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公开(公告)号：CN106684213B
公开(公告)日：2019-01-15
申请号：CN201510752667.1
申请日：2015-11-06
Applicant: 中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所
Abstract: 本发明公开了一种GaN基半导体器件及其制作方法。所述GaN基半导体器件包括硅衬底、以及形成于所述硅衬底上的外延层，所述外延层包括依次形成于所述硅衬底上的AlN成核层，AlGaN缓冲层以及GaN缓冲层。本发明采用介质膜做为掩膜层，通过调控介质层的周期数达到不同的效果，当周期数较大时可以做为限制层，能够有效减少光损耗，降低激光器和超辐射发光二极管的阈值电流；当周期数较小时做为界面层，与底部的AlGaN组成另一个光波导结构，形成平板耦合光波导激光器、超辐射发光二极管，可以得到形状较好的近圆光斑。
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公开(公告)号：CN106711764A
公开(公告)日：2017-05-24
申请号：CN201510783197.5
申请日：2015-11-16
Applicant: 中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所
IPC: H01S5/343
Abstract: 本发明公开了一种GaN基激光器和超辐射发光二极管及其制备方法。所述激光器和超辐射发光二极管的脊型结构通过外延生长直接形成，其包括表面分布有条形台阶结构的衬底，设置在所述衬底上并包覆所述条形台阶结构的、具有脊型结构的外延层，所述外延层包括依次于衬底上形成的下接触层、下限制层、下波导层、有源层、上波导层、电子阻挡层、上限制层和上接触层。本发明通过在衬底上形成窗口区或预先刻蚀形成台阶结构的方法，直接在衬底上生长激光器和超辐射发光二极管脊型，脊型结构的两侧生长有光学限制层，不仅可有效提升器件的横向限制，降低器件的阈值电流，同时还可省去刻蚀操作，从而避免刻蚀损伤，进一步降低器件阈值电流，提高器件可靠性。
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公开(公告)号：CN103219644B
公开(公告)日：2015-08-05
申请号：CN201310097644.2
申请日：2013-03-25
Applicant: 中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所
IPC: H01S5/02
Abstract: 本发明提供一种真空解理系统，包括解理装置，其包括第一进样台及对应于所述第一进样台设置的劈刀，用于半导体芯片的输送及解理成巴条；设有第二进样台的陪片输送装置，用于往所述巴条之间插入陪片；以及，设有巴条盒的采样装置，所述采样装置设于所述解理装置及所述陪片输送装置之间；所述第一进样台出口及所述第二进样台出口分别与所述巴条盒入口对应。本发明还提供利用上述解理系统解理半导体芯片的方法。本发明能实现在真空条件下自然解理激光器芯片，并从进样、解理、镀膜到取样的整个操作过程均不触及激光器的腔面，从而可以大幅度提高激光器的质量和制作效率。
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公开(公告)号：CN102299482A
公开(公告)日：2011-12-28
申请号：CN201110208967.5
申请日：2011-07-25
Applicant: 中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所
IPC: H01S5/22
Abstract: 本发明公开了一种新型氮化镓基半导体激光器外延结构及其制作方法，本发明采用Al组分渐变的p-AlGaN作为光学限制层，通过极化掺杂的原理,实现三维空穴气。利用本发明可以提高受主Mg杂质的活化效率，降低器件电压，同时有效降低激光器内损耗。
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公开(公告)号：CN102299479A
公开(公告)日：2011-12-28
申请号：CN201110198267.2
申请日：2011-07-15
Applicant: 中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所
Abstract: 一种F-P腔半导体激光器腔面钝化的方法，包括以下步骤：1、解理F-P腔半导体激光器，得到激光器bar条；2、用氮等离子体清洗激光器bar条的前后腔面；3、应用外延生长技术在激光器的前后腔面外延生长一层保护膜；4、在激光器bar条前腔面上蒸镀或沉积增透膜，后腔面蒸镀或沉积高反膜；5、用分割或解理的方法把激光器bar条分成单个激光器芯片或芯片阵列。本发明可以有效地减少激光器腔面处的悬键和表面态，抑制激光器腔面的光吸收；同时外延生长的薄膜为宽禁带材料，对出射光的吸收非常小，可以极大抑制激光器腔面处的光吸收和由此引起的温度上升，提高激光器的稳定性和可靠性。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN118783240A
公开(公告)日：2024-10-15
申请号：CN202310361964.8
申请日：2023-04-06
Applicant: 中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所
Abstract: 本发明公开了一种III族氮化物半导体激光器结构及其制作方法。所述激光器结构包含有光子晶体结构，所述光子晶体结构形成于所述激光器结构的n侧，并包括激光器结构内的至少部分n型III族氮化物半导体材料。以及，所述激光器结构的p侧表面通过p型欧姆接触电极与导热支撑基板导热连接。本发明的激光器结构具有串联电阻小、热阻低、发光效率高、应力小等优点，可大幅增强光子晶体表面发射激光器的性能，有效延长其使用寿命，且其制作工艺与现有半导体激光器制作工艺兼容，非常适合III族氮化物半导体光子晶体表面发射激光器的规模生产。
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公开(公告)号：CN118739020A
公开(公告)日：2024-10-01
申请号：CN202310330566.X
申请日：2023-03-30
Applicant: 中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所
Abstract: 本发明公开了一种窄光谱氮化镓基半导体激光器结构及其制作方法。所述激光器结构包括具有F‑P腔的激光器本体，依次结合在所述激光器本体的前腔面上的第一分布式布拉格反射镜、至少一介质层和第二分布式布拉格反射镜，以及，结合在所述激光器本体的后腔面上的第三分布式布拉格反射镜；所述第一分布式布拉格反射镜、介质层和第二分布式布拉格反射镜配合形成光学微腔，所述光学微腔用于与F‑P腔进行耦合选模。本发明的激光器结构具有光谱窄、发光效率高、可靠性好等优点，其制作工艺具有简单、刻蚀损伤小、利于生产，可显著提升氮化镓基半导体激光器的综合性能，并降低其生产成本。
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公开(公告)号：CN117766655A
公开(公告)日：2024-03-26
申请号：CN202310632431.9
申请日：2023-05-31
Applicant: 中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所
Abstract: 本发明公开了一种高效率半导体发光器件及其制备方法。高效率半导体发光器件包括外延结构以及与外延结构配合的第一电极和第二电极，外延结构包括沿器件的纵向依次层叠设置的第一掺杂半导体层、有源区、第二掺杂半导体层，第一掺杂半导体层具有第一注入区，第一电极与第一注入区电连接，第二掺杂半导体层具有第二注入区，第二电极与第二注入区电连接，第一注入区和第二注入区之间形成有载流子传输区，第一注入区、第二注入区的面积小于高效率半导体发光器件的台面面积。本发明使空穴和电子的传输路径远离外延片/台面的刻蚀侧壁，从而空穴和电子避免被侧壁捕获而发生非辐射复合，进而提高了器件的内量子效率。
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公开(公告)号：CN111146314A
公开(公告)日：2020-05-12
申请号：CN201811314183.9
申请日：2018-11-06
Applicant: 中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所
Abstract: 本发明公开了一种提高氮化物半导体紫外发光二极管取光效率的方法及应用。所述方法包括：在衬底上生长氮化物半导体紫外发光二极管结构，获得外延片，所述氮化物半导体紫外发光二极管结构包括依次形成的第一接触层、有源区、电子阻挡层和第二接触层，所述方法还包括：采用旋转错位法，使光刻图形的任意一条边均避开氮化物半导体紫外发光二极管结构的 晶向；采用湿法腐蚀技术修复刻蚀损伤，使氮化物半导体紫外发光二极管结构的无规则粗糙侧壁转化为m面 组成的锯齿形侧壁。本发明结合旋转错位和侧壁腐蚀工艺来实现外延片的侧壁粗化和刻蚀损伤修复，可显著提高氮化物半导体紫外发光二极管的取光效率，提高紫外发光二极管器件性能。
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