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公开(公告)号：CN104625283B
公开(公告)日：2017-01-04
申请号：CN201410828186.X
申请日：2014-12-26
Applicant: 哈尔滨工业大学
Abstract: 三维结构石墨烯复合中间层辅助钎焊的方法，本发明涉及材料焊接领域。本发明要解决现有钎焊的过程中接头极易产生较大的残余应力而导致钎焊接头力学性能差的问题。方法：去除泡沫金属表面杂质，然后将泡沫金属置于化学气相沉积装置中，通入氩气，调节气体流量及压强，然后升温，再通入甲烷，调节气体流量及压强，进行沉积，沉积结束后，得到三维结构石墨烯金属复合中间层，然后将三维结构石墨烯金属复合中间层置于两个待焊接材料之间，然后将钎料置于待焊接面之间，并放置于真空钎焊炉中，抽真空并在高温下保温，冷却，即完成三维结构石墨烯复合中间层辅助钎焊过程。本发明用于三维结构石墨烯复合中间层辅助钎焊的方法。
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公开(公告)号：CN104465131B
公开(公告)日：2017-04-12
申请号：CN201410817245.3
申请日：2014-12-24
Applicant: 哈尔滨工业大学
CPC classification number: Y02E60/13
Abstract: 一种石墨烯纳米带‑铝基超级电容器集电极的制备方法，本发明涉及电极的制备方法。本发明要解决现有石墨烯纳米带制备方法存在合成过程复杂，结构缺陷多，表面含氧官能团很多，不能充分发挥出石墨烯纳米带优异性能，且比表面积低和电学性能差的问题。方法：制备表面覆有催化剂颗粒的Al基底材料，并置于等离子体增强化学气相沉积真空装置中，通入氢气并调节压强，在氢气气氛中升温；达到一定温度后，通入氩气，调节氩气和氢气的流量、压强、射频功率，进行刻蚀处理一段时间后，关闭氩气；最后通入甲烷和氢气，调节气体的流量、压强及射频功率，进行沉积。本发明用于一种石墨烯纳米带‑铝基超级电容器集电极的制备。
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公开(公告)号：CN104445443A
公开(公告)日：2015-03-25
申请号：CN201410815723.7
申请日：2014-12-24
Applicant: 哈尔滨工业大学
Abstract: 一种制备纳米片结构氧化钴电极的方法，本发明涉及制备电极的方法。本发明要解决现有氧化钴赝电容存在比电容较低的问题。本发明的方法：在Si基底上制备Co镀层，然后将其置于等离子体增强化学气相沉积真空装置中，通入氩气，调节气体流量、压强，升温到一定温度后，再通入氧气，调节氩气及氧气气体流量，调节温度、射频功率、压强，进行沉积，沉积结束后，即得到纳米片结构氧化钴电极。本发明用于制备纳米片结构氧化钴电极。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN104096939A
公开(公告)日：2014-10-15
申请号：CN201410353044.2
申请日：2014-07-23
Applicant: 哈尔滨工业大学
CPC classification number: B23K1/008 , B23K1/19 , B23K1/20 , B23K1/206 , B23K2103/16 , C23C16/272 , C23C16/44
Abstract: 一种新型陶瓷基复合材料低温表面渗碳辅助钎焊方法，本发明涉及材料焊接领域。本发明要解决现有陶瓷基复合材料表面钎料难润湿性而导致钎焊接头力学性能差的问题。方法：去除陶瓷基复合材料表面杂质，然后将陶瓷基复合材料置于等离子体增强化学气相沉积真空装置中，通入氩气，调节温度及压强，再通入甲烷气体进行沉积，沉积结束后，得到表面形成渗碳层的陶瓷基复合材料，将钛基钎料置于表面形成渗碳层的陶瓷基复合材料和金属材料的待焊接面之间，并放置于真空钎焊炉中，抽真空并在高温下保温，冷却，即完成新型陶瓷基复合材料低温表面渗碳辅助钎焊过程。本发明用于一种新型陶瓷基复合材料低温表面渗碳辅助钎焊方法。
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公开(公告)号：CN104445443B
公开(公告)日：2016-02-03
申请号：CN201410815723.7
申请日：2014-12-24
Applicant: 哈尔滨工业大学
IPC: H01G11/46
Abstract: 一种制备纳米片结构氧化钴电极的方法，本发明涉及制备电极的方法。本发明要解决现有氧化钴赝电容存在比电容较低的问题。本发明的方法：在Si基底上制备Co镀层，然后将其置于等离子体增强化学气相沉积真空装置中，通入氩气，调节气体流量、压强，升温到一定温度后，再通入氧气，调节氩气及氧气气体流量，调节温度、射频功率、压强，进行沉积，沉积结束后，即得到纳米片结构氧化钴电极。本发明用于制备纳米片结构氧化钴电极。
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公开(公告)号：CN104096939B
公开(公告)日：2016-02-03
申请号：CN201410353044.2
申请日：2014-07-23
Applicant: 哈尔滨工业大学
Abstract: 一种陶瓷基复合材料低温表面渗碳辅助钎焊方法，本发明涉及材料焊接领域。本发明要解决现有陶瓷基复合材料表面钎料难润湿性而导致钎焊接头力学性能差的问题。方法：去除陶瓷基复合材料表面杂质，然后将陶瓷基复合材料置于等离子体增强化学气相沉积真空装置中，通入氩气，调节温度及压强，再通入甲烷气体进行沉积，沉积结束后，得到表面形成渗碳层的陶瓷基复合材料，将钛基钎料置于表面形成渗碳层的陶瓷基复合材料和金属材料的待焊接面之间，并放置于真空钎焊炉中，抽真空并在高温下保温，冷却，即完成新型陶瓷基复合材料低温表面渗碳辅助钎焊过程。本发明用于一种新型陶瓷基复合材料低温表面渗碳辅助钎焊方法。
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公开(公告)号：CN104625283A
公开(公告)日：2015-05-20
申请号：CN201410828186.X
申请日：2014-12-26
Applicant: 哈尔滨工业大学
Abstract: 三维结构石墨烯复合中间层辅助钎焊的方法，本发明涉及材料焊接领域。本发明要解决现有钎焊的过程中接头极易产生较大的残余应力而导致钎焊接头力学性能差的问题。方法：去除泡沫金属表面杂质，然后将泡沫金属置于化学气相沉积装置中，通入氩气，调节气体流量及压强，然后升温，再通入甲烷，调节气体流量及压强，进行沉积，沉积结束后，得到三维结构石墨烯金属复合中间层，然后将三维结构石墨烯金属复合中间层置于两个待焊接材料之间，然后将钎料置于待焊接面之间，并放置于真空钎焊炉中，抽真空并在高温下保温，冷却，即完成三维结构石墨烯复合中间层辅助钎焊过程。本发明用于三维结构石墨烯复合中间层辅助钎焊的方法。
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公开(公告)号：CN104465131A
公开(公告)日：2015-03-25
申请号：CN201410817245.3
申请日：2014-12-24
Applicant: 哈尔滨工业大学
Abstract: 一种石墨烯纳米带-铝基超级电容器集电极的制备方法，本发明涉及电极的制备方法。本发明要解决现有石墨烯纳米带制备方法存在合成过程复杂，结构缺陷多，表面含氧官能团很多，不能充分发挥出石墨烯纳米带优异性能，且比表面积低和电学性能差的问题。方法：制备表面覆有催化剂颗粒的Al基底材料，并置于等离子体增强化学气相沉积真空装置中，通入氢气并调节压强，在氢气气氛中升温；达到一定温度后，通入氩气，调节氩气和氢气的流量、压强、射频功率，进行刻蚀处理一段时间后，关闭氩气；最后通入甲烷和氢气，调节气体的流量、压强及射频功率，进行沉积。本发明用于一种石墨烯纳米带-铝基超级电容器集电极的制备。
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