公开(公告)号：CN111146314B

公开(公告)日：2021-02-23

申请号：CN201811314183.9

申请日：2018-11-06

Applicant: 中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所

Inventor： 孙钱 ,  刘建勋 ,  冯美鑫 ,  何俊蕾 ,  黄应南 ,  孙秀建 ,  詹晓宁 ,  吴迅飞 ,  杨辉

IPC: H01L33/00 ,  H01L33/22

Abstract: 本发明公开了一种提高氮化物半导体紫外发光二极管取光效率的方法及应用。所述方法包括：在衬底上生长氮化物半导体紫外发光二极管结构，获得外延片，所述氮化物半导体紫外发光二极管结构包括依次形成的第一接触层、有源区、电子阻挡层和第二接触层，所述方法还包括：采用旋转错位法，使光刻图形的任意一条边均避开氮化物半导体紫外发光二极管结构的晶向；采用湿法腐蚀技术修复刻蚀损伤，使氮化物半导体紫外发光二极管结构的无规则粗糙侧壁转化为m面组成的锯齿形侧壁。本发明结合旋转错位和侧壁腐蚀工艺来实现外延片的侧壁粗化和刻蚀损伤修复，可显著提高氮化物半导体紫外发光二极管的取光效率，提高紫外发光二极管器件性能。

公开(公告)号：CN111146314A

公开(公告)日：2020-05-12

申请号：CN201811314183.9

申请日：2018-11-06

Applicant: 中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所

Inventor： 孙钱 ,  刘建勋 ,  冯美鑫 ,  何俊蕾 ,  黄应南 ,  孙秀建 ,  詹晓宁 ,  吴迅飞 ,  杨辉

IPC: H01L33/00 ,  H01L33/22

Abstract: 本发明公开了一种提高氮化物半导体紫外发光二极管取光效率的方法及应用。所述方法包括：在衬底上生长氮化物半导体紫外发光二极管结构，获得外延片，所述氮化物半导体紫外发光二极管结构包括依次形成的第一接触层、有源区、电子阻挡层和第二接触层，所述方法还包括：采用旋转错位法，使光刻图形的任意一条边均避开氮化物半导体紫外发光二极管结构的 晶向；采用湿法腐蚀技术修复刻蚀损伤，使氮化物半导体紫外发光二极管结构的无规则粗糙侧壁转化为m面 组成的锯齿形侧壁。本发明结合旋转错位和侧壁腐蚀工艺来实现外延片的侧壁粗化和刻蚀损伤修复，可显著提高氮化物半导体紫外发光二极管的取光效率，提高紫外发光二极管器件性能。