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公开(公告)号：CN102174690A
公开(公告)日：2011-09-07
申请号：CN201110006343.5
申请日：2011-01-13
Applicant: 中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所
IPC: C23C16/00
Abstract: 本发明公开了一种MOCVD石墨盘清洁装置，其包括：气路控制器，真空反应室，加热单元，压力控制器，泵，尾气处理装置；带腐蚀性的气体与载气进入所述气路控制器中，该气路控制器将其按比率混合后通入所述的真空反应室内，所述的加热单元进行加热控温，且所述的压力控制器进行压力控制，该混合气体与石墨盘表面沉积物充分反应，反应残留物通过泵随载气一起排出真空反应室，进入尾气处理装置进行净化处理。本发明所公开的装置结构简单、制造和使用成本低廉、清洁石墨盘时效果好、处理时间短，广泛适用于外延生长后附着在石墨盘上的固体沉积物的清洁。
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公开(公告)号：CN101824607A
公开(公告)日：2010-09-08
申请号：CN201010168749.9
申请日：2010-05-12
Applicant: 中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所
IPC: C23C16/455
Abstract: 本发明揭示了一种用于CVD反应器的进气装置，包括呈径向闭合的气体分配管及一体贯通的一路以上进气管，且该气体分配管朝向其所围裹的空间平面中心设有复数个气体喷射孔，且各喷射孔的开设角度相对于其向心角度朝基片偏移。通过调整气体喷射孔的分布密度、气体喷射孔的孔径大小及气体分配管的管径分布，使到达基片上的气体流速相同，并在样品表面形成均一的边界层，从而保证了薄膜生长的均匀性和一致性。
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公开(公告)号：CN101824606B
公开(公告)日：2012-06-06
申请号：CN201010168746.5
申请日：2010-05-12
Applicant: 中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所
Abstract: 本发明揭示了一种垂直喷淋式MOCVD反应器，包括反应室、设于反应室顶部的喷淋头及其冷却水进、出口、设于反应室底部的衬底托、加热器及出气口，用于输入反应气体的进气口设于喷淋头之内，其特点是喷淋头腔体相隔形成三个以上独立区域，各独立区域分别设有各自独立的进气口；喷淋头的轴向中心贯穿设有一转轴，喷淋头与转轴联动；复数个衬底托相对孤立呈环状排布于反应室底部。本发明技术方案的应用，将反应气源分隔并依次喷淋，能有效消除气相寄生反应，同时反应后的尾气能迅速从各衬底托的空隙流走，被排出反应器，能有效消除积聚未散的尾气对反应气体扰流作用，提高了外延片的生长质量，并为实现无限增大装片容量提供了可能。
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公开(公告)号：CN102290704A
公开(公告)日：2011-12-21
申请号：CN201110218489.6
申请日：2011-08-02
Applicant: 中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所
IPC: H01S5/024
Abstract: 本发明公开了一种半导体激光器TO封装结构及方法。该封装结构包括半导体激光器芯片，该芯片的至少一侧面经至少一过渡热沉与至少一热沉固定连接，且该芯片、过渡热沉和热沉均固定在管座上，并被封装于由该管座和一封帽围合形成的封闭腔体中。该方法为：在半导体激光器芯片的至少一侧面上固定连接至少一过渡热沉，而后将每一过渡热沉分别与一热沉固定连接，其后将该芯片、过渡热沉及热沉均固定在管座上，并在保护气氛中封盖，形成半导体激光器封装结构。本发明采用高热导率过渡热沉与热沉组合的结构，尤其是采用双热沉结构，可有效增强TO封装的半导体激光器的散热能力，大幅地降低激光器有源区的节温，减小激光器的热阻，延长半导体激光器的寿命。
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公开(公告)号：CN101319405B
公开(公告)日：2011-05-18
申请号：CN200710041763.0
申请日：2007-06-08
Applicant: 中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所
IPC: C30B29/62 , C01G23/047 , B01J21/06
Abstract: 一种TiO2纳米管和/或TiO2纳米须的制造方法，包括如下步骤：(1)将TiO2粉末溶于pH为12～14的NaOH或KOH溶液，其中TiO2与NaOH或KOH的重量比为1：30～1：150；(2)用超声波粉碎仪对步骤(1)得到的溶液进行超声30～100分钟，其中超声波粉碎仪的功率为200～600W，频率为20～50KHZ；(3)将经过步骤(2)后得到的溶液在100～140℃下加热2～5小时；(4)将经过步骤(3)后得到的溶液进行洗涤过滤至滤液呈中性，并干燥即得TiO2纳米管和/或TiO2纳米须。本发明的制造方法具有产率高、原材料成本低、条件容易控制、合成过程能耗低、设备简单等优点。
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公开(公告)号：CN104426050A
公开(公告)日：2015-03-18
申请号：CN201310394933.9
申请日：2013-09-03
Applicant: 中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所 , 苏州纳睿光电有限公司
IPC: H01S5/02
Abstract: 本发明公开一种半导体激光二极管及其封装方法。所述半导体激光二极管包括管座、封帽、散热元件、防静电元件和半导体激光二极管芯片，所述封装方法包括步骤：a）将半导体激光二极管芯片固定在散热元件上，并将固定有半导体激光二极管芯片的散热元件固定在管座上；b）将防静电元件设置在管座之上，并将防静电元件并联在半导体激光二极管芯片的正、负极；c）在充入保护气体的同时利用封帽结合封装管座，以形成半导体激光二极管。本发明因在管座内封装防静电元件，在半导体激光二极管的制作、存储及运输过程中产生的静电可通过防静电元件而释放，同时防静电元件的电压特性不影响半导体激光二极管的正常工作，提高了半导体激光二极管的防静电能力。
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公开(公告)号：CN101318028B
公开(公告)日：2012-01-25
申请号：CN200710041782.3
申请日：2007-06-08
Applicant: 中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所
Abstract: 一种纳米杀菌除污装置，其特征在于该装置包括一个或若干个紫外光板和与之相贴合的一个或若干个涂敷有二氧化钛纳米光触媒材料的担载网，本发明的杀菌除污装置，结构紧凑，杀菌除污面积大、效率高，并且运行安全。本发明装置在相同体积下比传统光触媒杀菌装置具有更大的比表面积，大大提高了空气净化效率。
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公开(公告)号：CN101824606A
公开(公告)日：2010-09-08
申请号：CN201010168746.5
申请日：2010-05-12
Applicant: 中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所
Abstract: 本发明揭示了一种垂直喷淋式MOCVD反应器，包括反应室、设于反应室顶部的喷淋头及其冷却水进、出口、设于反应室底部的衬底托、加热器及出气口，用于输入反应气体的进气口设于喷淋头之内，其特点是喷淋头腔体相隔形成三个以上独立区域，各独立区域分别设有各自独立的进气口；喷淋头的轴向中心贯穿设有一转轴，喷淋头与转轴联动；复数个衬底托相对孤立呈环状排布于反应室底部。本发明技术方案的应用，将反应气源分隔并依次喷淋，能有效消除气相寄生反应，同时反应后的尾气能迅速从各衬底托的空隙流走，被排出反应器，能有效消除积聚未散的尾气对反应气体扰流作用，提高了外延片的生长质量，并为实现无限增大装片容量提供了可能。
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公开(公告)号：CN101810876B
公开(公告)日：2013-06-26
申请号：CN200910025232.1
申请日：2009-02-25
Applicant: 中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所
Abstract: 本发明提供一种具有大面积杀菌除污能力的LED光纤光触媒装置，包括发光二极管、光纤耦合器和侧发光光纤，在侧发光光纤的外缘表面包覆光触媒材料层，侧发光光纤的两端部分别连接一光纤耦合器，每一光纤耦合器中设置一发光二极管。该装置可单独使用，也可与空气净化器、工业废水处理器、湖泊有机废水处理器配套使用，对空气、水体中的病毒、细菌和室内挥发性有机污染物进行高效处理，达到理想的环境净化效果；结构紧凑，使用安全。
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公开(公告)号：CN102299482A
公开(公告)日：2011-12-28
申请号：CN201110208967.5
申请日：2011-07-25
Applicant: 中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所
IPC: H01S5/22
Abstract: 本发明公开了一种新型氮化镓基半导体激光器外延结构及其制作方法，本发明采用Al组分渐变的p-AlGaN作为光学限制层，通过极化掺杂的原理,实现三维空穴气。利用本发明可以提高受主Mg杂质的活化效率，降低器件电压，同时有效降低激光器内损耗。
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