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公开(公告)号：CN101734922B
公开(公告)日：2012-07-25
申请号：CN200810227383.0
申请日：2008-11-27
申请人： 北京有色金属研究总院
IPC分类号： C23C14/35 , C04B35/581 , C04B41/88 , H01P1/22
摘要： 本发明涉及一种微波衰减器材料及制备方法，特别涉及一种应用于真空条件下的绿色环保微波衰减器材料及制备技术，属于微波电子真空技术领域。本发明的高导热微波衰减器材料，包括金属相Mo或W：1.65～2.01vol.％(磁控溅射镀膜)；介质相AlN：93～96vol.％；烧结助剂CaF2：2～5vol.％。本发明的微波衰减器材料导热率高、气孔率低、机械强度高、均匀性及一致性高且无毒、无污染，此材料可以满足在较宽频段内，至少有20dB的反射衰减量。
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公开(公告)号：CN101734922A
公开(公告)日：2010-06-16
申请号：CN200810227383.0
申请日：2008-11-27
申请人： 北京有色金属研究总院
IPC分类号： C04B35/581 , C04B41/88 , H01P1/22
摘要： 本发明涉及一种微波衰减器材料及制备方法，特别涉及一种应用于真空条件下的绿色环保微波衰减器材料及制备技术，属于微波电子真空技术领域。本发明的高导热微波衰减器材料，包括金属相Mo或W：1.65～2.01vol.％(磁控溅射镀膜)；介质相AlN：93～96vol.％；烧结助剂CaF2：2～5vol.％。本发明的微波衰减器材料导热率高、气孔率低、机械强度高、均匀性及一致性高且无毒、无污染，此材料可以满足在较宽频段内，至少有20dB的反射衰减量。
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公开(公告)号：CN1797806A
公开(公告)日：2006-07-05
申请号：CN200410102757.8
申请日：2004-12-28
申请人： 北京有色金属研究总院
摘要： 本发明涉及一种对氢气敏感的半导体传感器敏感元件及其制作方法，属半导体传感器气敏元件制造工艺技术领域。该制作方法的特征在于：采用射频溅射工艺在Si(100)片上制备n－SnO2－x薄膜层，再在二氧化锡层上制备Pd－Ni层，形成Pd－Ni/SnO2复合膜的气敏元件。本发明制备的Pd－Ni/SnO2复合膜气敏元件，可在常温环境下，大大提高对氢气的选择性和灵敏性。本发明可以提供一种制造工艺简便，价格低廉的半导体气敏元件的制作方法。
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公开(公告)号：CN106733528B
公开(公告)日：2020-08-28
申请号：CN201611176380.X
申请日：2016-12-19
申请人： 北京有色金属研究总院
摘要： 本发明属于表面工程技术领域，具体涉及一种碳化硼涂层的制备方法。本发明分级后的碳化硼粉末与环氧树脂浇注料混合制备浆料，并通过100目的丝网均匀刷涂在金属基材表面制备湿膜，固化后即在金属基材表面形成一层力学性能较好的碳化硼涂层。本发明所制备的碳化硼涂层厚度为180～220μm，与金属基材具有较好的结合力，可广泛应用于核工业和航空航天等领域。且本发明制备涂层工艺简单，适用于大面积、各种形状的金属基材。
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公开(公告)号：CN106756668B
公开(公告)日：2019-03-22
申请号：CN201611208025.6
申请日：2016-12-23
申请人： 北京有色金属研究总院
CPC分类号： Y02P10/253
摘要： 本发明属于表面热处理技术领域，具体涉及一种钨铝复合材料的表面改性方法。本发明通过高频感应加热炉对钨铝复合材料进行表面热处理，使材料表面形成钨铝合金间化合物保护层，该保护层致密度良好，不存在明显的孔洞或裂纹。本发明的改性方法提高了钨铝复合材料表面的耐磨性和耐腐蚀性，可满足钨铝复合材料在复杂环境下的应用。
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公开(公告)号：CN106299111B
公开(公告)日：2019-02-05
申请号：CN201510349432.8
申请日：2015-06-23
申请人： 北京有色金属研究总院
IPC分类号： H01L45/00
摘要： 本发明公开了一种免电激活互补阻变存储器及其制备方法。该存储器由初始态为低阻态的阻变存储器与初始态为高阻态的阻变存储器串联而成，器件结构由底部至顶端依次为底电极、初始低阻态存储功能层、中间电极、初始高阻态存储功能层和顶电极。其制备方法包括以下步骤：(1)清洗衬底；(2)采用物理气相沉积法形成底电极；(3)采用磁控溅射法沉积初始低阻态存储功能层；(4)采用物理气相沉积法形成中间电极；(5)采用原子层沉积法形成初始高阻态存储功能层；(6)采用物理气相沉积法形成顶电极。本发明的阻变存储器具有免电激活特性，适用于具有交叉阵列结构的3维高密度集成的阻变存储器件。
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公开(公告)号：CN106783854B
公开(公告)日：2018-12-04
申请号：CN201611081228.3
申请日：2016-11-30
申请人： 北京有色金属研究总院
IPC分类号： H01L27/105
摘要： 本发明涉及一种黑磷烯薄膜存储器及其制备方法。黑磷烯薄膜存储器的制备方法包括如下步骤：(1)清洗衬底；(2)在衬底上形成底电极；(3)在底电极上形成黑磷烯薄膜层；(4)通过构图工艺在黑磷烯薄膜层上形成顶电极的图形；(5)在黑磷烯薄膜层上形成顶电极，得到存储器单元；(6)通过构图工艺在存储器单元上侧形成披覆层的图形；(7)最后形成披覆层，使其包覆顶电极覆盖之外的黑磷烯薄膜层，得到所述存储器。该黑磷烯薄膜存储器具有转变速度快、读写电压稳定的优点。
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公开(公告)号：CN108147810A
公开(公告)日：2018-06-12
申请号：CN201711361153.9
申请日：2017-12-18
申请人： 北京有色金属研究总院
IPC分类号： C04B35/462 , C04B35/495 , C04B35/626 , C04B41/88
摘要： 本发明属于陶瓷材料技术领域，具体涉及一种中低温MLCC电容陶瓷的制备方法。所述的制备方法工艺步骤：将玻璃陶瓷原料混合均匀，高温熔融、搅拌，形成均匀的玻璃液体；将熔融玻璃液快速倒入去离子水中，得到玻璃碎渣；将玻璃碎渣球磨、烘干后，制得粉体；将粉体烧结，制得MLCC电容陶瓷。本发明MLCC电容陶瓷制备方法，制备周期短，工艺简单，烧结温度低，得到的粉体成分均匀。
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公开(公告)号：CN107215845A
公开(公告)日：2017-09-29
申请号：CN201710403984.1
申请日：2017-06-01
申请人： 北京有色金属研究总院
CPC分类号： B81B7/02 , B81B2201/036 , B81C1/00134 , B81C1/00158 , B81C1/00206 , F04B43/043
摘要： 本发明公开了一种基于聚二甲基硅氧烷(PDMS)振膜的静电执行器及制作方法。该具有静电执行器是以PDMS薄膜作为可以往复运动的高弹性薄膜作为振膜形成执行器部件，与以往全Si静电执行器相比，本发明所述基于PDMS静电执行器不仅可以简化MEMS微泵的加工工艺，降低材料成本，由于其弹性模量比Si小，可降低全Si静电执行器件的驱动电压。
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公开(公告)号：CN106920878A
公开(公告)日：2017-07-04
申请号：CN201510995816.7
申请日：2015-12-25
申请人： 北京有色金属研究总院
CPC分类号： H01L45/04 , G11C13/00 , G11C13/0002 , H01L27/24 , H01L45/16 , H01L45/1625 , H01L45/1641 , H01L45/1666
摘要： 本发明公开了一种光电集成多位阻变存储器及制备方法。该存储器由底电极、存储功能层和顶电极构成，其中，底电极、存储功能层与顶电极形成交叉阵列结构；存储功能层材料为Dy2O3，顶电极材料为金属Ta，底电极材料为金属Pt。其制备方法包括：(1)衬底清洗；(2)在衬底上形成交叉阵列的底电极图形；(3)通过溅射技术及后处理形成底电极列；(4)在底电极阵列上形成交叉阵列的交叉点图形；(5)通过溅射技术及后处理沉积存储功能层；(6)通过构图工艺形成交叉阵列的顶电极图形；(7)通过溅射技术及后处理得到一层顶电极线阵列。该存储器在光照与非光照下进行器件的擦除操作时的关态电阻比值为多个数量级，适用于阻变存储器的多态存储技术。
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