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公开(公告)号：CN111043900A
公开(公告)日：2020-04-21
申请号：CN202010001052.6
申请日：2020-01-01
Applicant: 哈尔滨工业大学
IPC: F41A31/00
Abstract: 本发明提供一种中低温高速撞击试验装置及其试验方法，防护罐体作为弹丸撞击试验的安全防护装置；防护罐体开设有穿线和管道的通孔，防护罐体的一端设有罐门；所述防护罐体内部设有一个试验台面、照明灯具；火药炮、环境箱安装在试验台面上内；环境箱内设置有靶架、液氮蒸发板；温控装置的测控线缆与环境箱连接，温控装置的制冷管路连接自增压液氮罐；自增压液氮罐与液氮蒸发板连接；电磁测速器与火药炮的可拆卸炮管连接，并通过线缆与示波器相连。本发明装置具有制造费用低，体积小，结构较简单，操作方便，发射安全可靠性高，降低了操作的专业性要求。
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公开(公告)号：CN103978305B
公开(公告)日：2016-04-27
申请号：CN201410252486.8
申请日：2014-06-09
Applicant: 哈尔滨工业大学
Abstract: 一种金属表面冷金属过渡毛化后与异种金属连接的方法，它属于异种金属的连接技术领域。它要解决现有异种金属连接时存在接头强度低，工艺复杂的问题。方法：一、制备毛化表面：采用冷金属过渡方法；二、表面清理：打磨及清洗；三、装配：平行接头或搭接接头；四、焊接：真空扩散焊。本发明通过在金属A表面制备毛刺，实现了异种金属待焊面接触形式的改变。通过毛刺刺入塑形好的低熔点被焊金属B内部，去除金属B表面氧化膜并增大待焊接触面积，促进异种金属之间的互相扩散和化学反应，形成更为可靠的冶金结合。通过扩散焊接与机械连接复合作用，形成异种金属间的高强度接头。本发明工艺方法简单，成本低，适用于多体系的异种金属连接。
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公开(公告)号：CN103978305A
公开(公告)日：2014-08-13
申请号：CN201410252486.8
申请日：2014-06-09
Applicant: 哈尔滨工业大学
CPC classification number: B23K20/023 , B23K20/14 , B23K20/2275 , B23K20/24 , B23K31/12
Abstract: 一种金属表面冷金属过渡毛化后与异种金属连接的方法，它属于异种金属的连接技术领域。它要解决现有异种金属连接时存在接头强度低，工艺复杂的问题。方法：一、制备毛化表面：采用冷金属过渡方法；二、表面清理：打磨及清洗；三、装配：平行接头或搭接接头；四、焊接：真空扩散焊。本发明通过在金属A表面制备毛刺，实现了异种金属待焊面接触形式的改变。通过毛刺刺入塑形好的低熔点被焊金属B内部，去除金属B表面氧化膜并增大待焊接触面积，促进异种金属之间的互相扩散和化学反应，形成更为可靠的冶金结合。通过扩散焊接与机械连接复合作用，形成异种金属间的高强度接头。本发明工艺方法简单，成本低，适用于多体系的异种金属连接。
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公开(公告)号：CN100337133C
公开(公告)日：2007-09-12
申请号：CN200510010052.8
申请日：2005-05-31
Applicant: 哈尔滨工业大学
Abstract: 光致发光薄膜及其辐照改性的制备方法，涉及一种光电集成领域中的发光材料及其制备方法。目前制备的发光SiO2薄膜存在发光不稳定和发光强度不高，制备方法用时较长的弊端。光致发光薄膜，在硅基片表面镀制铝膜，在铝膜表面镀制SiO2薄膜，再通过质子辐射方法诱导改变SiO2薄膜结构以获得光致发光。光致发光薄膜辐照改性的制备方法：(1)在硅基片表面间接制备SiO2薄膜；(2)采用质子辐射诱导改变SiO2薄膜结构以获得光致发光。本发明选用金属铝膜可以产生对硅基体性质的保护作用，从而使得集成电路的性能保持稳定。制备时间短，工艺简单，所得SiO2薄膜光致发光在室温下稳定，没有淬灭现象，可获得波长约为375nm(3.3eV)的光致发光，利于推广应用。
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公开(公告)号：CN111043900B
公开(公告)日：2022-03-01
申请号：CN202010001052.6
申请日：2020-01-01
Applicant: 哈尔滨工业大学
Abstract: 本发明提供一种中低温高速撞击试验装置及其试验方法，防护罐体作为弹丸撞击试验的安全防护装置；防护罐体开设有穿线和管道的通孔，防护罐体的一端设有罐门；所述防护罐体内部设有一个试验台面、照明灯具；火药炮、环境箱安装在试验台面上内；环境箱内设置有靶架、液氮蒸发板；温控装置的测控线缆与环境箱连接，温控装置的制冷管路连接自增压液氮罐；自增压液氮罐与液氮蒸发板连接；电磁测速器与火药炮的可拆卸炮管连接，并通过线缆与示波器相连。本发明装置具有制造费用低，体积小，结构较简单，操作方便，发射安全可靠性高，降低了操作的专业性要求。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN102135695A
公开(公告)日：2011-07-27
申请号：CN201010608279.3
申请日：2010-12-28
Applicant: 哈尔滨工业大学
IPC: G02F1/35
Abstract: 一种基于液晶-金属界面电荷的非线性表面等离子体激元器件，属于微纳米光子学技术领域。解决了在毫瓦量级的输入功率下实现非线性SPPs(表面等离子体激元)问题，并提出了一种基于掺杂电荷产生剂的液晶非线性材料的非线性SPPs集成的技术方案。该器件能够利用空间光通过棱镜在金膜和向列液晶的界面上激发SPPs，该SPPs通过界面电荷和向列液晶反馈作用实现的非线性特性可以通过测量棱镜耦合输出的光信号来获得。本发明提出的基于界面电荷和向列液晶的非线性SPPs的机制和实现方案在未来的集成光电子芯片中具有实际的应用价值。
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公开(公告)号：CN1696242A
公开(公告)日：2005-11-16
申请号：CN200510010052.8
申请日：2005-05-31
Applicant: 哈尔滨工业大学
IPC: C09K11/00
Abstract: 光致发光薄膜及其辐照改性的制备方法，涉及一种光电集成领域中的发光材料及其制备方法。目前制备的发光SiO2薄膜存在发光不稳定和发光强度不高，制备方法用时较长的弊端。光致发光薄膜，在硅基片表面镀制铝膜，在铝膜表面镀制SiO2薄膜，再通过质子辐射方法诱导改变SiO2薄膜结构以获得光致发光。光致发光薄膜辐照改性的制备方法：(1)在硅基片表面间接制备SiO2薄膜；(2)采用质子辐射诱导改变SiO2薄膜结构以获得光致发光。本发明选用金属铝膜可以产生对硅基体性质的保护作用，从而使得集成电路的性能保持稳定。制备时间短，工艺简单，所得SiO2薄膜光致发光在室温下稳定，没有淬灭现象，可获得波长约为375nm(3.3eV)的光致发光，利于推广应用。
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公开(公告)号：CN216900951U
公开(公告)日：2022-07-05
申请号：CN202122681601.1
申请日：2021-11-04
Applicant: 哈尔滨工业大学
IPC: G01T1/29
Abstract: 本实用新型公开了一种低能带电粒子束流均匀性测量装置，包括底板、通过压边框均匀设置在底板上的11根导电条，每根导电条的正表面一端均通过一个固定电阻与底板的背面相连，另一端均通过一条短导线与接线端子相接，每个接线端子均通过一组长约1m的导线与设备真空室内的真空插头相接，且每一个与真空室真空插头外侧对应的点均通过一组导线A连接有一控制开关，每一个控制开关均经一组导线B连接有一电流表或万用表，电流表另一端接地。本实用新型可以快速、方便地测量低能电子、质子和其他离子束流在扫描面积内的不均匀性，以便及时调整加速器参数，确保束流的均匀性和试验结果的有效性。
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公开(公告)号：CN214953150U
公开(公告)日：2021-11-30
申请号：CN202120809292.9
申请日：2021-04-20
Applicant: 黑龙江省科学院技术物理研究所 , 哈尔滨工业大学
IPC: G01N23/00
Abstract: 一种电子束辐照气氛调节装置，涉及一种电子束辐照装置。本实用新型是要解决现有的电子束辐照条件下不同辐照气氛调节不便利的技术问题。本实用新型采用双进气口模式解决不同气体置换与混合问题；为了减少置换气体死角问题，采用圆锥形流体设计，锥形盖与一端为圆锥形的罐体通过法兰连接，采用橡胶密封，以便于放置样品；为了解决电子元器件原位测试问题，在罐体的下方设置真空密封插座接线端子接口法兰与真空密封插座接线端子连接，在元器件与测试设备之间架起连接通路。本实用新型的装置可以实现两种气体混合置换空气的功能，并实现材料和电子器件在不同气氛下电子束辐照效应研究，本装置设有性能测试接口，可实现电子器件的原位性能测试功能。
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公开(公告)号：CN214930749U
公开(公告)日：2021-11-30
申请号：CN202120809293.3
申请日：2021-04-20
Applicant: 黑龙江省科学院技术物理研究所 , 哈尔滨工业大学
IPC: B64G7/00
Abstract: 一种真空低温电子束辐照试验装置，涉及一种真空低温电子束辐照试验装置。本实用新型是要解决现有的开放电子辐照室无法实现真空低温条件复合辐照试验条件，制备真空低温箱要解决电子束辐照穿透能力低的技术问题。本实用新型的装置具有真空获得和样品台低温制冷功能，可以实现低温真空复合场条件下材料和电子器件电子束辐照效应模拟试验研究，本装置设有性能测试接口，可实现电子器件的原位性能测试功能，是电子束辐照效应研究必不可少的装置。
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