一种石墨烯铜基复合材料及其制备方法

    公开(公告)号:CN111364018A

    公开(公告)日:2020-07-03

    申请号:CN202010134265.6

    申请日:2020-03-02

    Abstract: 本发明涉及一种石墨烯铜基复合材料及其制备方法,采用表面浸蚀-气相沉积-超声清洗的方法制备出具有铜基体层-过渡层-石墨烯层复合结构的石墨烯铜复合材料,制备方法包括以下步骤:铜粉表面浸蚀;过滤、烘干并在石英舟内铺设;化学气相沉积炉的装配;化学气相沉积;超声清洗并过滤干燥。本发明的复合材料中铜基体与石墨烯之间具有优良的结合力,且石墨烯层具有完整、缺陷少、质量优的特点,所制备的复合材料抗拉强度、变形率、导电性能优异。

    一种高速列车锻钢制动盘用钢材料及其锻件的锻造工艺

    公开(公告)号:CN106086679B

    公开(公告)日:2020-04-10

    申请号:CN201610658175.0

    申请日:2016-08-12

    Abstract: 本发明公开了一种高速列车锻钢制动盘用钢材料及其锻件的锻造工艺,包括以下步骤:按质量百分比进行配料称重,在中频电炉冶炼成优质钢水,然后在液压机上进行液态模锻,并在1150℃左右脱模,采用自由锻加束缚锻的复合锻造方式对坯料进行锻造,得到二次锻坯;然后对二次锻坯采用水冷‑空冷两次循环交替方式进行淬火热处理;最后,对淬火后的二次锻造坯采用回火‑水冷‑再回火‑再水冷的二次回火处理,即得到所述高速列车锻钢制动盘用钢锻件。本发明的锻造工艺与热处理工艺的组合有效地防止了形状复杂的锻件淬火开裂,而且制造的高速列车锻钢制动盘用钢锻件的综合力学性能尤其是低温韧性大幅度提高,能很好地适用于低温制动。

    一种高导高强石墨烯铜基复合材料及其制备方法

    公开(公告)号:CN110042344A

    公开(公告)日:2019-07-23

    申请号:CN201910383564.0

    申请日:2019-05-09

    Abstract: 本发明公开了复合材料技术领域的一种高导高强石墨烯铜基复合材料及其制备方法,旨在解决现有技术中需预先制备石墨烯造成生产效率低,石墨烯与铜直接复合后界面结合差且易出现裂纹、复合过程中石墨烯存在烧损和团聚的技术问题。本发明所述方法包括对铜基体的表面进行预处理,获得纳米晶表面;采用离子注入法将碳注入到铜基体表面,在铜基体表面得到碳的过饱和固溶体;将铜基体多次叠加或多次对折,通过压力成型的方法得到层状结构的铜基材料;将铜基材料加工成零件后进行再结晶退火处理。本发明所述方法无需预先制备石墨烯,石墨烯在基体中原位生长,提高了生产效率;石墨烯烧损少,且分散效果好,提高了铜基材料的综合性能。

    一种稀土微合金化高导电率铜合金及其制备方法

    公开(公告)号:CN107586979B

    公开(公告)日:2019-06-14

    申请号:CN201710894243.8

    申请日:2017-09-28

    Abstract: 本发明公开了一种稀土微合金化高导电率铜合金制备方法,包括以下步骤:S01:按照摩尔百分比对电解铜、铜锌中间合金、铜锰中间合金以及铜镧中间合金进行配料准备熔炼;S02:将配好的电解铜置于坩埚中;S03:待电解铜熔炼完全后,向液态电解铜中加入铜锌中间合金和铜锰中间合金,继续进行熔炼;S04:待加入铜锌中间合金和铜锰中间合金并熔炼完全后,向液态金属液中加入铜镧中间合金,继续进行熔炼;S05:待上述合金充分熔炼后将液态金属浇注到模具中,冷却脱模。本发明还公开了一种稀土微合金化高导电率铜合金,由上述制备方法得到。本发明的一种稀土微合金化高导电率铜合金,导电率高、力学性能良好、生产成本低和高温性能稳定。

    一种低启动临界应力稀土磁控形状记忆合金及其制备方法

    公开(公告)号:CN105803266B

    公开(公告)日:2017-06-20

    申请号:CN201610208083.2

    申请日:2016-04-05

    Abstract: 本发明提供一种低启动临界应力稀土磁控形状记忆合金及其制备方法,属于记忆合金材料领域,该材料具有室温条件下较弱外磁场控制产生变形的能力,是一种可在室温条件下由强度较小的外磁场变化驱动马氏体孪晶界迁移产生应变的一种新型稀土磁控形状记忆合金。该合金化学式为:CoxNiyAlzCej;其中,18≤x≤43,27≤y≤34,26≤z≤40,1≤j≤15,x+y+z+j=100,x、y、z、j表示摩尔百分比含量。本发明稀土磁性材料与现有材料相比,具有较低的马氏体孪晶迁移启动临界应力,较宽的磁致应变温度范围,较大的磁致应变量以及良好的力学性能,可在室温下使用的微位移器、震动和噪声控制、线性马达、微波器件、机器人等领域有重要应用。

    镁及镁合金表面具有插层结构的Mg(OH)2/Mg-Sn类水滑石复合膜及其制备方法

    公开(公告)号:CN106283017A

    公开(公告)日:2017-01-04

    申请号:CN201610809077.2

    申请日:2016-09-07

    CPC classification number: C23C22/60 C23C22/78

    Abstract: 本发明公开一种镁及镁合金表面具有插层结构的Mg(OH)2/Mg-Sn类水滑石复合膜及其制备方法,涉及镁及镁合金表面技术领域,其目的是提高镁及镁合金的耐蚀性,拓宽生物医用等领域的应用前景。制备方法包括以下步骤:S1、对镁及镁合金进行预处理;S2、前处理,配制Sn4+盐溶液,调节pH至4.0,制得前处理溶液,将镁及镁合金置于持续通入CO2的前处理溶液,获得前驱体膜;S3、后处理,将覆有前驱体膜的镁及镁合金浸泡在Na2CO3溶液中,镁及镁合金表面生长Mg(OH)2/Mg-Sn类水滑石复合膜;S4、后续清洗。本发明采用两步法在镁及镁合金表面原位生成不含铝、具有生物安全性的Mg(OH)2/Mg-Sn类水滑石复合膜,提高镁及镁合金的耐蚀性,拓宽类水滑石膜在生物镁合金表面防护的应用。

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