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公开(公告)号：CN107731695B
公开(公告)日：2019-12-27
申请号：CN201711076799.2
申请日：2017-11-06
Applicant: 安徽华东光电技术研究所有限公司
IPC: H01L21/52 , H01L21/324
Abstract: 本发明公开了一种共晶芯片组件的烧结方法，所述烧结方法包括：初步安装：在工件的腔体内涂覆助焊剂，之后将多个焊料片放置在腔体内，在每个焊料片表面涂覆助焊剂，将共晶芯片组件分别压紧在每个焊料片表面，形成预装组件；烧结处理：将预装组件依次进行第一烧结处理和第二烧结处理；解决了现有的共晶芯片组件的烧结方法时间长，合金焊料易氧化，最终影响共晶芯片组件烧结在腔体上的焊透率、剪切强度以及散热效果的问题。
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公开(公告)号：CN110213909A
公开(公告)日：2019-09-06
申请号：CN201910565428.3
申请日：2019-06-27
Applicant: 安徽华东光电技术研究所有限公司
Abstract: 本发明提供一种Ku波段双通道检波模块的制作方法，包括以下步骤：步骤1、将检波电路板烧结到腔体内；步骤2、将器件烧结到腔体内；步骤3、使用汽相清洗机将烧结元器件的Ku波段双通道检波模块腔体进行清洗；步骤4、封盖，完成模块盖板装配。本发明设计合理，方法流程科学，借助微电子组封装工艺技术，进行Ku波段双通道检波模块制作，制作出来的Ku波段双通道检波模块具有体积小、安装灵活、可靠性高、稳定性高、检波范围大的特点，适合大批量生产。
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公开(公告)号：CN106658983B
公开(公告)日：2019-08-20
申请号：CN201611203390.8
申请日：2016-12-23
Applicant: 安徽华东光电技术研究所
Abstract: 本发明公开了一种L波段4瓦高增益宽带功率放大器的制作工艺，包括：步骤1、将元器件烧结到Rogers电路板上；步骤2、将装好元器件的Rogers电路板烧结到底板上；步骤3、对装好的组件进行调试、测试、打标。该制作工艺流程科学、简便，生产的产品合格率高，并且容易掌握。
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公开(公告)号：CN108161264A
公开(公告)日：2018-06-15
申请号：CN201711246764.9
申请日：2017-12-01
Applicant: 安徽华东光电技术研究所
Abstract: 本发明涉及X波段收发组件的制作方法，公开了一种X波段收发组件的制作方法，该X波段收发组件的制作方法包括：步骤1，将多种不同的芯片共晶到相应的载体上；步骤2，将多个接头、基板和电路板烧结到收发组件壳体上；步骤3，将一般元器件和共晶之后的芯片烧结到电路板上得到部件A；步骤4，对部件A进行金丝键合，并进行测试和调试后进行封盖。该X波段收发组件的制作方法克服了现有技术中的合格率较低的问题，实现了科学、简便的生产此放大器，并使得生产的产品合格率较之前有较大的提高。
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公开(公告)号：CN108112184A
公开(公告)日：2018-06-01
申请号：CN201711064670.X
申请日：2017-11-02
Applicant: 安徽华东光电技术研究所
IPC: H05K3/34
Abstract: 本发明公开了一种S波段100瓦脉冲功率放大器的制作方法，具体包括下述步骤：步骤一：S波段100瓦脉冲功率放大器微波模块电路板元器件烧结；步骤二：S波段100瓦脉冲功率放大器电源模块电路板元器件烧结；步骤三：将微波模块电路板以及元器件烧结装配到腔体上；步骤四：将电源模块电路板以及元器件焊接装配到腔体上；步骤五：对装配完成的组件进行调试、测试、封盖和打标。本发明提供的一种S波段100瓦脉冲功率放大器的制作方法，工艺流程科学、简便，生产的产品合格率较之前有较大的提高，设备投资成本低，对生产员工的素质要求不高，进行基本培训即可上岗，适合小批量生产。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN108031938A
公开(公告)日：2018-05-15
申请号：CN201711360256.3
申请日：2017-12-15
Applicant: 安徽华东光电技术研究所
Abstract: 本发明适用于微波模块制作工艺技术领域，提供了一种S波段一分四功分器的制作工艺，该工艺包括如下步骤：S1、气相清洗腔体、电路板及绝缘子；S2、将片电阻及功分器烧结到电路板上；S3、将电路板及绝缘子烧结到腔体上；S4、对步骤S3中烧结完毕的组件进行测试及调试、测试合格后，封盖、打标。本发明实施例提供的S波段一分四功分器的工艺流程简单、方便、科学，提高了产品的合格率，提高了车间生产的效率，降低了整机产品调试的难度，节约了项目成本，适合小批量或大批量生产。
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公开(公告)号：CN107968632A
公开(公告)日：2018-04-27
申请号：CN201711063872.2
申请日：2017-11-02
Applicant: 安徽华东光电技术研究所
CPC classification number: H03F1/00 , B08B3/08 , B08B3/10 , B08B2203/007 , H03F3/195 , H03F3/213 , H03F2200/451 , H05K3/34
Abstract: 本发明公开了一种Ku波段40瓦功率放大器的制作工艺，步骤一：将Rogers电路板烧结到腔体上；步骤二：将阻容器件烧结到电路板上；步骤三：将功放管烧结到腔体上；步骤四：将前级放大器、滤波器、隔离器安装到腔体上；步骤五：烧结电源模块电路板并安装到腔体上；步骤六：调试、测试、封盖。本发明提供的一种Ku波段40瓦功率放大器的制作工艺，工艺流程科学、简便，生产的产品合格率高，提高了生产效率，节约了生产成本。
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公开(公告)号：CN107612509A
公开(公告)日：2018-01-19
申请号：CN201710777762.6
申请日：2017-09-01
Applicant: 安徽华东光电技术研究所
Abstract: 本发明涉及微波模块制作加工工艺的技术领域，公开了一种L波段120瓦小型化高功率放大器的加工方法，该加工方法包括：步骤1，将裸芯片共晶至钼铜载体上进行备用得到A；步骤2，将绝缘子和电路板烧结到壳体上得到B；步骤3，将元器件烧结到电路板上得到C；步骤4，在相应位置金丝键合D；步骤5，逐步进行调试、测试、封盖和打标，得到L波段120瓦小型化高功率放大器。该L波段120瓦小型化高功率放大器的加工方法能够实现输出功率高、增益高、能量转化效率高而且轻量化体积小。
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公开(公告)号：CN107498128A
公开(公告)日：2017-12-22
申请号：CN201710777773.4
申请日：2017-09-01
Applicant: 安徽华东光电技术研究所
CPC classification number: B23K1/0008 , B23K1/206
Abstract: 本发明公开了一种用于微波调试过程中覆锡铜皮的制作工艺，包括：步骤1，裁剪获取待加工铜皮并且用酒精棉清洗待加工铜皮的表面；步骤2，将待加工铜皮平放在未加热的加热平台上并用压块把待加工铜皮表面压平整；步骤3，打开加热平台并覆锡；步骤4，清洗。该制作工艺克服了现有技术中微波电路直接焊接铜片来改善微波电路指标和参数，从而导致焊接难度而且容易污染裸芯片，造成芯片失效的问题。
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公开(公告)号：CN106714471A
公开(公告)日：2017-05-24
申请号：CN201611203427.7
申请日：2016-12-23
Applicant: 安徽华东光电技术研究所
Abstract: 本发明公开了一种S波段脉冲3瓦放大器的制作工艺，包括：步骤1：将绝缘子和Rogers电路板烧结到腔体上；步骤2：将多个元器件烧接或螺丝固定至Rogers电路板上；步骤3：将步骤2中通过螺丝固定的元器件焊接在Rogers电路板上；步骤4：对步骤3中组装好的器件进行调试和测试；步骤5：将步骤4中测试合格的组件封盖、打标。该制作工艺流程科学、精简，生产的产品合格率高，并且容易掌握。
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