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公开(公告)号：CN1297953C
公开(公告)日：2007-01-31
申请号：CN200410101847.5
申请日：2004-12-28
Applicant: 北京科技大学
Abstract: 一种制备双垂直自旋阀的方法及其结构，采用玻璃或单晶硅基片，通过等离子体溅射、磁控溅射或者分子束外延生长手段制备而成的一种金属多层膜结构，然后通过照相平版印刷或电子束印刷、离子刻蚀的手段分别在金属多层膜的顶层和底层膜面制作出两个电极，使该自旋阀在工作时，信号电流的流动方向垂直于金属多层膜膜面。本发明的优点在于将电流垂直薄膜平面与磁各向异性易轴垂直薄膜面两个特征完美结合在一起大幅度的提高自旋阀的磁电阻效应；有效的改善了自旋阀的磁均匀性，使这种自旋阀材料加工到纳米级时，仍可保持单磁畴结构。
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公开(公告)号：CN1641750A
公开(公告)日：2005-07-20
申请号：CN200410101847.5
申请日：2004-12-28
Applicant: 北京科技大学
Abstract: 一种制备双垂直自旋阀的方法及其结构，采用玻璃或单晶硅基片，通过等离子体溅射、磁控溅射或者分子束外延生长手段制备而成的一种金属多层膜结构，然后通过照相平版印刷或电子束印刷、离子刻蚀的手段分别在金属多层膜的顶层和底层膜面制作出两个电极，使该自旋阀在工作时，信号电流的流动方向垂直于金属多层膜膜面。本发明的优点在于将电流垂直薄膜平面与磁各向异性易轴垂直薄膜面两个特征完美结合在一起大幅度的提高自旋阀的磁电阻效应；有效的改善了自旋阀的磁均匀性，使这种自旋阀材料加工到纳米级时，仍可保持单磁畴结构。
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公开(公告)号：CN1632964A
公开(公告)日：2005-06-29
申请号：CN200410009937.1
申请日：2004-12-02
Applicant: 北京科技大学
Abstract: 本发明提供了一种具有高磁电阻效应的磁性隧道结及其制备方法。磁性隧道结由底电极层、反铁磁层、钴铁合金、绝缘层、金属钌层、顶电极层组成。本发明采用二氧化硅基片，通过等离子体溅射或磁控溅射、分子束外延生长手段制备成磁性隧道结。本发明的优点在于：巧妙的利用金属钌层和绝缘层的组合，大幅度地提高隧道结在室温下的磁电阻效应。
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公开(公告)号：CN1614714A
公开(公告)日：2005-05-11
申请号：CN200410009938.6
申请日：2004-12-02
Applicant: 北京科技大学
Abstract: 本发明提供了一种具有高磁电阻效应的双磁性隧道结及其制备方法。双磁性隧道结由底电极层、反铁磁层、钴铁合金、绝缘层、金属钌层、顶电极层组成。本发明采用二氧化硅基片，通过等离子体溅射或磁控溅射、分子束外延生长手段制备成双磁性隧道结。本发明的优点在于：巧妙的利用双隧道结、金属钌层和两层绝缘层的组合，大幅度地提高双磁性隧道结在室温下的磁电阻效应。
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公开(公告)号：CN1614416A
公开(公告)日：2005-05-11
申请号：CN200410009962.X
申请日：2004-12-03
Applicant: 北京科技大学
Abstract: 本发明提供了一种测量薄膜沉积速率的方法。将20～50氧化物薄膜或不易氧化金属薄膜沉积到玻璃基片或单晶硅基片上，利用角分辨X射线光电子能谱测定它们的厚度，这个厚度除以所用沉积时间，就是该薄膜材料的沉积速率。具体步骤为：将沉积到玻璃基片或单晶硅基片上的20～50氧化物薄膜或不易氧化金属薄膜送进超高真空的X射线光电子能谱仪中；实验时，通过改变α角度，收集Si 2p XPS谱图，当刚刚出现Si 2p峰时，停止数据收集，记下α值，由公式d＝3λsin α来算出薄膜材料厚度；该厚度除以所用薄膜沉积时间，就是该薄膜材料的溅射速率。本发明的优点在于：简化了测量方法，并实现了测量数据准确。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN120009572A
公开(公告)日：2025-05-16
申请号：CN202411980588.1
申请日：2024-12-31
Applicant: 北京科技大学
Abstract: 本发明提供一种用于超高真空扫描探针显微镜的探针、样品的安装组件及方法，该安装组件包括针尖托、样品托和抓手；针尖托包括第一承托柱和设置在第一承托柱圆周面上的第一卡接部，第一承托柱的一端具有探针安装部，第一卡接部靠近探针安装部设置，第一承托柱具有第一扫描头安装部；样品托包括第二承托柱、第二卡接部、样品安装部和第二扫描头安装部；样品安装部设置在第二承托柱的一端，第二卡接部和第二扫描头安装部均设置在第二承托柱的圆周面上，第二卡接部远离样品安装部设置；抓手包括套筒，套筒的一端具有限位结构，限位结构能与第一卡接部或第二卡接部配合。本发明能够提高送样准确度、简化操作流程，并集成多种扫描功能。
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公开(公告)号：CN119997792A
公开(公告)日：2025-05-13
申请号：CN202510126476.8
申请日：2025-01-27
Applicant: 北京科技大学
Abstract: 本发明提供一种用于电流‑自旋流转换的磁性异质结结构、自旋电子器件和制备方法，所述磁性异质结结构包括：基片；以及形成在所述基片上的磁性异质结，所述磁性异质结包括：铁磁层和非磁性层，所述非磁性层为元素周期表第IIIA族元素的材料和第VA族元素的材料形成的合金层；其中，所述铁磁层具有垂直磁各向异性。本发明能够利用来自P轨道自旋流的贡献，利用制备出的高质量III‑V族合金薄膜得到高质量的磁性异质结结构，并由此得到高质量的电子器件，为提高自旋电流效率开辟了一条道路，而且还扩大了可用于自旋电子学应用的材料范围。
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公开(公告)号：CN109269662B
公开(公告)日：2020-12-01
申请号：CN201811096534.3
申请日：2018-09-19
Applicant: 北京科技大学
Abstract: 一种应用于红外信号探测的稀土镍基钙钛矿氧化物热敏电阻材料，属于红外探测领域。利用具有高电阻温度系数的稀土镍基钙钛矿氧化物绝缘体相(或半导体相)作为红外探测技术中的热敏电阻材料；通过调节稀土镍基钙钛矿氧化物材料中稀土元素的种类、稀土镍基材料所受应力、稀土镍基材料中稀土元素与镍元素及氧元素的化学计量比等方法对稀土镍基钙钛矿氧化物热敏电阻的金属绝缘体相转变温度进行调节，从而实现对红外探测温度范围的调节；通过稀土镍基钙钛矿氧化物与不同载体材料的结合与集成实现器件制备，从而实现在10K‑500K温度范围内实现对红外信号的探测。本发明在红外探测、微测辐射热、温度探测与传感方面具有可观的应用价值与宽广的应用前景。
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公开(公告)号：CN110823401B
公开(公告)日：2020-09-18
申请号：CN201911031899.2
申请日：2019-10-28
Applicant: 北京科技大学
IPC: G01K7/16
Abstract: 一种基于变频温区极值阻抗的主动式Delta温区电阻及使用方法。所述主动式Delta温区电阻具有对于不同频率的交流电信号呈现不同的实部阻值，且对于固定频率的交变电信号该实部电阻值随温度的增加呈现先增加后减小的趋势并在一定温度区间内呈现出极大值，而实现极值实部电阻的温区范围能够通过改变输入交变电信号的频率加以调节控制，优选亚稳相稀土镍基钙钛矿氧化物、掺杂二氧化钒、稀土铜铁基钙钛矿化合物、钙铁氧钙钛矿氧化物。通过对主动式Delta温区电阻施加具有一定可调频率的交变电信号，利用频率大小调节出现极大值实部电阻的温度范围，从而进一步实现对电子器件、电路等工作温度的可调节式主动锁定，以及对目标温区的探测与传感等电路智能化控制设计方面的应用。
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公开(公告)号：CN110346390A
公开(公告)日：2019-10-18
申请号：CN201910564205.5
申请日：2019-06-26
Applicant: 北京科技大学
IPC: G01N23/2005 , G01N23/20058 , C23C14/34
Abstract: 本发明提供一种高通量薄膜制备并原位微结构表征的装置及方法，属于薄膜材料高通量制备、微纳加工及微结构表征技术领域。该装置包括基体、激光器、激光加热器、镀膜设备、夹持样品杆、红外测温仪、减薄设备、微结构表征腔、微结构测试样品杆、插板，其中，基体置于镀膜设备的夹持样品杆上，激光器、激光加热器和红外测温仪分别安装在镀膜设备上，镀膜设备、减薄设备、微结构测量部件依次顺序通过插板连接。本发明通过夹持样品杆和微结构测试样品杆完成原位传输及腔体内功能的实现，能最大程度避免外界环境条件对薄膜性能的影响，发挥高通量薄膜技术的优势，精准获得高通量组分和厚度薄膜的结构与物理性质的变化规律。
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