因退火处理而开裂,并且,改善光调制器对频率的光响应特性。光调制器用接合体(6)具备支撑基板(4);光波导用材料(7),其由选自由铌酸锂、钽酸锂及铌酸锂-钽酸锂构成的组中的材质形成,并设置于支撑基板(4)上;以及光波导(8),其存在于光波导材料(7)。支撑基板(4)由选自由氧化镁及镁-硅复合氧化物构成的组中的材质形成。

    氮化铝板
    2.
    发明授权

    公开(公告)号:CN111868011B

    公开(公告)日:2022-03-11

    申请号:CN201980005455.3

    申请日:2019-03-27

    IPC分类号: C04B35/581 C30B29/38

    摘要: 本发明提供一种氮化铝板,其具备表层和下层。该氮化铝板中,当从厚度方向对表层进行X射线衍射测定时的(002)晶面的衍射强度相对于(002)晶面的衍射强度与(100)晶面的衍射强度之和的比例为c面取向度c1,且从厚度方向对表层以外的部位(下层)进行X射线衍射测定时的(002)晶面的衍射强度相对于(002)晶面的衍射强度与(100)晶面的衍射强度之和的比例为c面取向度c2时,同时满足“式1:c1>97.5%”及“式2:c2/c1<0.995”。另外,该氮化铝板中,表层的含氮量与表层以外的部位的含氮量之差按重量比计小于0.15%。

    隔热部件
    3.
    发明公开

    公开(公告)号:CN109642696A

    公开(公告)日:2019-04-16

    申请号:CN201780051957.0

    申请日:2017-06-27

    摘要: 隔热部件(16)具备第1主面(161)和第2主面(162),在被对象物夹持的情况下,所述第1主面(161)与一个对象物对置,所述第2主面(162)位于与第1主面(161)相反的一侧,并与另一对象物对置。隔热部件(16)具有含气孔的陶瓷的多孔质结构,ZrO2粒子以及存在于ZrO2粒子的表面的异种材料形成多孔质结构的骨架。异种材料包含选自SiO2、TiO2、La2O3以及Y2O3中的至少一种。异种材料存在于ZrO2粒子的表面、尤其是粒子间的连接部,从而较高地维持了隔热部件(16)的机械强度,并且得到优异的隔热性能。

    多孔质陶瓷结构体
    4.
    发明公开

    公开(公告)号:CN107848899A

    公开(公告)日:2018-03-27

    申请号:CN201680041453.6

    申请日:2016-06-02

    摘要: 本发明涉及多孔质陶瓷结构体。多孔质陶瓷结构体(10)具有由多个多孔质陶瓷粒子(16)构成的多孔质陶瓷集合体(14),相对于在多孔质陶瓷集合体(14)内含有的多孔质陶瓷粒子(16)的角部的个数,位于某个多孔质陶瓷粒子(16)的一个角部与两个其他多孔质陶瓷粒子(16)对置处的角部的个数,比例为80%以上。

    AlN单晶基板
    6.
    发明公开
    AlN单晶基板 审中-实审

    公开(公告)号:CN118234899A

    公开(公告)日:2024-06-21

    申请号:CN202280075107.5

    申请日:2022-03-28

    IPC分类号: C30B29/38 H01L21/205

    摘要: 本发明提供一种偏角分布小的AlN单晶基板。该AlN单晶基板是具有半径r的圆形状的AlN单晶基板,在将AlN单晶基板划分为从AlN单晶基板的中心沿径向至0.4r的区域即中心部、从AlN单晶基板的中心沿径向至0.7r的区域中除中心部以外的区域即中间部以及从AlN单晶基板的整个区域中除中心部和中间部以外的区域即外周部这三个区域的情况下,中心部的位错密度Dc、中间部的位错密度Dm以及外周部的位错密度Dp满足Dm>Dp>Dc的关系。

    取向AlN烧结体及其制法
    7.
    发明授权

    公开(公告)号:CN110088061B

    公开(公告)日:2022-05-13

    申请号:CN201780073408.3

    申请日:2017-12-20

    IPC分类号: C04B35/581

    摘要: 取向AlN烧结体的制法的第一工序中,在包含板面为c面、纵横尺寸比为3以上、平均厚度为0.05~1.8μm的板状AlN粉末的AlN原料粉末中混合烧结助剂,得到混合物,将该混合物成型,制作成型体,且该工序中,以所述板状AlN粉末的板面沿着所述成型体的表面的方式将所述混合物成型。第二工序中,对成型体的表面进行加压,同时,在非氧化气氛下,对成型体进行热压烧成,得到取向AlN烧结体。

    透明AlN烧结体及其制法
    8.
    发明授权

    公开(公告)号:CN110072826B

    公开(公告)日:2022-03-01

    申请号:CN201780073409.8

    申请日:2017-12-20

    IPC分类号: C04B35/581 C04B35/645

    摘要: 透明AlN烧结体的制法的第一工序中,首先,在包含板面为c面、纵横尺寸比为3以上的板状AlN粉末的AlN原料粉末中混合烧结助剂,得到混合物,将该混合物成型,制作成型体。此时,以板状AlN粉末的板面沿着成型体的表面的方式将混合物成型。第二工序中,对成型体的表面进行加压,同时,在非氧化气氛下,对成型体进行热压烧成,得到取向AlN烧结体。第三工序中,在非氧化气氛下,对取向AlN烧结体进行常压烧成,除去源自于烧结助剂的成分,由此,得到透明AlN烧结体。

    多孔质陶瓷粒子
    9.
    发明授权

    公开(公告)号:CN107848898B

    公开(公告)日:2020-11-06

    申请号:CN201680041144.9

    申请日:2016-06-02

    IPC分类号: C04B38/00 C01G25/02 F16L59/02

    摘要: 本发明涉及多孔质陶瓷粒子。多孔质陶瓷粒子(10)是气孔率为20~99%的多孔质陶瓷粒子,一个主面(12a)为镜面,纵横尺寸比为3以上。由此,能够实现低导热系数化,并且能够直接使用粘接剂等设置于对象物等上,能够容易地进行块体的设置。