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公开(公告)号：CN111146314B
公开(公告)日：2021-02-23
申请号：CN201811314183.9
申请日：2018-11-06
Applicant: 中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所
Abstract: 本发明公开了一种提高氮化物半导体紫外发光二极管取光效率的方法及应用。所述方法包括：在衬底上生长氮化物半导体紫外发光二极管结构，获得外延片，所述氮化物半导体紫外发光二极管结构包括依次形成的第一接触层、有源区、电子阻挡层和第二接触层，所述方法还包括：采用旋转错位法，使光刻图形的任意一条边均避开氮化物半导体紫外发光二极管结构的晶向；采用湿法腐蚀技术修复刻蚀损伤，使氮化物半导体紫外发光二极管结构的无规则粗糙侧壁转化为m面组成的锯齿形侧壁。本发明结合旋转错位和侧壁腐蚀工艺来实现外延片的侧壁粗化和刻蚀损伤修复，可显著提高氮化物半导体紫外发光二极管的取光效率，提高紫外发光二极管器件性能。
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公开(公告)号：CN117766655A
公开(公告)日：2024-03-26
申请号：CN202310632431.9
申请日：2023-05-31
Applicant: 中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所
Abstract: 本发明公开了一种高效率半导体发光器件及其制备方法。高效率半导体发光器件包括外延结构以及与外延结构配合的第一电极和第二电极，外延结构包括沿器件的纵向依次层叠设置的第一掺杂半导体层、有源区、第二掺杂半导体层，第一掺杂半导体层具有第一注入区，第一电极与第一注入区电连接，第二掺杂半导体层具有第二注入区，第二电极与第二注入区电连接，第一注入区和第二注入区之间形成有载流子传输区，第一注入区、第二注入区的面积小于高效率半导体发光器件的台面面积。本发明使空穴和电子的传输路径远离外延片/台面的刻蚀侧壁，从而空穴和电子避免被侧壁捕获而发生非辐射复合，进而提高了器件的内量子效率。
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公开(公告)号：CN111146314A
公开(公告)日：2020-05-12
申请号：CN201811314183.9
申请日：2018-11-06
Applicant: 中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所
Abstract: 本发明公开了一种提高氮化物半导体紫外发光二极管取光效率的方法及应用。所述方法包括：在衬底上生长氮化物半导体紫外发光二极管结构，获得外延片，所述氮化物半导体紫外发光二极管结构包括依次形成的第一接触层、有源区、电子阻挡层和第二接触层，所述方法还包括：采用旋转错位法，使光刻图形的任意一条边均避开氮化物半导体紫外发光二极管结构的 晶向；采用湿法腐蚀技术修复刻蚀损伤，使氮化物半导体紫外发光二极管结构的无规则粗糙侧壁转化为m面 组成的锯齿形侧壁。本发明结合旋转错位和侧壁腐蚀工艺来实现外延片的侧壁粗化和刻蚀损伤修复，可显著提高氮化物半导体紫外发光二极管的取光效率，提高紫外发光二极管器件性能。
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公开(公告)号：CN213401192U
公开(公告)日：2021-06-08
申请号：CN202022147638.1
申请日：2020-09-25
Applicant: 中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所广东(佛山)研究院
IPC: H01L25/075 , H01L33/48 , H01L33/54 , H01L33/56 , H01L33/62
Abstract: 本实用新型涉及一种深紫外LED封装结构，其中无机深紫外LED封装结构包括陶瓷基板、玻璃盖板和LED芯片，陶瓷基板安装有若干个LED芯片，玻璃盖板贴合在陶瓷基板装有LED芯片一侧；玻璃盖板设置有容纳LED芯片的凹槽，凹槽的内表面与LED芯片的边缘贴合或留有间隙。采用平面陶瓷基板大大降低器件材料成本，直接采用平面玻璃盖板上设置有容纳LED芯片的凹槽，凹槽大小与LED芯片的大小相等或略大于LED芯片，因此玻璃盖板在盖合后，深紫外LED芯片与玻璃盖板几乎完全贴合，光线直接由LED芯片射入玻璃盖板，减少一次介质损失，芯片与盖板之间间隙较小甚至没有，不需考虑真空封装或空气封装问题，减少影响可靠性因素,提高器件的可靠性。
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