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公开(公告)号：CN104986795B
公开(公告)日：2016-09-14
申请号：CN201510425326.3
申请日：2015-07-19
Applicant: 北京工业大学
Abstract: 水热条件下相分离法获得Na0.5Bi0.5TiO3及Na‑Ti‑O纳米线的方法属于新型功能材料的制备技术领域。本发明通过反应原料浓度控制，同时生成了Na0.5Bi0.5TiO3及Na‑Ti‑O一维纳米结构；并首次利用物相分离技术，成功将二者分离，有利于目标产物及中间产物的单一化及结构、性能研究，推动了水热技术的实质性发展。本发明将硝酸铋在研钵里充分研磨成细的粉末；按摩尔比为Bi:Ti＝1:2的化学计量关系，称取二氧化钛粉体；加入到配好的氢氧化钠溶液后200‑220℃温度下，反应60‑70h；反应结束后，以10℃/h的速率降至室温，使反应物由于密度不同发生相分离；离心、洗涤干燥，得到纯净的Na‑Ti‑O纳米线和Na0.5Bi4.5TiO3纳米粉。
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公开(公告)号：CN105839045A
公开(公告)日：2016-08-10
申请号：CN201610237819.9
申请日：2016-04-17
Applicant: 北京工业大学
Abstract: 一种提高烧结钕铁硼磁体防腐性能的方法属于稀土磁性材料及表面处理领域。本发明包括预处理，将钕铁硼磁体进行打磨、清洗；把预处理后的钕铁硼磁体放入真空炉内密封，通过真空泵抽取真空，炉内气压降到20pa以下时，充入0.1～0.2Mpa氮气，再抽真空，如此反复2～3次进行洗气。然后对真空炉升温，温度达到400～750℃后，充入氮气，使其压力保持在1×103～1×105pa的范围，处理时间控制在2～24h，待完成防腐处理后，随炉冷却，会在磁体表面生成一层厚度为1～50μm含有氮元素的化合物耐腐蚀层。本发明不仅操作简单，无污染，且处理过的钕铁硼磁体耐腐蚀性能强，适合于批量生产，且对磁体的大小和形状没有限制。
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公开(公告)号：CN105523760A
公开(公告)日：2016-04-27
申请号：CN201510849715.9
申请日：2015-11-27
Applicant: 北京工业大学
IPC: C04B35/495 , C04B35/622 , B82Y40/00
Abstract: 一种稳定反铁电性的低介电损耗的铌酸钠陶瓷材料的制备方法，属于介电陶瓷材料领域。通过该方法实现纯铌酸钠陶瓷中反铁电相的稳定，在100kV/cm的高电场下也没有出现电场诱导的铁电相，同时材料具有低介电损耗(
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公开(公告)号：CN103137765B
公开(公告)日：2016-04-06
申请号：CN201310044914.3
申请日：2013-02-04
Applicant: 北京工业大学
IPC: H01L31/068 , H01L31/075 , H01L31/0352 , H01L31/18 , H01L31/20
CPC classification number: Y02E10/50 , Y02P70/521
Abstract: 一种铝诱导晶化多晶硅薄膜太阳能电池及制备方法，属于晶硅薄膜太阳能电池领域。其结构依次包括：玻璃衬底、金属铝背反射层、P+型背表面场层、P型吸收层、N+型发射层，在P+型背表面场层和N+型发射层上均有金属电极。采用铝诱导晶化工艺，在玻璃衬底上依次沉积非晶硅薄膜和铝薄膜，厚度范围分别为100-150nm之间和100-120nm之间，经过450-500℃退火处理1-5小时，硅层和铝层位置会发生互换，同时非晶硅转变成晶粒尺寸为5-10μm的多晶硅，继续制备太阳能电池的P型吸收层、N+型发射层结构和金属电极。本发明理论上可以降低原先电池50%的厚度，大幅节约原料成本。
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公开(公告)号：CN102992761B
公开(公告)日：2016-02-17
申请号：CN201210536187.8
申请日：2012-12-12
Applicant: 北京工业大学
IPC: H01L41/187 , C04B35/493 , C04B35/622
Abstract: 一种应用于能量收集器件的具有高能量密度和高断裂韧性的压电陶瓷材料及制备方法，属于压电陶瓷材料领域。该陶瓷材料的基体化学组成为PbxSr1-x(Zn1/15Nb2/15ZryTi0.8-y)O3，并在其中掺杂基体材料质量z wt%的CoCO3，其中x的数值为0.90~1.00，y的数值为0.30~0.50，z的数值为0.00~1.00。以ZnO、Nb2O5、Pb3O4、SrCO3、ZrO2、TiO2和CoCO3为原料，采用湿磨、烘干、煅烧，二次球磨、造粒、压制成型、烧结步骤。本发明应用于能量收集器件，可以有效地回收再利用废弃的能量，且节能、环保、安全，具有显著的经济和社会价值。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN103266352B
公开(公告)日：2015-11-18
申请号：CN201310163296.4
申请日：2013-05-06
Applicant: 北京工业大学
Abstract: 一种低成本高效多晶硅基薄膜的制备方法，属于晶硅薄膜太阳能电池领域。其工艺流程包括薄膜沉积和固相晶化两部分。首先，采用等离子增强型化学气相沉积法，在玻璃衬底上生长500-2000nm的前驱体硅基薄膜，通过调节反应气体中硅烷与氢气的比例，在薄膜内部引入不同含量的结晶成分；随后，将薄膜样品在500-600℃下退火处理4-12小时，薄膜内的非晶成分逐渐晶化，最终得到结晶性良好的多晶硅薄膜材料。本发明中，由于在前驱体硅基薄膜内引入结晶成分，固相晶化过程中不需要形核，有效降低了薄膜的晶化温度，缩短了晶化所需时间。
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公开(公告)号：CN104927254A
公开(公告)日：2015-09-23
申请号：CN201510395538.1
申请日：2015-07-07
Applicant: 北京工业大学
CPC classification number: C08K3/08 , B29C43/58 , B29C2043/5808 , B29C2043/5816 , C08K2003/0856 , C08K2003/0881 , C08K2201/003 , C08L2203/20 , C08L27/16
Abstract: 一种铁钛铌/聚偏氟乙烯高介电复合材料及其制备方法，属于介电复合材料制备技术领域。按一定体积比分别称取铁钛铌和聚偏氟乙烯粉体，先把聚偏氟乙烯加入N,N-二甲基甲酰胺中超声，并加热搅拌，使聚偏氟乙烯完全融入N,N-二甲基甲酰胺中；然后把铁钛铌粉体加入聚偏氟乙烯中超声搅拌，把得到的悬浊液倒入玻璃皿中，烘干。把铁钛铌/聚偏氟乙烯复合薄膜放入热压模具中，用粉末压片机进行压片，即可得到铁钛铌/聚偏氟乙烯高介电复合材料。本发明方法制备的铁钛铌/聚偏氟乙烯电介质复合材料同时具有较高的介电常数和较好的加工性能，特别适用于嵌入式电容器等电子器件。同时，本发明操作方法简单，制备周期短，能耗和成本低，污染少。
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公开(公告)号：CN104362250A
公开(公告)日：2015-02-18
申请号：CN201410542348.3
申请日：2014-10-14
Applicant: 北京工业大学
Abstract: 本发明属于磁性材料领域，提供一种具有交换偏置效应的铁磁/反铁磁异质结，以La0.7Sr0.3MnO3作为铁磁层及底电极层，掺杂有Ba、Ca、Sr、Pb中的一种或多种的BiFeO3作为反铁磁层，钙钛矿结构的铝酸镧、钛酸锶或镓酸钕单晶为衬底。本发明还提出所述铁磁/反铁磁异质结的制备方法。本发明提出的材料具有明显的电致阻变性能，在同一电场强度下具有两个不同的电阻状态，通过循环多次测量E-I曲线可知，两个电阻状态保持较好，材料具有较好的耐疲劳性能。对材料的P-E曲线分析，材料具有较好的铁电性，在电场强度为60KV/cm时，材料的剩余极化强度为Pr＝2.85μC/cm2。
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公开(公告)号：CN103903851A
公开(公告)日：2014-07-02
申请号：CN201410135609.X
申请日：2014-04-04
Applicant: 北京工业大学
Abstract: 一种制备耐腐蚀钕铁硼永磁体的方法，属于稀土磁性材料领域。将钕铁硼粉末除油、酸洗、活化、置于镀液中进行化学镀，然后干燥、磁场中取向成型初压、煅烧，即可。本发明方法制备的钕铁硼永磁体耐腐蚀性能强，表层的破损不影响其整体耐腐蚀性能，并具有很高的剩磁Br、矫顽力Hc和很大的磁能积BH。
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公开(公告)号：CN103102154B
公开(公告)日：2014-07-02
申请号：CN201310042848.6
申请日：2013-02-03
Applicant: 北京工业大学
IPC: C04B35/475 , C04B35/622
Abstract: Bi0.5Na0.5TiO3-BaTiO3–BiMg0.5Ti0.5O3无铅压电陶瓷材料，涉及一类多元体系无铅压电陶瓷化合物，属于钙钛矿结构压电陶瓷领域。本发明提供的组合物可用通式xBi0.5Na0.5TiO3-yBaTiO3-zBiMg0.5Ti0.5O3表示,其中x，y，z的取值范围由图示三元相图的阴影区域所示(该区域包括边界线）。该无铅压电陶瓷组合中还可含有氧化物Bi2O3，其含量为组合物中Bi离子含量的1%。该体系矫顽场在20-40kV/cm之间随着三元体系组分的变化而改变，压电系数d33和机电耦合系数Kp在可极化的组分范围内随着y值的增大而增大，d33从100-170pC/N不等，而Kp从0.1-0.3不等。陶瓷退极化温度在80-120°C之间随着y值的增大而略有减小。
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