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公开(公告)号：CN102828240A
公开(公告)日：2012-12-19
申请号：CN201210316953.X
申请日：2012-08-31
Applicant: 南京大学
CPC classification number: C30B25/186 , C30B29/406 , H01L21/30621 , H01L21/3081
Abstract: 制备GaN薄膜材料的方法，在GaN/蓝宝石复合衬底上蒸镀金属镍（Ni）薄膜，退火得到纳米Ni颗粒，然后采用电感耦合等离子体刻蚀（ICP）方式蚀刻未被Ni覆盖的GaN/蓝宝石复合衬底上的GaN，形成纳米结构的GaN/蓝宝石复合衬底。在此纳米结构复合衬底上进行GaN的氢化物气相外延（HVPE）生长得到低应力高质量的GaN薄膜或者自支撑GaN衬底材料。本发明获得低应力高质量GaN薄膜材料。
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公开(公告)号：CN102465333A
公开(公告)日：2012-05-23
申请号：CN201010549729.6
申请日：2010-11-18
Applicant: 南京大学
Abstract: 一种立式氢化物气相外延生长系统，包括反应腔体、石墨支托、外延生长衬底和加热系统，石墨支托设置在反应腔体的生长区内，反应腔体为立式结构，多片外延生长衬底设置在石墨支托上方或倒置在石墨支托下方，尾气出口位于反应腔体下部，其中反应腔体为轴向套管结构，由腔体管和气体导管套接组成，气体导管位于腔体管的入口部份，气体导管的入口部分内部为多路分隔气路结构，多路分隔气路轴向均匀分布，用于将反应气体送至生长区的外延生长衬底处，气体导管的外导管壁延伸超过石墨支托的位置。本发明可以有效的防止预反应和反应尾气造成的沉积、堵塞，提高HVPE系统的持续生长时间，获得目前无法自然不存在、常规方法无法生长的GaN体单晶材料。
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公开(公告)号：CN101355127B
公开(公告)日：2010-11-10
申请号：CN200810124467.1
申请日：2008-07-08
Applicant: 南京大学
IPC: H01L33/00
Abstract: 一种提高III族氮化物LED发光效率的量子阱结构，包括蓝宝石衬底层(6)，缓冲层(5)，过渡层(4)，N型导电层(3)，量子阱结构层(2)，P型导电层(1)以及电极层(7)；衬底层(6)上依次为GaN构成的缓冲层(5)，GaN构成的过渡层(4)，N型GaN构成的N型导电层(3)，InGaN/AlGaInN交替构成的量子阱结构层(2)，P型GaN构成的P型导电层(1)以及电极层(7)。量子阱结构层(2)是5-10个周期且层厚分别为5-20nm/15-40nm的InGaN/AlGaInN量子阱结构层。
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公开(公告)号：CN101475150B
公开(公告)日：2010-08-18
申请号：CN200810235278.1
申请日：2008-12-03
Applicant: 南京大学
IPC: H01L21/205
Abstract: 改进HVPE传输气流均匀性的装置，在立式HVPE生长系统中，生长室反应腔上方设有一个匀气环，匀气环设有连通的气路进口和气路出口构成，其中气路出口设有4-30个，在圆环上均匀分布，匀气环气路进口接有源气体输气终端。尤其是匀气环气路进口至每个气路出口的气体传输管路路径相同。
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公开(公告)号：CN101281864B
公开(公告)日：2010-06-02
申请号：CN200810019104.1
申请日：2008-01-11
Applicant: 南京大学
IPC: H01L21/205 , C30B25/02 , C30B29/40 , C30B29/38
Abstract: 改进氢化物气相外延生长GaN材料均匀性的方法，在HVPE生长过程中，将GaCl或者NH3源气体通过石英喷淋头均匀喷洒在生长衬底的表面上。喷淋头由均匀分布的小孔组成石英板喷淋头，石英板喷淋头与生长衬底平行。本发明通过特别的设计控制源气体GaCl或者NH3在衬底表面的均匀分布，从而改善衬底上方发生反应的源气体的分布更加均匀合适。矩形(方形)结构的喷淋头设计，可以使得气流分布的更加均匀，样品无需旋转。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN101281864A
公开(公告)日：2008-10-08
申请号：CN200810019104.1
申请日：2008-01-11
Applicant: 南京大学
IPC: H01L21/205 , C30B25/02 , C30B29/40 , C30B29/38
Abstract: 改进氢化物气相外延生长GaN材料均匀性的方法，在HVPE生长过程中，将GaCl或者NH3源气体通过石英喷淋头均匀喷洒在生长衬底的表面上。喷淋头由均匀分布的小孔组成石英板喷淋头，石英板喷淋头与生长衬底平行。本发明通过特别的设计控制源气体GaCl或者NH3在衬底表面的均匀分布，从而改善衬底上方发生反应的源气体的分布更加均匀合适。矩形(方形)结构的喷淋头设计，可以使得气流分布的更加均匀，样品无需旋转。
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公开(公告)号：CN100378255C
公开(公告)日：2008-04-02
申请号：CN200510094184.3
申请日：2005-09-01
Applicant: 南京大学
IPC: C30B25/02 , C30B29/40 , H01L21/205
Abstract: 一种a面和m面 GaN 薄膜材料的控制生长方法，在MOCVD系统中用铝酸锂做衬底生长a面或m面的 GaN 材料，在MOCVD系统中对生长的(302)和(100)铝酸锂衬底在500-1050℃温度下进行材料热处理，时间为10-60分钟，或然后通入氨气进行表面氮化，时间为10-60分钟；然后在500-1050℃温度范围通入载气 H2和或 N2， NH3气以及金属有机镓源，金属有机镓源流量为1-50sccm； NH3气500-7000sccm； N 与 Ga 之摩尔比为500-3000，在(302)或(100)铝酸锂衬底上合成生长a面或m面的 GaN 材料，生长温度500-1050℃温度下，时间为10-60分钟。本发明 GaN 薄膜具有更好的应用价值，且薄膜厚度可以控制。
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公开(公告)号：CN1885494A
公开(公告)日：2006-12-27
申请号：CN200610088287.3
申请日：2006-07-07
Applicant: 南京大学
IPC: H01L21/205 , H01L31/0304 , H01L31/036 , H01L33/00 , C30B29/40 , C30B25/02
Abstract: 高结晶铟镓氮单晶外延膜，在蓝宝石衬底先设有GaN缓冲层，且为20－200nm的低温GaN缓冲层；然后生长厚度可达到1－80μm的高结晶的InxGa1－x(0≤x≤1)材料。高结晶铟镓氮单晶外延膜的生长方法，在蓝宝石衬底上利用MOCVD系统先生长GaN缓冲层，在500－700℃温度范围生长厚度在20－200nm的低温GaN缓冲层；然后利用MOCVD生长高结晶的InxGa1－xN材料；接着在GaN缓冲层上以500－1050℃生长高质量InxGa1－xN材料；生长压力在0－700Torr，尤其控制在300－700Torr；其中0≤X≤1材料厚度1μm以上。太阳能电池采用材料In0..3Ga0.7N薄膜，电极采用MSM结构。
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公开(公告)号：CN1268783C
公开(公告)日：2006-08-09
申请号：CN200410014336.X
申请日：2004-03-16
Applicant: 南京大学
Abstract: 金属In预沉积生长氮化铟薄膜的方法，用MOCVD生长InN前，先在衬底表面预沉积一层金属In，沉积时温度在300-500℃，然后才同时通入氨气和三甲基铟，继续生长从而得到氮化铟薄膜，生长温度在300-500℃。本发明在衬底表面预沉积适量的金属In，有利于InN的成核和InN成核岛之间的融合。
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公开(公告)号：CN1811018A
公开(公告)日：2006-08-02
申请号：CN200510123107.6
申请日：2005-12-15
Applicant: 南京大学
Abstract: 一种生长高结晶氮化铟单晶外延膜的方法，在蓝宝石衬底上利用MOCVD系统先生长GaN缓冲层，在500－700℃温度范围生长厚度在20－100nm的低温GaN缓冲层；然后利用MOCVD生长高结晶的InN材料。GaN缓冲层生长后对此缓冲层进行900－1100℃的高温退火；再利用MOCVD生长高结晶的InN材料。本发明实现了在蓝宝石衬底上利用低温GaN做缓冲层在MOCVD系统中生长一种新型材料InN的方法。尤其是设计先生长缓冲层，然后生长高质量高结晶的InN材料。面积尺寸可以达到工业生产使用的尺寸。
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