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公开(公告)号：CN1405903A
公开(公告)日：2003-03-26
申请号：CN02142450.0
申请日：2002-09-19
Applicant: 住友电气工业株式会社
CPC classification number: C30B25/02 , C30B25/18 , C30B25/183 , C30B29/406 , H01L21/02381 , H01L21/02395 , H01L21/0242 , H01L21/02433 , H01L21/02458 , H01L21/0254 , H01L21/02609 , H01L21/02642 , H01L21/02647
Abstract: 一种单晶氮化镓基板的生长方法，在衬底基板上有规律地设种子图案，在其长形成凹凸面构成的坑并加以维持，同时让GaN凹凸生长而接着坑底部形成封闭缺陷集合区H，将变位集结于此，实现封闭缺陷集合区H周围的单晶低变位伴随区Z与单晶低变位剩余区Y的低变位化。由于封闭缺陷集合区H是封闭的，所以变位被封闭不会再释放。
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公开(公告)号：CN1289865A
公开(公告)日：2001-04-04
申请号：CN00129013.4
申请日：2000-09-26
Applicant: 住友电气工业株式会社
CPC classification number: C30B25/02 , C30B29/403 , C30B29/406 , C30B33/00 , H01L33/0075
Abstract: 提供一种制造106cm－2以下低错位GaN单结晶的方法,其特征是气相成长的成长表面不是平面状态,形成具有三维的小面结构,保持小面结构,通过在不埋没小面结构下进行成长,可降低错位,进行单晶体氮化镓的结晶成长。
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公开(公告)号：CN1283306A
公开(公告)日：2001-02-07
申请号：CN98812716.4
申请日：1998-10-29
Applicant: 住友电气工业株式会社
IPC: H01L21/20 , H01L21/205 , H01L21/203 , H01L21/208 , H01L33/00 , H01S5/323 , C01B21/06
CPC classification number: C30B25/02 , B82Y20/00 , C30B25/00 , C30B29/406 , H01L21/02395 , H01L21/02433 , H01L21/02458 , H01L21/02502 , H01L21/0254 , H01L21/0262 , H01L21/02639 , H01L21/02647 , H01L21/02664 , H01L33/007 , H01L33/0075 , H01S5/0206 , H01S5/34333 , H01S2304/00 , H01S2304/04 , Y10S117/902 , Y10S438/942
Abstract: 一种GaN单晶衬底的制造方法,其特征在于,包括:屏蔽层形成工序,在GaAs衬底2上,形成具有相互隔离配置的多个开口窗10的屏蔽层8;和外延层生成工序,在屏蔽层8上,生长由GaN构成的外延层12。
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公开(公告)号：CN1164759A
公开(公告)日：1997-11-12
申请号：CN97104545.3
申请日：1997-03-25
Applicant: 住友电气工业株式会社
IPC: H01L21/205 , C30B25/00
CPC classification number: C30B25/02 , C30B29/403 , H01L33/0075
Abstract: 在衬底上形成高质量InxGa1-xN(0＜x＜1)外延化合物半导体层的工艺。包括InCl3的第一气体和包括NH3的第二气体引入加热到第一温度下的反应室，以N2为载气在衬底上外延生长InN以形成InN缓冲层。此后，和第一和第二气体一起将包括HCl和Ga的第三气体引入到加热于高于第一温度的第二温度下的反应室，用N2气在缓冲层上生长外延InxGa1-xN层。用He代替N2作为载气，可获得质量更加均匀的InxGa1-xN层。此外，可将InN缓冲层更改为GaN缓冲层。
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