公开(公告)号：CN108957959B

公开(公告)日：2022-07-19

申请号：CN201711114378.4

申请日：2017-11-13

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 王筱姗 ,  张庆裕 ,  林进祥

IPC: G03F7/004

Abstract: 根据一些实施例，本发明提供一种微影图案化的方法。该方法包括：形成开口于基底上方的第一层中；及涂布接枝溶液于第一层上方并填充于开口中。接枝溶液包括接枝化合物及溶剂。接枝化合物包括接枝单元，其化学键结至连接单元，且连接单元化学键结至聚合物主链。连接单元包括烷基链段。接枝单元能附接至第一层。上述方法更包括：固化接枝溶液，使得接枝化合物附接至第一层的表面，从而形成第二层于第一层的上述表面上方。

公开(公告)号：CN110875175B

公开(公告)日：2022-06-10

申请号：CN201910800843.2

申请日：2019-08-28

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 何俊智 ,  罗冠昕 ,  张庆裕 ,  林进祥

IPC: H01L21/027

Abstract: 本公开中提供一种半导体装置的制造方法，其包括提供基板；于基板上形成底层；于底层上形成中间层，其上表面包括光敏单元，光敏单元具有锚定在该中间层中的第一端以及远离中间层的上表面延伸的第二端；于中间层上形成光刻胶层；将光刻胶层在辐射源中曝光；以及显影光刻胶层以形成图案。光敏单元，包括光酸产生剂、光碱产生剂、光分解淬灭剂、或光分解碱，可通过一个或多个连接基团，锚定至形成中间层的聚合物主链。光敏单元延伸入光刻胶层的距离，可由连接基团的长度来决定。

公开(公告)号：CN108962728B

公开(公告)日：2022-06-10

申请号：CN201711166831.6

申请日：2017-11-21

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 翁明晖 ,  吴承翰 ,  张庆裕 ,  林进祥

IPC: H01L21/027 ,  G03F7/00

Abstract: 本公开实施例提供集成电路的制造方法。此方法包含提供基底，其具有顶面和从顶面凹陷的沟槽，将敏感材料层涂布于基底的顶面上，其中敏感材料层填入沟槽中，对敏感材料层执行活化处理，使得部分的敏感材料层化学性地改变，以及对敏感材料层执行湿式化学工艺，使得敏感材料层位于沟槽之上的顶部部分被移除，其中敏感材料层的剩余部分的顶面与基底的顶面大致上共平面。该方法可以消除凹凸不平的轮廓，提供了平坦化的顶面。

公开(公告)号：CN110941148B

公开(公告)日：2022-05-24

申请号：CN201910864390.X

申请日：2019-09-12

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 刘朕与 ,  林子扬 ,  张雅晴 ,  张庆裕 ,  林进祥

IPC: G03F7/20 ,  H01L21/027

Abstract: 本发明涉及一种半导体装置的制造方法。本公开的一些实施例提供一种方法，包括：形成第一层于基板之上并形成黏着层于所述第一层之上，其中所述黏着层具有包括环氧基团的组合物。形成光刻胶层，所述光刻胶层直接位于黏着层上。将所述光刻胶层的一部分曝光于辐射源下。利用环氧基团使所述黏着层的组合物与所述光刻胶层的曝光部分交联。通过像是负型显影剂来显影所述光刻胶层以形成光刻胶图案部件，所述光刻胶图案部件可覆盖所形成的交联区域。

公开(公告)号：CN108231548B

公开(公告)日：2021-11-30

申请号：CN201710631901.4

申请日：2017-07-28

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 王筱姗 ,  吴承翰 ,  张庆裕 ,  林进祥

IPC: H01L21/027

Abstract: 提供一种材料组成与方法，其包含形成图案化光阻层于基板上，其中图案化光阻层具有第一线宽粗糙度。在多种实施例中，将处理材料涂布至图案化光阻层，其中处理材料的第一部份键结至图案化光阻层的表面。在一些实施例中，移除处理材料的第二部份(未键结至图案化光阻层表面)，以提供处理后的图案化光阻层，其中处理后的图案化光阻层具有第二线宽粗糙度，且第二线宽粗糙度小于第一线宽粗糙度。

公开(公告)号：CN108231550B

公开(公告)日：2021-10-26

申请号：CN201710686801.1

申请日：2017-08-11

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 王筱姗 ,  吴承翰 ,  张庆裕 ,  林进祥

IPC: H01L21/027

Abstract: 提供一种材料组成以及方法，其包含形成图案化光阻层于基板上。图案化光阻层具有第一图案宽度与第一图案轮廓，且第一图案轮廓具有活性点位的第一比例。在一些例子中，将处理材料涂布至图案化光阻层。在一些实施例中，处理材料键结至图案化光阻层的表面，以提供处理后的图案化光阻层，处理后的图案化光阻层具有第二图案轮廓，第二图案轮廓具有活性点位的第二比例，且第二比例大于第一比例。举例来说，在涂布处理材料至图案化光阻层时，可进行第一图案缩减工艺，其中处理后的图案化光阻层具有第二图案宽度，且第二图案宽度小于第一图案宽度。

公开(公告)号：CN109521648B

公开(公告)日：2021-09-07

申请号：CN201810004571.0

申请日：2018-01-03

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 訾安仁 ,  郑雅如 ,  张庆裕 ,  林进祥

IPC: G03F7/20

Abstract: 本公开涉及EUV光刻中的湿度控制。在晶片上涂覆光敏层。曝光光敏层。在一些实施例中，光敏层被暴露于EUV光。烘焙光敏层。使光敏层显影。在涂覆、烘焙或显影中的至少一者中引入湿度。

公开(公告)号：CN109427553B

公开(公告)日：2020-12-29

申请号：CN201711276504.6

申请日：2017-12-06

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 訾安仁 ,  郑雅如 ,  张庆裕 ,  林进祥

IPC: H01L21/027 ,  G03F7/00

Abstract: 本发明实施例提供了一种方法，该方法包括：通过包括酸不稳定基团、溶解度控制单元和热酸产生剂的化学混合物的第一化学溶液涂覆晶圆的边缘部分；固化第一化学溶液以在晶圆的边缘部分上形成第一保护层；在晶圆的正面上涂覆光刻胶层；通过第一去除溶液去除第一保护层；并且对光刻胶层实施曝光工艺。本发明实施例涉及保护晶圆免受斜面污染的半导体方法。

公开(公告)号：CN111258176A

公开(公告)日：2020-06-09

申请号：CN201911204439.5

申请日：2019-11-29

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 黄旭霆 ,  吴东锦 ,  罗世翔 ,  赖志明 ,  余瑞晋 ,  刘如淦 ,  林进祥

IPC: G03F1/36 ,  G03F1/84

Abstract: 一种制造用于一集成电路的一光微影遮罩的方法包括对一集成电路遮罩布局执行一光学近接校正(OPC)处理以产生一经校正遮罩布局。该方法进一步包括对该经校正遮罩布局执行一逆光微影技术(ILT)处理以增强该经校正遮罩布局，从而产生一OPC-ILT增强的遮罩布局。该方法亦包括对该经校正遮罩布局执行一逆光微影技术(ILT)处理以增强该经校正遮罩布局，从而产生一OPC-ILT增强的遮罩布局。

公开(公告)号：CN111123643A

公开(公告)日：2020-05-08

申请号：CN201911043986.X

申请日：2019-10-30

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 訾安仁 ,  张庆裕 ,  林进祥

IPC: G03F7/00 ,  G03F7/004 ,  G03F7/11 ,  H01L21/027

Abstract: 本公开涉及保护组合物和形成光致抗蚀剂图案的方法。一种方法包括在衬底边缘上方形成保护层并在衬底上方形成光致抗蚀剂层。去除保护层并将光致抗蚀剂层曝光于辐射。保护层由包括酸生成剂和具有悬挂的不耐酸基团的聚合物的组合物制成。悬挂的不耐酸基团包括极性官能团；不耐酸基团包括极性开关官能团；不耐酸基团，其中大于5％的悬挂的不耐酸基团具有以下结构： 其中，R1为C6-C30烷基基团、环烷基基团、羟烷基基团、烷氧基基团、烷氧基烷基基团、乙酰基基团等；R2为C4-C9烷基基团、环烷基基团、羟烷基基团、烷氧基基团、烷氧基烷基基团、乙酰基基团等；具有悬挂的不耐酸基团和悬挂的内酯基团的聚合物；或具有悬挂的不耐酸基团和悬挂的羧酸基团的聚合物。