公开(公告)号：CN114867810A

公开(公告)日：2022-08-05

申请号：CN202080089720.3

申请日：2020-12-15

Applicant: 日产化学株式会社

Inventor： 绪方裕斗 ,  新城彻也 ,  荻野浩司 ,  森谷俊介 ,  奥野贵久 ,  福田拓也 ,  柳井昌树

IPC: C09J201/00 ,  C09J11/08 ,  C09J183/04 ,  C09J183/05 ,  C09J183/07 ,  H01L21/02 ,  H01L21/304 ,  H01L21/683

Abstract: 本发明涉及一种粘接剂组合物，其包含粘接剂成分(S)；以及剥离成分(H)，由复数粘度为3400(Pa·s)以上的聚有机硅氧烷构成。

公开(公告)号：CN114503032A

公开(公告)日：2022-05-13

申请号：CN202080070907.9

申请日：2020-10-05

Applicant: 日产化学株式会社

Inventor： 绪方裕斗 ,  西卷裕和 ,  中岛诚

IPC: G03F7/11 ,  G03F7/16 ,  G03F7/20 ,  G03F7/26 ,  H01L21/027

Abstract: 本发明提供表现出高耐蚀刻性、良好的干蚀刻速度比及光学常数，对所谓高低差基板被覆性也良好、埋入后的膜厚差小、可形成平坦膜的抗蚀剂下层膜形成用组合物。另外还提供使用了该抗蚀剂下层膜形成用组合物的抗蚀剂下层膜、以及半导体装置的制造方法。该抗蚀剂下层膜形成用组合物包含具有下述式(1)所示的部分结构的聚合物和溶剂。(式中，Ar表示可以被取代的碳原子数为6～20的芳香族基团)。

公开(公告)号：CN113574044A

公开(公告)日：2021-10-29

申请号：CN202080020807.5

申请日：2020-03-12

Applicant: 日产化学株式会社

Inventor： 德永光 ,  绪方裕斗 ,  广原知忠 ,  中岛诚

IPC: C07C43/23 ,  C07C69/767 ,  C08G8/20 ,  C08G59/04 ,  C08L101/00 ,  G03F7/11 ,  G03F7/20 ,  G03F7/26 ,  H01L21/027

Abstract: 提供一种组合物，是用于形成不溶于抗蚀剂溶剂、光学常数良好、蚀刻速率高的抗蚀剂下层膜的组合物，其对高低差基板的埋入性和平坦化性优异。包含(A)下述式(I)所示的交联性化合物、和(D)溶剂的抗蚀剂下层膜形成用组合物。[在式(I)中，m为1～30的整数，T为单键、饱和烃基、芳香族基、或不饱和环状烃基，G1、G2、G3、G4、G5和G6各自独立地为(i)或(ii)，n各自独立地为1～8的整数，n个R各自独立地为氢原子、脂肪族烃基、或脂环式烃基，A各自独立地为可以被亚烷基中断的芳基，Z1、Z2、Z3、Z4、Z5、Z6各自独立地表示烷基、芳基、羟基、环氧基或氢原子。]

公开(公告)号：CN112236720A

公开(公告)日：2021-01-15

申请号：CN201980034895.1

申请日：2019-05-21

Applicant: 日产化学株式会社

Inventor： 德永光 ,  绪方裕斗 ,  桥本圭祐 ,  中岛诚

IPC: G03F7/11 ,  C08G8/02 ,  G03F7/20 ,  G03F7/26

Abstract: 提供显示高蚀刻耐性、良好的干蚀刻速度比和光学常数，对所谓的高低差基板也被覆性良好，埋入后的膜厚差小，能够形成平坦的膜的抗蚀剂下层膜形成用组合物。此外，提供适合于该抗蚀剂下层膜形成用组合物的聚合物的制造方法、使用了该抗蚀剂下层膜形成用组合物的抗蚀剂下层膜、以及半导体装置的制造方法。制作一种抗蚀剂下层膜形成用组合物，其包含碳原子数6～60的芳香族化合物(A)与碳原子数3～60的含氧化合物(B)所具有的碳氧间双键的反应生成物、以及溶剂，上述含氧化合物(B)在一分子中具有1个部分结构：‑CON＜或‑COO‑，上述反应生成物中，上述含氧化合物(B)的1个碳原子连接2个上述芳香族化合物(A)。

公开(公告)号：CN111108441A

公开(公告)日：2020-05-05

申请号：CN201880061324.2

申请日：2018-09-19

Applicant: 日产化学株式会社

Inventor： 田村护 ,  绪方裕斗 ,  岸冈高广

IPC: G03F7/11 ,  C08G59/14 ,  G03F7/20 ,  G03F7/26 ,  H01L21/027

Abstract: 含有具有下述式(1)所表示的结构单元的树脂的抗蚀剂下层膜形成用组合物提供了耐溶剂性、光学参数、干蚀刻速度、和埋入性这些特性都优异的抗蚀剂下层膜。式(1)中，R1表示可以夹着羧基的C1～6烷基、可以具有羟基取代基的C1～6烷基或可以具有C1～4烷硫基取代基的噻二唑基，R2表示氢原子或下述式(2)所示基团，式(2)中，R1的含义与上述相同，＊表示键合部分。

公开(公告)号：CN111095107A

公开(公告)日：2020-05-01

申请号：CN201880059291.8

申请日：2018-09-12

Applicant: 日产化学株式会社

Inventor： 德永光 ,  远藤贵文 ,  绪方裕斗 ,  桥本圭祐 ,  中岛诚

IPC: G03F7/11 ,  C08G8/28 ,  C09D163/00 ,  G03F7/20 ,  G03F7/26 ,  H01L21/027

Abstract: 本发明的课题是提供形成具有对图案的填充性和平坦化性的被膜的高低差基板被覆组合物。解决手段是一种高低差基板被覆组合物，是包含下述主剂和溶剂且能够通过光照射而固化的组合物、或能够通过在光照射过程中或者在光照射后在30℃～300℃下加热而固化的高低差基板被覆组合物，上述主剂包含下述化合物(A)、化合物(B)、或它们的混合物，化合物(A)为包含下述式(A-1)或式(A-2)的结构部分的化合物，化合物(B)为包含选自下述式(B-1)～式(B-5)所示的结构部分中的至少一个结构部分，或包含由式(B-6)所示的结构部分与式(B-7)所示的结构部分的组合构成的结构部分的化合物，或包含由式(B-6)所示的结构部分与式(B-8)所示的结构部分的组合构成的结构部分的化合物，该组合物的固体成分中上述主剂的含量为95质量％～100质量％。