公开(公告)号：CN102290704A

公开(公告)日：2011-12-21

申请号：CN201110218489.6

申请日：2011-08-02

Applicant: 中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所

Inventor： 冯美鑫 ,  张书明 ,  王辉 ,  刘建平 ,  曾畅 ,  李增成 ,  王怀兵 ,  杨辉

IPC: H01S5/024

Abstract: 本发明公开了一种半导体激光器TO封装结构及方法。该封装结构包括半导体激光器芯片，该芯片的至少一侧面经至少一过渡热沉与至少一热沉固定连接，且该芯片、过渡热沉和热沉均固定在管座上，并被封装于由该管座和一封帽围合形成的封闭腔体中。该方法为：在半导体激光器芯片的至少一侧面上固定连接至少一过渡热沉，而后将每一过渡热沉分别与一热沉固定连接，其后将该芯片、过渡热沉及热沉均固定在管座上，并在保护气氛中封盖，形成半导体激光器封装结构。本发明采用高热导率过渡热沉与热沉组合的结构，尤其是采用双热沉结构，可有效增强TO封装的半导体激光器的散热能力，大幅地降低激光器有源区的节温，减小激光器的热阻，延长半导体激光器的寿命。

公开(公告)号：CN104426050B

公开(公告)日：2018-07-06

申请号：CN201310394933.9

申请日：2013-09-03

Applicant: 中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所 ,  苏州纳睿光电有限公司

Inventor： 周坤 ,  李德尧 ,  张书明 ,  刘建平 ,  张立群 ,  冯美鑫 ,  李增成 ,  王怀兵 ,  杨辉

IPC: H01S5/02

Abstract: 本发明公开一种半导体激光二极管及其封装方法。所述半导体激光二极管包括管座、封帽、散热元件、防静电元件和半导体激光二极管芯片，所述封装方法包括步骤：a）将半导体激光二极管芯片固定在散热元件上，并将固定有半导体激光二极管芯片的散热元件固定在管座上；b）将防静电元件设置在管座之上，并将防静电元件并联在半导体激光二极管芯片的正、负极；c）在充入保护气体的同时利用封帽结合封装管座，以形成半导体激光二极管。本发明因在管座内封装防静电元件，在半导体激光二极管的制作、存储及运输过程中产生的静电可通过防静电元件而释放，同时防静电元件的电压特性不影响半导体激光二极管的正常工作，提高了半导体激光二极管的防静电能力。

公开(公告)号：CN102299480A

公开(公告)日：2011-12-28

申请号：CN201110198268.7

申请日：2011-07-15

Applicant: 中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所

Inventor： 冯美鑫 ,  张书明 ,  王辉 ,  刘建平 ,  曾畅 ,  李增成 ,  王怀兵 ,  杨辉

IPC: H01S5/10

Abstract: 本发明涉及半导体激光器技术，尤其是一种半导体激光器的制作方法。其步骤包括：在激光器外延片表面刻蚀出脊型区(2)；通过光刻技术，在激光器的前后腔面附近注入离子；然后在500～1200℃、保护气氛下进行快速退火；接着在激光器的脊型区(2)上方蒸镀P型接触电极(5)；减薄激光器的衬底后蒸镀上N型接触电极(8)；经过解理后得到激光器bar条；在激光器bar条前腔面和后腔面分别蒸镀或沉积增透膜(6)和高反膜(7)；最后把激光器bar条进行分割或解理，完成单个激光器的制作。本发明方法可以有效减少腔面处的光吸收，减少腔面处的光功率密度，有效增加激光器的最大输出功率。

公开(公告)号：CN102299482A

公开(公告)日：2011-12-28

申请号：CN201110208967.5

申请日：2011-07-25

Applicant: 中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所

Inventor： 曾畅 ,  张书明 ,  刘建平 ,  王辉 ,  冯美鑫 ,  李增成 ,  王怀兵 ,  杨辉

IPC: H01S5/22

Abstract: 本发明公开了一种新型氮化镓基半导体激光器外延结构及其制作方法，本发明采用Al组分渐变的p-AlGaN作为光学限制层，通过极化掺杂的原理,实现三维空穴气。利用本发明可以提高受主Mg杂质的活化效率，降低器件电压，同时有效降低激光器内损耗。

公开(公告)号：CN102299479A

公开(公告)日：2011-12-28

申请号：CN201110198267.2

申请日：2011-07-15

Applicant: 中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所

Inventor： 冯美鑫 ,  张书明 ,  王辉 ,  刘建平 ,  曾畅 ,  李增成 ,  王怀兵 ,  杨辉

IPC: H01S5/10 ,  C23C14/35

Abstract: 一种F-P腔半导体激光器腔面钝化的方法，包括以下步骤：1、解理F-P腔半导体激光器，得到激光器bar条；2、用氮等离子体清洗激光器bar条的前后腔面；3、应用外延生长技术在激光器的前后腔面外延生长一层保护膜；4、在激光器bar条前腔面上蒸镀或沉积增透膜，后腔面蒸镀或沉积高反膜；5、用分割或解理的方法把激光器bar条分成单个激光器芯片或芯片阵列。本发明可以有效地减少激光器腔面处的悬键和表面态，抑制激光器腔面的光吸收；同时外延生长的薄膜为宽禁带材料，对出射光的吸收非常小，可以极大抑制激光器腔面处的光吸收和由此引起的温度上升，提高激光器的稳定性和可靠性。

公开(公告)号：CN104426050A

公开(公告)日：2015-03-18

申请号：CN201310394933.9

申请日：2013-09-03

Applicant: 中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所 ,  苏州纳睿光电有限公司

Inventor： 周坤 ,  李德尧 ,  张书明 ,  刘建平 ,  张立群 ,  冯美鑫 ,  李增成 ,  王怀兵 ,  杨辉

IPC: H01S5/02

Abstract: 本发明公开一种半导体激光二极管及其封装方法。所述半导体激光二极管包括管座、封帽、散热元件、防静电元件和半导体激光二极管芯片，所述封装方法包括步骤：a）将半导体激光二极管芯片固定在散热元件上，并将固定有半导体激光二极管芯片的散热元件固定在管座上；b）将防静电元件设置在管座之上，并将防静电元件并联在半导体激光二极管芯片的正、负极；c）在充入保护气体的同时利用封帽结合封装管座，以形成半导体激光二极管。本发明因在管座内封装防静电元件，在半导体激光二极管的制作、存储及运输过程中产生的静电可通过防静电元件而释放，同时防静电元件的电压特性不影响半导体激光二极管的正常工作，提高了半导体激光二极管的防静电能力。