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公开(公告)号：CN115315779A
公开(公告)日：2022-11-08
申请号：CN202180022997.9
申请日：2021-04-01
Applicant: 信越化学工业株式会社
Inventor： 秋山昌次
IPC: H01L21/02
Abstract: 本发明提供一种复合基板以及制造该复合基板的方法，所述复合基板的待粘合的晶片具有足够小的表面粗糙度并且能够防止膜剥离的发生。本发明的复合基板(40)具有按列出顺序层叠的硅晶片(10)、夹层(11)和单晶硅薄膜或氧化物单晶薄膜(20a)，并且在硅晶片(10)的位于夹层(11)一侧的部分中具有损伤层(12a)。
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公开(公告)号：CN108702141B
公开(公告)日：2022-06-03
申请号：CN201780006333.7
申请日：2017-01-06
Applicant: 信越化学工业株式会社
Abstract: 本发明提供一种在压电材料层和支承基板的贴合中能够得到充分的接合强度的复合基板及复合基板的制造方法。本发明提供一种复合基板，其具备：单晶支承基板，其以第一元素为主成分；氧化物单晶层，其设于单晶支承基板上，以除氧以外的第二元素为主成分；非晶质层，其设于单晶支承基板和氧化物单晶层之间，含有第一元素、第二元素及Ar，所述复合基板的特征在于，非晶质层具有：第一元素的比例比第二元素的比例高的第一非晶质区域和第二元素的比例比第一元素的比例高的第二非晶质区域，第一非晶质区域中所含的Ar的浓度比第二非晶质区域中所含的Ar的浓度高，且为3原子％以上。
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公开(公告)号：CN107636801B
公开(公告)日：2021-09-21
申请号：CN201680031978.1
申请日：2016-06-01
Applicant: 信越化学工业株式会社
IPC: H01L21/02 , H01L21/265 , H01L21/425 , H01L27/12 , H01L41/187 , H01L41/312
Abstract: 本发明提供一种复合晶片及其制造方法，复合晶片在支持晶片和氧化物单晶薄膜的贴合界面无破裂或剥落，且在支持晶片上的整个面转印有作为钽酸锂或铌酸锂的氧化物单晶的薄膜。所述方法包括：从表面注入氢原子离子或氢分子离子，从而在氧化物单晶晶片的内部形成离子注入层的工序；对氧化物单晶晶片的经离子注入的表面和支持晶片的表面中的至少一者实施表面活化处理的工序；将氧化物单晶晶片的经离子注入的表面和支持晶片的表面贴合而获得接合体的工序；在90℃以上且不会产生破裂的温度下对接合体进行热处理的工序；以及对经热处理的接合体的离子注入层赋予机械冲击的工序，且沿着离子注入层剥离而获得被转印于支持晶片上的氧化物单晶薄膜的工序。
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公开(公告)号：CN107615448B
公开(公告)日：2021-07-20
申请号：CN201680032041.6
申请日：2016-06-01
Applicant: 信越化学工业株式会社
IPC: H01L21/02 , H01L21/265 , H01L21/425 , H01L27/12 , H01L41/187 , H01L41/312
Abstract: 本发明提供一种复合晶片及其制造方法，复合晶片在支持晶片和氧化物单晶薄膜的贴合界面不易产生破裂或剥落，且在支持晶片上的整个面转印有作为钽酸锂或铌酸锂的氧化物单晶的薄膜。所述方法包括：从表面注入氢原子离子或氢分子离子，从而在氧化物单晶晶片的内部形成离子注入层的工序；对氧化物单晶晶片的经离子注入的表面和支持晶片的表面中的至少一者实施表面活化处理的工序；将氧化物单晶晶片的经离子注入的表面和支持晶片的表面贴合而获得接合体的工序；在90℃以上且不会产生破裂的温度下对接合体进行热处理的工序；以及对经热处理的接合体赋予超声波振动，沿着离子注入层剥离而获得被转印于支持晶片上的氧化物单晶薄膜的工序。
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公开(公告)号：CN110957986A
公开(公告)日：2020-04-03
申请号：CN201910846552.7
申请日：2019-09-09
Applicant: 信越化学工业株式会社
Abstract: 本发明提供一种不易在电材料层的外周端产生瑕疵，并且不易产生从外周端的剥离的声表面波器件用的复合基板及其制造方法。声表面波器件用复合基板是压电材料单晶薄膜和支承基板在接合面处接合在一起的复合基板，其特征在于，支承基板具备闭合的第一轮廓线，接合面具备闭合的第二轮廓线，压电材料单晶薄膜具备闭合的第三轮廓线，在将第一轮廓线及第三轮廓线垂直地投影到包含接合面的平面时，第一轮廓线的投影映射像位于比第二轮廓线靠外侧，第三轮廓线的投影映射像位于比第二轮廓线靠内侧。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN109417376A
公开(公告)日：2019-03-01
申请号：CN201780040362.5
申请日：2017-07-04
Applicant: 信越化学工业株式会社
Abstract: 本发明提供一种可降低压电结晶膜和支承基板的接合界面上的波的反射造成的杂散的、温度特性良好且为高性能的表面声波器件用复合基板。表面声波器件用复合基板包含压电单晶基板和支承基板而构成，其特征在于，在压电单晶基板和该支承基板的接合界面部，至少压电单晶基板和支承基板中任一方具有凹凸构造，该凹凸构造的剖面曲线上的要素的平均长度RSm和用作表面声波器件时的表面声波的波长λ的比为0.2以上且7.0以下。
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公开(公告)号：CN108885971A
公开(公告)日：2018-11-23
申请号：CN201780021504.3
申请日：2017-04-04
Applicant: 信越化学工业株式会社
Abstract: 本发明提供一种用于制备复合晶圆的方法，其在包括具有低的热膨胀系数的支撑衬底和在支撑衬底上堆叠的具有高的热膨胀系数的钽酸锂薄膜的复合晶圆中，能够减少由钽酸锂薄膜和支撑衬底之间的接合界面上的入射信号的反射引起的杂散。用于制备复合晶圆的方法是这样的用于制备复合晶圆的方法：其通过将具有高的热膨胀系数的钽酸锂晶圆粘合到具有低的热膨胀系数的支撑晶圆上来制备复合晶圆，其中在粘合到一起之前，从钽酸锂晶圆和/或支撑晶圆的粘合表面注入离子，以干扰各个粘合表面附近的结晶度。
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公开(公告)号：CN104040686B
公开(公告)日：2017-05-24
申请号：CN201380005209.0
申请日：2013-01-11
Applicant: 信越化学工业株式会社
IPC: H01L21/02 , H01L21/324 , H01L27/12
CPC classification number: H01L21/02238 , H01L21/02255 , H01L21/324 , H01L21/7624 , H01L21/76251 , H01L29/0642 , H01L29/78603
Abstract: 本发明涉及热氧化异种复合基板，是在处理基板上具有单晶硅膜的异种复合基板，通过在实施超过850℃的热氧化处理前施加650℃～850℃的中间热处理，然后在超过了850℃的温度下实施热氧化处理而得到，根据本发明，能够得到热氧化后的缺陷数减少的热氧化异种复合基板。
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公开(公告)号：CN102687272B
公开(公告)日：2015-09-09
申请号：CN201080059990.6
申请日：2010-12-27
Applicant: 信越化学工业株式会社
Inventor： 秋山昌次
IPC: H01L27/12 , H01L21/02 , H01L21/336 , H01L29/786
CPC classification number: H01L21/86 , H01L21/76254 , H01L29/78603 , H01L29/78657
Abstract: 提供一种应力减小的SOS基板。该SOS基板是包括蓝宝石基板和在该蓝宝石基板上或上方的单晶硅膜的蓝宝石上硅(SOS)基板。在该SOS基板的整个平面区域上，通过拉曼位移方法测得的该SOS基板的硅膜的应力为2.5×108Pa或更小。
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公开(公告)号：CN104701239A
公开(公告)日：2015-06-10
申请号：CN201510117172.1
申请日：2007-11-12
Applicant: 信越化学工业株式会社
IPC: H01L21/762
CPC classification number: H01L21/76254 , H01L27/1266 , H01L29/78603
Abstract: 本发明提供将高品质的硅薄膜转印在低熔点物质的衬底上而成的半导体衬底。本发明的方法为：以1.5×1017atoms/cm2以上的掺杂量，将氢离子注入单结晶硅衬底(10)的表面(主面)，形成氢离子注入层(离子注入损伤层)(11)。通过此氢离子注入，形成氢离子注入界面(12)。贴合单结晶硅衬底(10)和低熔点玻璃衬底(20)。以120℃以上250℃以下(但是，不超过支持衬底的熔点温度)的比较低的温度，加热贴合状态的衬底，利用赋予外部冲击，将热处理后的贴合衬底，沿着单结晶硅衬底(10)的氢离子注入界面(12)，剥离Si结晶膜。然后，对所得到的硅薄膜(13)的表面进行研磨等，除去损伤，而得到半导体衬底。
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