一种基于还原氧化石墨烯的柔性透明导电薄膜的制备方法

    公开(公告)号:CN103236324A

    公开(公告)日:2013-08-07

    申请号:CN201310139855.8

    申请日:2013-04-22

    Abstract: 本发明涉及的是一种基于还原氧化石墨烯的柔性透明导电薄膜的制备方法,能够通过溶液加工利用棒式涂层(Rod-coating)制膜方法,借助氢碘酸在小于等于100摄氏度的条件下还原氧化石墨烯薄膜,从而实现大面积制备还原氧化石墨烯透明导电薄膜的技术。本发明制备的柔性透明导电薄膜可广泛地应用于光电显示领域,具有:(1)高的导电性;(2)良好的透光性;(3)优异的机械性能;(4)大面积制备(18×20cm2);(5)原料丰富且利用率高;(6)制备工艺简单且绿色环保等优点。该技术获得的柔性透明导电薄膜可以较好地弥补传统金属氧化物(ITO)质脆的不足,有望作为柔性透明电极广泛应用于有机电致发光显示、有机太阳能电池等光电功能器件领域。

    蝶烯类有机纳米材料及制备方法

    公开(公告)号:CN103214340A

    公开(公告)日:2013-07-24

    申请号:CN201310145424.2

    申请日:2013-04-24

    Abstract: 本发明是一种蝶烯类有机纳米材料及制备方法,属于有机电致发光、光伏电池、有机电存储、有机非线性光学、化学与生物传感和有机激光的领域。本发明的目的是提供基于蝶烯分子类的纳米结果悬浮液及其各类纳米结构制备方法,具体涉及:将蝶烯类分子溶解于良溶剂,加入到含表面活性剂的溶液中,经过重沉淀过程制备纳米悬浮液,其纳米结构可以通过控制分子结构与制备条件来实现调控。本发明有以下突出优点:(1)该方法可以在室温下进行,操作简单,条件易控,重复性好。(2)本发明中制备纳米结构规整,实现了一维、二维和三维可控,纳米尺度实现从50纳米到200微米大小可调;(3)纳米悬浮液是水溶性的,可以作为旋涂、喷墨打印、印刷用的环境友好墨水。

    吡啶芴类有机电致磷光主体发光材料及其制备方法

    公开(公告)号:CN102977006A

    公开(公告)日:2013-03-20

    申请号:CN201210560714.9

    申请日:2012-12-21

    Abstract: 吡啶芴类有机电致磷光主体发光材料及其制备方法涉及新一代有机发光显示材料与技术,因其刚性结构而具有高的三线态能级及良好的空穴注入和传输性能,三维大体积空间位阻效应使其具有稳定的无定形态,而广泛用于有机发光二极管。本发明为一种吡啶芴类的主体材料,具体设计结构如下:具体涉及制备方法、在有机发光二极管器件中的应用。该材料具有:(1)高的发光效率;(2)高的热稳定性和玻璃化温度,有效抑制浓度淬灭及二聚体发光;(3)合成方法简单。其初步结构,作为主体材料实现了红绿蓝三基色有机电致发光器件。这类化合物在电致磷光主体材料方面具有广阔的应用前景及巨大的商业价值。

    螺-9,9-氧杂蒽芴类双极性发光材料及其制备和应用方法

    公开(公告)号:CN102786508A

    公开(公告)日:2012-11-21

    申请号:CN201210249686.9

    申请日:2012-07-19

    Abstract: 螺芴氧杂蒽类双极性主体材料由于具有垂直的螺环结构而能够有效抑制分子间作用,从而抑制分子间作用及二聚体发光,并具有良好的热稳定性以及稳定的无定形态。本发明为一种螺-9,9-氧杂蒽芴类的主体材料,具体设计结构如下:具体涉及制备方法、在有机发光二极管器件中的应用。该材料具有:(1)较高的热稳定性以及稳定的无定形态;(2)具有三维立体位阻效应,能够有效抑制二聚体发光;(3)制备方法和合成条件简单易行,发光效率高。其器件结构初步及其性质研究表明,该材料可用于红绿光有机电致发光器件。研究结果表明这类化合物作为主体材料在有机发光二极管方面具有巨大的应用价值和广阔的应用前景。

    一种位阻胺类光稳定剂选择性还原氧化石墨烯的方法

    公开(公告)号:CN102328926B

    公开(公告)日:2012-10-24

    申请号:CN201110191111.1

    申请日:2011-07-08

    Abstract: 选择性还原氧化石墨烯材料及其制备方法属纳米科技领域,本发明具体涉及一种在紫外光辐照下,位阻胺类光稳定剂催化法制备可溶性还原石墨烯材料的技术。本发明提供的位阻胺类光稳定剂催化还原法具有:(1)基团选择性高,能够选择去除羧基和羰基;(2)产物溶解性好;(3)位阻胺催化剂属于无毒、无金属;(4)位阻胺添加剂具有分散石墨烯的能力,也可以去除;(5)操作方法简单及绿色环保等特点。该技术较好地弥补了传统氧化石墨烯材料还原方式剧毒,高能耗(高温)及还原过程不可控的不足,有望成为石墨烯材料化学工业生产的重要步骤,在石墨烯基光电材料、石墨烯基有机结构材料及有机光电功能器件中有着潜在应用,特别是应用于石墨烯基光电材料。

    太赫兹表面等离子体波光学调制器及其调制方法

    公开(公告)号:CN102096269A

    公开(公告)日:2011-06-15

    申请号:CN201110009521.X

    申请日:2011-01-18

    Abstract: 本发明公布了一种太赫兹表面等离子体波光学调制器及其调制方法,所述调制器包括一个本征半导体晶片、两个平行放置的刀片或者光栅、连续波激光器和调制准直系统以及一个温度控制装置。所述方法采用连续波激光器和调制准直系统发出激光调制信号照射在本征半导体晶片从而改变该本征半导体晶片表面各处的光生载流子数量;通过改变激光调制信号的光强对本征半导体晶片表面所传输的太赫兹表面等离子体波进行调制;两个平行放置的刀片或光栅用于将太赫兹波耦合为太赫兹表面等离子体波以及将调制后的太赫兹表面等离子体波耦合为太赫兹波。本发明制作成本低、能量损耗小,调制频率范围宽,可以实现归零调制,可以实现快速调制。

    基于平面型的低操作电压光电突触忆阻器及其制备方法

    公开(公告)号:CN119173128A

    公开(公告)日:2024-12-20

    申请号:CN202411283017.2

    申请日:2024-09-13

    Abstract: 本发明属于有机电子和信息技术领域,具体涉及一种基于平面型的低操作电压光电突触忆阻器及其制备方法;所述忆阻器包括底部基底和在底部基底上依次设置的绝缘层、功能层和顶电极;其中,所述底部基底为硅,所述绝缘层为二氧化硅,所述功能层为钛菁铜,所述顶电极为银;所述忆阻器制备方法包括以下步骤:S1.在硅基底上生长二氧化硅绝缘层,清洗、烘干;S2.在S1处理后的样品上真空蒸镀钛菁铜功能层;S3.在S2处理后的样品上真空蒸镀银电极,冷却到室温得到所述基于平面型的低操作电压光电突触忆阻器;本发明结构简单,可重复性较好,为模拟视觉感知与机器学习提供了更多的可能性。

    一种基于聚乙烯醇的有机场效应晶体管存储器及其制备方法

    公开(公告)号:CN114512606B

    公开(公告)日:2024-11-05

    申请号:CN202210038652.9

    申请日:2022-01-13

    Abstract: 本发明公开了一种基于聚乙烯醇的有机场效应晶体管存储器及其制备方法,该存储器的结构自上而下依次包括源漏电极、有机半导体层、电荷存储层、栅绝缘层以及作为衬底的栅电极;其中,所述电荷存储层与所述栅绝缘层之间还设置有疏水薄膜层;所述疏水薄膜层是将疏水薄膜溶液旋涂于栅绝缘层上制备的,所述疏水薄膜溶液为聚四氟乙烯分散于水形成;所述电荷存储层是将聚乙烯醇溶液旋涂于所述疏水薄膜层上制备的。本发明通过旋涂的方式,在硅片与聚乙烯醇薄膜中间引入聚四氟乙烯薄膜,隔绝了PVA与硅片间的氢键作用力,阻碍了表面偶极子的形成,且旋涂后的聚四氟乙烯作为一层疏水薄膜,极大的提高了上层PVA薄膜质量,改善了PVA薄膜形貌。

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