公开(公告)号：CN105636920B

公开(公告)日：2017-11-14

申请号：CN201580002212.6

申请日：2015-05-26

Applicant: 日本碍子株式会社

Inventor： 矶田佳范 ,  佐藤洋介 ,  胜田佑司

IPC: H05K1/03 ,  C04B35/18 ,  C04B37/00

CPC classification number: C04B35/185 ,  C04B35/645 ,  C04B37/001 ,  C04B37/008 ,  C04B37/02 ,  C04B2235/5436 ,  C04B2235/5445 ,  C04B2235/6562 ,  C04B2235/6565 ,  C04B2235/6586 ,  C04B2235/77 ,  C04B2235/785 ,  C04B2235/96 ,  C04B2235/963 ,  C04B2235/9646 ,  C04B2235/9653 ,  C04B2237/34 ,  C04B2237/55 ,  C04B2237/72

Abstract: 本发明的莫来石烧结体是杂质元素的含量为1质量％以下的莫来石烧结体，莫来石烧结粒的平均粒径为8μm以下，存在于经研磨精加工的表面的气孔的最大部分长度的平均值为0.4μm以下。前述表面的中心线平均表面粗糙度(Ra)优选为3nm以下。前述表面的最大峰高(Rp)优选为30nm以下。在前述表面存在的气孔数在每4μm×4μm的面积中优选为10个以下。

公开(公告)号：CN105636920A

公开(公告)日：2016-06-01

申请号：CN201580002212.6

申请日：2015-05-26

Applicant: 日本碍子株式会社

Inventor： 矶田佳范 ,  佐藤洋介 ,  胜田佑司

IPC: C04B35/18 ,  C04B37/00 ,  H05K1/03

CPC classification number: C04B35/185 ,  C04B35/645 ,  C04B37/001 ,  C04B37/008 ,  C04B37/02 ,  C04B2235/5436 ,  C04B2235/5445 ,  C04B2235/6562 ,  C04B2235/6565 ,  C04B2235/6586 ,  C04B2235/77 ,  C04B2235/785 ,  C04B2235/96 ,  C04B2235/963 ,  C04B2235/9646 ,  C04B2235/9653 ,  C04B2237/34 ,  C04B2237/55 ,  C04B2237/72

Abstract: 本发明的莫来石烧结体是杂质元素的含量为1质量％以下的莫来石烧结体，莫来石烧结粒的平均粒径为8μm以下，存在于经研磨精加工的表面的气孔的最大部分长度的平均值为0.4μm以下。前述表面的中心线平均表面粗糙度(Ra)优选为3nm以下。前述表面的最大峰高(Rp)优选为30nm以下。在前述表面存在的气孔数在每4μm×4μm的面积中优选为10个以下。

公开(公告)号：CN101844916A

公开(公告)日：2010-09-29

申请号：CN201010150607.X

申请日：2010-03-25

Applicant: 日本碍子株式会社

Inventor： 寺谷直美 ,  早濑彻 ,  胜田佑司 ,  来田雅裕

IPC: C04B35/10 ,  C04B35/622

Abstract: 本发明提供一种氧化铝烧结体的制法，在低温下烧结由普通氧化铝粉末制作的成形体。本发明的氧化铝烧结体的制法包括：(a)将至少含有Al2O3和MgF2的混合粉末、或者Al2O3、MgF2、MgO的混合粉末成形为规定形状的成形体的步骤；(b)在真空气氛下或非氧化性气氛下将该成形体热压烧成氧化铝烧结体的步骤，即，相对于Al2O3100重量份的MgF2的用量为X(重量份)，热压烧成温度为Y(℃)时，设定热压烧成温度满足下式(1)～(4)的步骤：1120≤Y≤1300…(1)，0.15≤X≤1.89…(2)，Y≤-78.7X+1349…(3)，Y≥-200X+1212…(4)。

公开(公告)号：CN104285290A

公开(公告)日：2015-01-14

申请号：CN201480001113.1

申请日：2014-03-05

Applicant: 日本碍子株式会社

Inventor： 神藤明日美 ,  井上胜弘 ,  胜田佑司 ,  片居木俊 ,  天野真悟 ,  杉本博哉

IPC: H01L21/683 ,  C04B35/565

CPC classification number: F28F3/12 ,  B23K1/0008 ,  B23K1/19 ,  C04B35/5611 ,  C04B35/5615 ,  C04B35/565 ,  C04B35/58092 ,  C04B35/645 ,  C04B37/006 ,  C04B2235/3839 ,  C04B2235/3843 ,  C04B2235/3891 ,  C04B2235/404 ,  C04B2235/428 ,  C04B2235/5436 ,  C04B2235/72 ,  C04B2235/77 ,  C04B2235/96 ,  C04B2235/9607 ,  F28F21/086 ,  H01L21/6833 ,  Y10T428/249969 ,  C04B35/575 ,  H01L2221/683

Abstract: 半导体制造装置用部件(10)具有氧化铝制静电卡盘(20)、冷却板(30)、以及冷却板-卡盘接合层(40)。冷却板(30)具有第1～第3基板(31～33)、形成于第1以及第2基板(31、32)之间的第1金属接合层(34)、形成于第2以及第3基板(32、33)之间的第2金属接合层(35)、以及制冷剂通路(36)。第1～第3基板(31～33)由致密质复合材料形成，所述致密质复合材料中碳化硅的含量最多，并且含有硅化钛、钛碳化硅以及碳化钛。金属接合层(34、35)通过在第1以及第2基板(31、32)之间，以及在第2以及第3基板(32、33)之间夹持Al-Si-Mg系或Al-Mg系的金属接合材料并将各基板(31～33)进行热压接合而形成。

公开(公告)号：CN101844916B

公开(公告)日：2013-06-26

申请号：CN201010150607.X

申请日：2010-03-25

Applicant: 日本碍子株式会社

Inventor： 寺谷直美 ,  早濑彻 ,  胜田佑司 ,  来田雅裕

IPC: C04B35/10 ,  C04B35/622

Abstract: 本发明提供一种氧化铝烧结体的制法，在低温下烧结由普通氧化铝粉末制作的成形体。本发明的氧化铝烧结体的制法包括：(a)将至少含有Al2O3和MgF2的混合粉末、或者Al2O3、MgF2、MgO的混合粉末成形为规定形状的成形体的步骤；(b)在真空气氛下或非氧化性气氛下将该成形体热压烧成氧化铝烧结体的步骤，即，相对于Al2O3100重量份的MgF2的用量为X(重量份)，热压烧成温度为Y(℃)时，设定热压烧成温度满足下式(1)～(4)的步骤：1120≤Y≤1300…(1)，0.15≤X≤1.89…(2)，Y≤-78.7X+1349…(3)，Y≥-200X+1212…(4)。

公开(公告)号：CN101734924A

公开(公告)日：2010-06-16

申请号：CN200910224404.8

申请日：2009-11-19

Applicant: 日本碍子株式会社

Inventor： 寺谷直美 ,  早濑彻 ,  胜田佑司

IPC: C04B35/581 ,  C04B35/64 ,  H01L21/683

CPC classification number: C04B35/581 ,  C04B35/62655 ,  C04B35/645 ,  C04B2235/3217 ,  C04B2235/3222 ,  C04B2235/3224 ,  C04B2235/3232 ,  C04B2235/3865 ,  C04B2235/3886 ,  C04B2235/3895 ,  C04B2235/5436 ,  C04B2235/5445 ,  C04B2235/656 ,  C04B2235/6567 ,  C04B2235/6581 ,  C04B2235/661 ,  C04B2235/77 ,  C04B2235/80 ,  C04B2235/85 ,  C04B2235/9607 ,  H01L21/6833

Abstract: 本发明提供一种不合钐的氮化铝烧结体，具有与含钐的氮化铝烧结体同等性能。本发明的氮化铝烧结体的制造方法包括：(a)调制不合Sm的混合粉末的工序，该混合粉末含有AlN、相对于AlN100重量份的2～10重量份的Eu2O3、相对于Eu2O3的摩尔比为2～10的Al2O3和相对于Al2O3的摩尔比为0.05～1.2的TiO2；(b)使用混合粉末制作成形体的工序；(c)随着烧成该成形体，在真空或惰性气氛下，进行热压烧成的工序。

公开(公告)号：CN101508567B

公开(公告)日：2016-10-05

申请号：CN200910007179.2

申请日：2009-02-13

Applicant: 日本碍子株式会社

Inventor： 小林义政 ,  胜田佑司

IPC: H01L21/687 ,  C04B35/505 ,  C04B35/622

CPC classification number: C04B35/505 ,  C04B35/6261 ,  C04B35/645 ,  C04B2235/3206 ,  C04B2235/3208 ,  C04B2235/3217 ,  C04B2235/3224 ,  C04B2235/3225 ,  C04B2235/3227 ,  C04B2235/3826 ,  C04B2235/3873 ,  C04B2235/445 ,  C04B2235/5436 ,  C04B2235/656 ,  C04B2235/77 ,  C04B2235/80 ,  C04B2235/96 ,  H01L21/6831

Abstract: 本发明提供一种氧化钇材料及其制造方法，能够进一步提高氧化钇材料的机械性强度。作为半导体制造装置用部件的静电卡盘(20)的基体(22)是由氧化钇材料构成，该氧化钇材料至少包括：氧化钇(Y2O3)、碳化硅(SiC)、以及含有RE(稀土类元素)、Si、O和N的化合物。该氧化钇材料含有以RE为La、Y等的RE8Si4N4O14作为含RE(稀土类元素)、Si、O和N的化合物。该RE8Si4N4O14是由作为原料的主成分的Y2O3和作为原料添加的Si3N4等在烧结过程中生成的化合物。通过氧化钇中含有的SiC及该化合物来提高机械性强度和体积电阻率。

公开(公告)号：CN102060516B

公开(公告)日：2014-10-15

申请号：CN201010552447.1

申请日：2010-11-17

Applicant: 日本碍子株式会社

Inventor： 泉有仁枝 ,  小林义政 ,  胜田佑司

IPC: B32B5/16 ,  C04B35/18 ,  C04B35/622

CPC classification number: C04B35/18 ,  C04B35/16 ,  C04B35/195 ,  Y10T428/12597 ,  Y10T428/257

Abstract: 本发明提供一种陶瓷烧结体，进一步降低烧成温度的同时更加提高了机械特性和谐振特性。本发明的陶瓷烧结体的制造方法，包括在一定条件下混合硅酸钡、氧化铝、玻璃材料和添加氧化物成形混合原料后，在850℃～1000℃进行烧成的工序。这时，混合平均粒径为0.3μm以上不到1μm范围的、比表面积在5m2/g～20m2/g范围内的单斜晶硅酸钡。另外，混合平均粒径为0.4μm～10μm、比表面积为0.8m2/g～8m2/g的且相对于硅酸钡在10体积％～25体积％范围内的氧化铝。该陶瓷烧结体含有硅酸钡成分、玻璃成分和添加氧化物的成分以及氧化铝粒子，具有在氧化铝粒子的外周存在有六方钡长石的微观结构。

公开(公告)号：CN105764871A

公开(公告)日：2016-07-13

申请号：CN201580002729.5

申请日：2015-05-26

Applicant: 日本碍子株式会社

Inventor： 矶田佳范 ,  佐藤洋介 ,  胜田佑司

IPC: C04B35/195 ,  C04B37/00

CPC classification number: C04B35/195 ,  C04B35/645 ,  C04B35/6455 ,  C04B37/00 ,  C04B2235/3272 ,  C04B2235/3418 ,  C04B2235/3481 ,  C04B2235/5445 ,  C04B2235/6562 ,  C04B2235/6565 ,  C04B2235/6567 ,  C04B2235/662 ,  C04B2235/72 ,  C04B2235/76 ,  C04B2235/77 ,  C04B2235/80 ,  C04B2235/96 ,  C04B2235/963 ,  C04B2235/9646 ,  C04B2237/30 ,  C04B2237/52 ,  C04B2237/55 ,  C30B33/06

Abstract: 本发明的堇青石烧结体，在X射线衍射图中，除了堇青石成分以外的各成分的最大峰的强度的总和相对于堇青石的(110)面的峰顶强度的比为0.0025以下。该堇青石烧结体中，除了堇青石成分以外的异相极其少，因而在将表面研磨成镜面状时的表面平整度高。

公开(公告)号：CN104285290B

公开(公告)日：2016-03-23

申请号：CN201480001113.1

申请日：2014-03-05

Applicant: 日本碍子株式会社

Inventor： 神藤明日美 ,  井上胜弘 ,  胜田佑司 ,  片居木俊 ,  天野真悟 ,  杉本博哉

IPC: H01L21/683 ,  C04B35/565

CPC classification number: F28F3/12 ,  B23K1/0008 ,  B23K1/19 ,  C04B35/5611 ,  C04B35/5615 ,  C04B35/565 ,  C04B35/58092 ,  C04B35/645 ,  C04B37/006 ,  C04B2235/3839 ,  C04B2235/3843 ,  C04B2235/3891 ,  C04B2235/404 ,  C04B2235/428 ,  C04B2235/5436 ,  C04B2235/72 ,  C04B2235/77 ,  C04B2235/96 ,  C04B2235/9607 ,  F28F21/086 ,  H01L21/6833 ,  Y10T428/249969

Abstract: 半导体制造装置用部件(10)具有氧化铝制静电卡盘(20)、冷却板(30)、以及冷却板-卡盘接合层(40)。冷却板(30)具有第1～第3基板(31～33)、形成于第1以及第2基板(31、32)之间的第1金属接合层(34)、形成于第2以及第3基板(32、33)之间的第2金属接合层(35)、以及制冷剂通路(36)。第1～第3基板(31～33)由致密质复合材料形成，所述致密质复合材料中碳化硅的含量最多，并且含有硅化钛、钛碳化硅以及碳化钛。金属接合层(34、35)通过在第1以及第2基板(31、32)之间，以及在第2以及第3基板(32、33)之间夹持Al-Si-Mg系或Al-Mg系的金属接合材料并将各基板(31～33)进行热压接合而形成。