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公开(公告)号：CN103978305B
公开(公告)日：2016-04-27
申请号：CN201410252486.8
申请日：2014-06-09
Applicant: 哈尔滨工业大学
Abstract: 一种金属表面冷金属过渡毛化后与异种金属连接的方法，它属于异种金属的连接技术领域。它要解决现有异种金属连接时存在接头强度低，工艺复杂的问题。方法：一、制备毛化表面：采用冷金属过渡方法；二、表面清理：打磨及清洗；三、装配：平行接头或搭接接头；四、焊接：真空扩散焊。本发明通过在金属A表面制备毛刺，实现了异种金属待焊面接触形式的改变。通过毛刺刺入塑形好的低熔点被焊金属B内部，去除金属B表面氧化膜并增大待焊接触面积，促进异种金属之间的互相扩散和化学反应，形成更为可靠的冶金结合。通过扩散焊接与机械连接复合作用，形成异种金属间的高强度接头。本发明工艺方法简单，成本低，适用于多体系的异种金属连接。
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公开(公告)号：CN103194795B
公开(公告)日：2016-04-27
申请号：CN201310147768.7
申请日：2013-04-25
Applicant: 哈尔滨工业大学
Abstract: 一种低成本制备大尺寸单晶石墨烯的方法，涉及单晶石墨烯的制备方法。本发明是要解决CVD方法制备大尺寸单晶石墨烯材料中常用单晶基底表面处理工序复杂，难以重复利用以及价格昂贵的技术问题。本发明的方法为：一、在单晶云母基底上蒸镀单晶金属薄膜；二、将步骤一获得的单晶金属薄膜放入化学气相沉积设备中，抽真空通入H2、Ar，升温进行热处理；三、继续通入CH4气体，进行沉积；四、关闭加热电源，停止通入CH4气体，以Ar和H2为保护气体，快速冷却到室温，在单晶金属基底表面均匀生长出高质量单晶石墨烯，即完成。本发明制备的单晶石墨烯尺寸大，质量高，缺陷少。本发明应用于单晶石墨烯材料制造领域。
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公开(公告)号：CN103990880B
公开(公告)日：2015-12-02
申请号：CN201410249916.0
申请日：2014-06-06
Applicant: 哈尔滨工业大学
Abstract: 可形成互穿网络结构钎缝的非金属材料与金属材料的钎焊方法，它涉及非金属材料与金属材料的钎焊方法。本发明是要解决非金属材料与金属材料的钎焊方法焊接后接头存在较大残余应力的问题。方法：一、打磨：用砂纸进行打磨；二、清洗：用丙酮进行清洗；三、叠加：按一定顺序叠加；四、焊接：置于真空钎焊炉中进行焊接。本发明用于非金属材料与金属材料的钎焊。
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公开(公告)号：CN103831526B
公开(公告)日：2015-10-28
申请号：CN201410083014.4
申请日：2014-03-07
Applicant: 哈尔滨工业大学
Abstract: 利用一种去膜辅助装置进行扩散连接的方法，本发明涉及扩散连接的方法。本发明要解决现有扩散连接时，材料表面的钝化膜降低扩散连接强度，而提高扩散连接的温度或延长连接时间，导致母材晶粒粗大、强度降低以及界面处金属间化合物产生的问题。装置包括夹紧环、纵向齿条、上齿轮、斜向齿条、下齿轮、横向齿条、刀具、刀具齿轮和刀具齿条；方法：一、装夹待连接材料；二、抽真空；三、去膜；四、扩散连接。本发明方法降低了对连接面的要求，并明显降低扩散连接所需要的温度，缩短连接时间，提高扩散连接效率。本发明方法会降低焊接过程中对母材的影响，有效提高焊缝强度。本发明用于扩散连接。
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公开(公告)号：CN103789744B
公开(公告)日：2015-10-07
申请号：CN201410074549.5
申请日：2014-03-03
Applicant: 哈尔滨工业大学
IPC: C23C16/26 , C23C16/513 , B22F1/00 , H01H1/023
Abstract: 一种原位生长碳纳米管增强银基电接触材料的制备方法，本发明涉及电接触材料的制备方法。本发明要解决常用的CNTs/Ag复合材料制备方法存在着碳纳米管分散不均匀、结构缺陷多的技术问题。方法：一、制备Ni(NO3)2/Ag复合粉末；二、采用离子体方法制备电接触材料。本发明采用等离子体增强化学气相沉积方法低温原位生长碳纳米管，保证了银粉末中碳纳米管的结构完美和均匀分散性，避免了CNTs/Ag基电接触复合粉末中碳纳米管的团聚，真正意义上实现了碳纳米管对CNTs/Ag基电接触复合粉末性能的改善。本发明用于制备原位生长碳纳米管增强银基电接触材料。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN104096939A
公开(公告)日：2014-10-15
申请号：CN201410353044.2
申请日：2014-07-23
Applicant: 哈尔滨工业大学
CPC classification number: B23K1/008 , B23K1/19 , B23K1/20 , B23K1/206 , B23K2103/16 , C23C16/272 , C23C16/44
Abstract: 一种新型陶瓷基复合材料低温表面渗碳辅助钎焊方法，本发明涉及材料焊接领域。本发明要解决现有陶瓷基复合材料表面钎料难润湿性而导致钎焊接头力学性能差的问题。方法：去除陶瓷基复合材料表面杂质，然后将陶瓷基复合材料置于等离子体增强化学气相沉积真空装置中，通入氩气，调节温度及压强，再通入甲烷气体进行沉积，沉积结束后，得到表面形成渗碳层的陶瓷基复合材料，将钛基钎料置于表面形成渗碳层的陶瓷基复合材料和金属材料的待焊接面之间，并放置于真空钎焊炉中，抽真空并在高温下保温，冷却，即完成新型陶瓷基复合材料低温表面渗碳辅助钎焊过程。本发明用于一种新型陶瓷基复合材料低温表面渗碳辅助钎焊方法。
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公开(公告)号：CN103831526A
公开(公告)日：2014-06-04
申请号：CN201410083014.4
申请日：2014-03-07
Applicant: 哈尔滨工业大学
Abstract: 一种去膜辅助装置及利用该去膜辅助装置进行扩散连接的方法，本发明涉及用于扩散连接的装置及方法。本发明要解决现有扩散连接时，材料表面的钝化膜降低扩散连接强度，而提高扩散连接的温度或延长连接时间，导致母材晶粒粗大、强度降低以及界面处金属间化合物产生的问题。装置包括夹紧环、纵向齿条、上齿轮、斜向齿条、下齿轮、横向齿条、刀具、刀具齿轮和刀具齿条；方法：一、装夹待连接材料；二、抽真空；三、去膜；四、扩散连接。本发明方法降低了对连接面的要求，并明显降低扩散连接所需要的温度，缩短连接时间，提高扩散连接效率。本发明方法会降低焊接过程中对母材的影响，有效提高焊缝强度。本发明用于扩散连接。
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公开(公告)号：CN103551826A
公开(公告)日：2014-02-05
申请号：CN201310520319.2
申请日：2013-10-29
Applicant: 哈尔滨工业大学
IPC: B23P15/28
CPC classification number: B23P15/28
Abstract: 一种氧化铝陶瓷/不锈钢复合刀具的制造方法。涉及一种刀具的制造方法，具体涉及一种氧化铝陶瓷/不锈钢复合刀具的制造方法。本发明为了解决氧化铝陶瓷/不锈钢复合刀具焊接接头处残余应力大而易在焊后或工作过程出现裂纹的问题。本发明通过在氧化铝刀条和不锈钢刀板之间加入AgCuTi/可伐箔/AgCuTi的复合钎焊结构并通过钎焊工艺得到一种氧化铝陶瓷/不锈钢复合刀具。通过本发明方法制造的刀具不锈钢与钎焊结构及钎焊结构与氧化铝陶瓷的界面结合良好、接头残余应力小、无焊合孔洞。本发明方法用于制造机械加工所使用的刀具。
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公开(公告)号：CN103302371A
公开(公告)日：2013-09-18
申请号：CN201310259910.7
申请日：2013-06-26
Applicant: 哈尔滨工业大学
Abstract: 一种硬质合金与金属的扩散连接方法，它涉及一种硬质合金与金属的扩散连接方法。本发明是要解决现有连接方式工艺复杂并且连接强度低的问题，本发明方法为一、毛化凸台；二、焊前清理；三、扩散连接：将清洗后的硬质合金和金属放入扩散焊炉中，用压头固定，然后通过扩散连接工艺进行扩散连接，即完成硬质合金与金属的扩散连接。本发明工艺简单，生产效率高，有效地实现了硬质合金与金属的冶金结合，并提高了连接强度，能够满足硬质合金/金属结构件的使用要求。本发明应用于钎焊领域。
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公开(公告)号：CN103276322A
公开(公告)日：2013-09-04
申请号：CN201310239601.3
申请日：2013-06-17
Applicant: 哈尔滨工业大学
IPC: C22C47/00 , C22C49/06 , C22C49/14 , B23K35/28 , C22C101/10
Abstract: 一种原位生长碳纳米管增强铝基钎料及其制备方法，本发明涉及钎料及其制备方法。本发明要解决传统铝基钎料在钎焊连接铝基复合材料构件时存在的热应力大及接头力学性能差的问题。一种原位生长碳纳米管增强铝基钎料由六水硝酸镍和铝基复合粉末制备的；本发明方法：一、制备Ni(NO3)2/铝基复合粉末；二、原位沉积碳纳米管。本发明通过碳纳米管增强的铝基复合钎料，可以有效地改善其力学和热学性能。本发明用于制备原位生长碳纳米管增强铝基钎料。
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