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公开(公告)号：CN115692511A
公开(公告)日：2023-02-03
申请号：CN202211275332.1
申请日：2022-10-18
Applicant: 北京大学 , 北京元芯碳基集成电路研究院 , 北京华碳元芯电子科技有限责任公司
IPC: H01L29/861 , H01L21/329
Abstract: 本公开提供了一种基底；至少一个第一电极，第一电极形成于基底之上；至少一个第二电极，第二电极形成于基底之上，且与第一电极间隔开；以及半导体沟道层，至少设置在第一电极和第二电极之间，其中，沟道层形成有第一类型掺杂区和第二类型掺杂区。本公开还提供了一种二极管的制备方法。
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公开(公告)号：CN114843401A
公开(公告)日：2022-08-02
申请号：CN202210493952.6
申请日：2022-05-08
Applicant: 北京大学 , 北京元芯碳基集成电路研究院 , 北京华碳元芯电子科技有限责任公司
Abstract: 本公开提供一种冷源晶体管器件，包括：基底层；冷源层，冷源层设置于基底层；条带层，条带层与冷源层连接，并通过相同材料制备；栅介质层，栅介质层的部分形成于冷源层的部分，栅介质层的部分覆盖条带层的部分；栅电极，栅电极设置于栅介质层；其中，冷源层和条带层连接的界面形成为同质结，栅介质层覆盖同质结。本公开还提供一种冷源晶体管器件的制备方法。
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公开(公告)号：CN110534563B
公开(公告)日：2020-09-18
申请号：CN201910642944.1
申请日：2019-07-16
Applicant: 北京大学 , 北京华碳元芯电子科技有限责任公司
IPC: H01L29/40 , H01L29/423 , H01L29/786 , H01L21/336
Abstract: 本发明公开了一种具有自对准反馈栅结构的薄膜晶体管及制备方法。该方法通过在常规栅结构后进行赝侧墙层制备，用赝侧墙层作为自对准掩膜来实现对反馈栅介质层和反馈栅金属层的图形化，最后清洗掉赝侧墙层，并进行源漏金属电极的制备，源漏电极和反馈栅金属电极物理相连接和电学相连接。上述过程形成具有反馈栅结构的薄膜晶体管。本发明的方法提供了更精确尺寸的自对准反馈栅工艺，同时实现了漏端金属电极和反馈栅金属电极的材料、主栅介质和反馈栅介质的厚度和种类的灵活调整。
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公开(公告)号：CN110148630A
公开(公告)日：2019-08-20
申请号：CN201910327545.6
申请日：2019-04-23
Applicant: 北京大学
IPC: H01L29/786 , H01L27/12 , H01L51/05 , H01L27/28
Abstract: 本发明提出一种双栅小带隙半导体晶体管及其制备方法，利用将电源电压反馈到辅栅，从而在漏端附近形成一个被钳位的方形势垒，使得大偏压下工作时能很好地抑制漏端少子反向隧穿，与此同时电源端的电压将保证在小偏压下漏端依然保持开启状态，减小正向导电势垒，故能在保持无掺杂小带隙半导体顶栅器件显著抑制双极性的同时保证良好的开态，增大开关比降低功耗的同时保持器件以及电路的高性能，同时保证没有在电路中另外增加其他的工作电源，适合在超大规模集成电路中使用。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN104979402B
公开(公告)日：2018-05-29
申请号：CN201510246215.6
申请日：2015-05-14
Applicant: 北京大学
IPC: H01L29/78 , H01L21/336 , H01L29/06
Abstract: 本发明提供了一种碳纳米管三维鳍状场效应晶体管及其制备方法，该方法将碳纳米管平行阵列材料自组装在三维鳍状绝缘衬底表面，有效增加了单位器件宽度上碳纳米管的数目，从而显著增大了碳纳米管晶体管器件的驱动电流。与常规平面碳纳米管器件相比，碳纳米管三维鳍状场效应晶体管在驱动能力，性能均一性，以及集成度方面有显著优势。
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公开(公告)号：CN104229770B
公开(公告)日：2016-09-07
申请号：CN201410447621.4
申请日：2014-09-04
Applicant: 北京大学
Abstract: 本发明公开了一种借助弹性材料泊松比提高碳纳米管平行阵列密度的方法。首先将基片片上生长的碳纳米管平行阵列，转移到弹性材料上，如聚甲基丙烯酸甲酯、硅橡胶或聚酯等其他弹性材料；接着沿着碳纳米管延伸的方向拉伸所述的弹性材料，使其在垂直于碳纳米管延伸方向上发生收缩，从而获得高密度碳纳米管；最后将该膜上的碳纳米管平行阵列转移到目标基片上。本发明的方法简单实用，效率高，成本低，可制得高密度高质量的纯半导体性碳纳米管平行阵列。
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公开(公告)号：CN105895916A
公开(公告)日：2016-08-24
申请号：CN201610082123.3
申请日：2016-02-05
Applicant: 北京大学
IPC: H01M4/60 , H01M10/0525 , H01M4/139
CPC classification number: H01M4/60 , H01M4/139 , H01M10/0525
Abstract: 本发明公开了一种有机无机杂化钙钛矿材料的制备方法及新应用，首次将有机无机杂化钙钛矿材料成功应用到锂离子电池中，实现了充放电功能，该材料作为锂离子电池电极材料使用时，不仅容量大，循环次数多，而且可以快速充放电。同时首次采用水热法成功制备出一系列有机无机钙钛矿材料，提供了一种大批量、低成本制备有机无机杂化钙钛矿材料的方法，采用此种方法合成的钙钛矿材料，不仅工艺简单、成本低，便于产业化，而且利用这种方法合成的钙钛矿材料可以方便调节其结构形貌，这样扩展了此种材料的应用领域。
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公开(公告)号：CN103964413B
公开(公告)日：2016-04-27
申请号：CN201410154960.3
申请日：2014-04-17
Applicant: 北京大学
CPC classification number: C01B31/0253 , B82Y40/00 , C01B32/168 , H01L25/00
Abstract: 本发明公开了一种在转移碳纳米管的过程中同时提高其密度的方法。首先将基片上生长的碳纳米管平行阵列，转移到可沿单一方向收缩的伸缩膜上，如硅橡胶、聚酯、形状记忆合金等具有收缩性的材料；接着沿着垂直于碳纳米管延伸的方向收缩此膜，提高碳纳米管平行阵列的密度；最后利用化学方法将该膜上的碳纳米管平行阵列转移到目标基片上。本发明的方法效率高，成本低，得到高质量高密度的碳纳米管平行阵列，成功解决现有碳纳米管转移的难题。
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公开(公告)号：CN105336792A
公开(公告)日：2016-02-17
申请号：CN201510729479.7
申请日：2015-11-02
Applicant: 京东方科技集团股份有限公司 , 北京大学
IPC: H01L29/786 , H01L29/78 , H01L21/02 , H01L21/336
CPC classification number: H01L51/0007 , H01L21/02 , H01L29/78 , H01L29/786 , H01L51/0023 , H01L51/0025 , H01L51/0048 , H01L51/0545 , H01L51/0558 , H01L51/0566 , H01L51/105 , H01L51/56 , H01L29/66045 , H01L21/02057 , H01L21/02096 , H01L29/78684
Abstract: 本发明提供一种碳纳米管半导体器件及其制备方法，属于碳纳米管技术领域。本发明提供的碳纳米管半导体器件的制备方法包括步骤：通过碳纳米管溶液形成碳纳米管层；以及对所述碳纳米管层采用酸性溶液进行处理。本发明的方法制备得到的碳纳米管半导体器件的性能均匀性好。
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